記憶體/24模組通路提早噴JL21~24:

記憶體21~24
22外資降評潮

因臉書十多年來首在2022年6月發動大規模文字獄沒收我私密社團循環股檔,7月重整檔至此

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24-12/26.中國長鑫存儲吹噓DDR5良率有80％ 專家打臉：只有10-20％ 12/18.美光科技今盤後公布2025財年Q1(至 11/28)財報:大致符預期,但對Q2展望不佳，可能加劇對記憶體市場短期價格動態擔憂,盤後股價跌15%。美光預估:第二季營收中位數79 億美元,波動正負2億美元，而FactSet市場共識預期營收89.4 億美元。 Q1財報:營收:87.1億美元,預估87億美元年增15.7%(但遠弱上季93%增速),季增12.4%符預期;EPS:調整後1.79美元;净利润:GAAP:18.7亿美元,非GAAP:20.4亿美元(季增52%),去年同期虧10.5亿美元;eps:调整后非GAAP:1.79分析师预期1.77美元,去年同期虧损0.95美元;现金:当季营运现金流32.4亿美元,弱于上季34亿美元,去年同期14亿美元。当季资本支出净额为31.3亿美元,调整后自由现金流1.12亿美元;股东回馈:每股0.115美元季股息,于明年1月15日以现金支付给至2024年12月30日收盘时登记在册股东。 分业务数据:计算和网络：收入季增46%至44亿美元创季新高,占总收入一半以上,得益于云服务器DRAM需求及HBM收入,HBM收入已连两季度季翻倍增长;移动:客户专注去库存,營收季降19%至15亿美元,调供应以满足数据中心需求;嵌入式:汽车、工业和消费客户继降库存,營收季降10%至11亿美元;存储:数据中心SSD创新高,營收季增3%至17亿美元创季新高. 业绩指引:营收至明年2月2025财年第二财季预计77亿至81亿美元间，明显弱于分析师预期89.9亿美元;利润：下财季调整后每股收益预计1.33至1.53美元，显著弱于分析师预期1.91美元;毛利率：下财季调整后预计为37.5%至39.5%;资本支出：预计为30亿美元。 隨博通近期發表強勁展望，晶片股大幅波動，因此美光的財報在半導體產業中備受關注。這是促使投資人再度關注輝達以外受益於AI支出半導體公司原因之一。一些分析師認為，短期內價格動態可能會拖累美光業績與展望，關鍵將在於美光對高頻寬記憶體HMB業務潛力的評論，該業務有助AI應用。美光執行長 Sanjay Mehrotra:公司第一财季營收创高，数据中心收入首超总收入50%年增超400%，季增40%并创新高; 「雖然面向消費者的市場短期較為疲弱，但我們預期在本財年下半年將重返增長。」「我們持續在利潤最高且具戰略重要性的市場中獲得市占，並具備極佳的條件來利用 AI 驅動的增長，為所有股東創造可觀的價值。..预计公司收入会持续创新高，利润率明显改善，在2025财年实现正的自由现金流」 至周三收盤，美光股價今年來漲22%,iShares半導體ETF漲12%。 12/10.白宮10日聲明，美商務部已最終確定向記憶體晶片製造商美光科技提供超過61億美元補貼，以支持國內多個半導體設施建設 12/10.全球第2大NAND型快閃記憶體廠、日本晶片製造商「鎧俠（Kioxia）」日前已獲得東京證交所IPO上市許可，9日敲定最終IPO發行價格為每股1455日圓（約新台幣311元），以上述發行價計算，鎧俠市值約7840億日圓（約新台幣1679.5億元），成日本今年來最大規模的IPO案。 12/6.威剛11月營收34.94億元，月增2.45%,連第3個月增，創近7個月新高；今年前11月累計合併營收為371.5億元，已超越去年全年營收337億元，年增21.59%。威剛表示，11月合約價相對平穩，現貨市場價格波動也已見收斂，推動DRAM模組、SSD等產品穩健出貨。DRAM模組產品貢獻單月營收達17.44億元、SSD營收為11.62億元，均為今年單月第三高。此外，威剛今年前11月DRAM模組、SSD、記憶卡及隨身碟三大類產品營收，也都突破去年全年水位，總營收規模較去年同期年增逾2成。 11/25.Counterpoint R.25日指出，受 DRAM出貨量強勁成長，尤其是HBM需求帶動，2024 年前三季全球前五大晶圓製造設備廠在記憶體領域的營收年增 38%，成為帶動整體市場成長關鍵動力。其中，2024年前三季全球前五大晶圓製造設備WFE營收成長3%，僅ASML年減6%，科林研發和東京威力科創營收分別年增12%和10%，而科磊和應材營收分別年成長8%和3%。 其中，中國市場在2024年前三季表現尤為亮眼，前五大晶圓製造設備廠商來自中國的營收年增 48%，占總系統銷售額的 42%。這一成長主要得益於成熟製程和儲存相關設備的強勁需求。但考慮到當前的出口管制政策，預計中國市場的投資速度在2025 年可能放緩，力道也將減弱。 展望2024 全年，Counterpoint R. 預期 全球前五大晶圓製造設備廠商總營收將年增4%。生成式 AI 和高效能運算應用推進，將成為未來市場成長的主要動力。此外，隨著終端需求逐步回暖，相關產業的投資力度也將進一步加強。到 2025 年，全球晶圓製造設備市場有望實現雙位數成長，主要來自於領先製程技術加速投資，以及記憶體新產能的持續擴展。 Counterpoint R.資深分析師Ashwath Rao 認為，邏輯代工市場的技術轉型和記憶體市場的復甦，是驅動 2024 年 WFE 市場成長的核心動力。隨著生成式 AI 和 HPC 應用的普及，預期相關投資將在未來數年進一步提升全球晶圓製造設備市場的規模。 11/22.十銓4967(記憶體模組)法說會:終端需求疲軟影響，預估明年第1季DRAM需求仍較弱，現貨價將緩跌，第2季進入換機備貨期可望回溫，明年上半年儲存型NAND快閃記憶體也偏弱，預計下半年記憶體將比上半年好。目前AI相關高階DRAM包括高頻寬記憶體HBM、DDR5，供給大需求，預期走勢將續到2025年，三大廠也會往高毛利的AI相關產品去增產，減產或調產DDR4。 11/18.路透:三星電11/15日韓股盤後公告:即日起實施為期一年庫藏股計畫，總花費約10兆韓元(約71.2億美元)。第一階段11/18~至明年2/17，預計買回5014萬股普通股及691萬股優先股，總金額約3兆韓元，後續視第一階段成效，再決定是否買回其餘7兆韓元庫藏股。三星電積極切入高頻寬記憶體(HBM)市場因應AI熱潮，但因布局進度比對手慢，近股價一路滑。三星目前持有現金及約當現金總額約103.8兆韓元，如今拿出一成現金，展開庫藏股護盤大作戰，今年至11/15收盤，三星股價累跌31.85%，最大對手SK hynix海力士股價則強漲25.9%。 11/13.半導體業界傳:中國記憶體廠長鑫存儲合肥廠拚國產化拚過頭良率嚴重受損、品質出現重大缺失，報廢數萬片晶圓無法如期交貨，相關營運主管皆遭受懲處或停職，還包括帶槍投靠的前台積電松江廠長。 11/8.威剛第3季:營收94億元,年增9.3%,毛利率21.4%,年升約3百分點，歸母淨利5.9億元年增42.4%，eps2.01元;前3季:營收303.3億元，年增逾3成；毛利率24.3%，年同期揚升約9百分點，歸母公司淨利24億元,年增2.4倍，eps8.21元。 11/4.《路透》輝達要求供應商「SK Hynix」將HBM4晶片供應時間提前6個月。 11/4.韓國經濟日報報導，由於中國競爭對手大幅提高產量，致使價格下滑，南韓兩大記憶體製造商三星電子與SK海力士，正大幅縮減傳統記憶體晶片，尤其是DRAM的產量，後者計畫今年底其DDR4 DRAM的產能減產80%將只剩20%。報導說，全球最大與第二大記憶體製造商三星電子與SK海力士，也計畫擴大高頻寬記憶體（HBM）與企業級固態硬碟（eSSDs）等先進產品的產量。 11/2.至2024年第二季，三星在晶圓代工方面營收市占比11.5%，遠遠落後於台積電62.3%。報導強調，晶圓代工業務狀況不好也被指為三星第三季業績不佳主因之一。該部門估計將虧損1.5兆韓圜(約10.9億美元），加上負責晶片設計的LSI部門，整個拖累整個半導體業務獲利。而且，儘管三星承諾美國政府在美國德州泰勒市斥資230億美元，建設先進晶片製造設施。但由於良率不佳，三星未能吸引主要客戶，使三星已將運營時間從最初計劃2024年，延遲到2026年，三星也宣布2024年將縮減晶圓代工的資本支出，以提高投資效率。另外，也將積極發展將於明年開始量產2奈米製程技術，期藉此帶動業績反彈。 10/29.力成Q3稅後盈餘17億元季減7%年增8.1%，eps2.28元，前三季稅後盈餘52.65億元、年增30.2%，eps7.05元；董事長蔡篤恭指出，今年公司本業比去年好很多，若無意外，配發股利將維持去年水準（每股配發7元）。力成:因與美光合約到期，無西安廠營收計入，季營收183億元季減6.6%、年減0.8%，但若計入西安廠營收則仍成長；毛利率21.4%，季增2.4個百分點、年增3.6個百分點，營業利益率15.1%，毛利率與營業利益率為近9季來高點。 10/25.摩根士丹利分析师Shawn Kim和Duan Liu在报告中写道:“我们对SK海力士股票的短期评估有误，但并不是对内存周期的高峰预估有误。我们预计2024年将是SK海力士的又一个出色年份，受益于第四季度DRAM价格的继续上涨，尽管涨速放缓，但仍能带动短期的出色盈利。” 昨日，SK海力士第三季度财报显示，得益于AI芯片销售强劲，销售额同比暴涨330%，营收同比大增94%。报告还表明，在为英伟达供应AI加速器的高带宽内存方面，SK海力士已经超越了三星电子和美光科技。 财报公布后，大摩分析师将SK海力士的目标价上调了8%至130000韩元，但维持低配评级。 今日，SK海力士收涨1.41%，报201000韩元/股，超过大摩目标价54.62% 10/24.HBM需求强劲！SK海力士三季度营收、利润均创史新高 ;SK海力士三季度HBM销售额年增330%，营收年增94%至12.57万亿韩元，营业利润达7.03万亿韩元，同比扭亏。公司表示，HBM3E 12H将在四季度出货，到明年上半年占到HBM3E总出货量一半。 10/22.三星半导体业务危机蔓延，大批工程师考虑跳槽海力士;近期SK海力士发布广告招聘三名刻蚀工程师，约有200名三星在职工程师提交申请，这意味着三星晶圆厂生产线上大部分符合条件的工程师都提交申请。除此以外，韩国电子技术研究院（KETI）最近招聘的八名新员工全部来自三星。 10/13.三星电子23个交易日跌幅逾20%，市值蒸发近90万亿韩元 韩国证券交易所发布的数据显示，从上月3日至本月11日，外资连续23个交易日抛售三星电子，总共卖出10.66万亿韩元（约合人民币558亿元）。在此期间，三星电子股价从7.44万韩元暴跌至5.93万韩元，跌幅达20.3%，市值从444万亿韩元降至354万亿韩元，蒸发近90万亿韩元。 10/9.南亞科受銷售量降、停電損失等因素影響，Q3稅後虧損擴大為14.87億元，eps虧損:由上季0.26元增為0.48元,連8季虧損,前3季eps虧1.13元；南亞科並宣布調降今年資本支出為200億元，下修幅度23%，但總經理李培瑛指出，公司10奈米級第二代製程1B 技術8Gb DDR4、16Gb DDR5產品將如期量產，第四季底目標達15%以上投片產能。李培瑛也表示，除了AI需求熱，其他乏善可陳，終端消費需求不如預期，目前手機銷售漸改善，高階產品有機會增加記憶體搭載量。原本預期三大記憶體將產能轉向高頻寬記憶體（HBM），將有助DDR3、DDR4 的利基型記憶體庫存消化，但看三大廠相對庫存，有一家庫存量特別多，已消化一段時間，但庫存消化將比預期長。DRAM平均售價季增中個位數百分比，銷售量季減二成，致使營收為81.33億元，季減18% 10/8.AI芯片竞争落后，三星Q3营业利润环比下跌12.8%！芯片负责人罕见致歉;三星表示，其存储部门表现下滑，是由于“一次性成本和负面影响”，包括移动设备制造商客户的库存调整等，此外，高带宽内存HBM3E芯片的发货也出现了延迟。 10月8日周二，三星电子公布2024年第三季度盈利指引，预计截至9月的三季度合并销售额约79万亿韩元（约合586.3亿美元），环比增长6.66%，同比增长17.21%，低于韩国分析师预计的81.57万亿韩元；综合营业利润约9.1万亿韩元（约合67.5亿美元），环比减少12.83%，同比增长274.49%，但低于韩国分析师预计的11.5万亿韩元。 三星表示，其存储部门表现下滑，是由于“一次性成本和负面影响”，包括移动设备制造商客户的库存调整等，此外，高带宽内存HBM3E芯片的发货也出现了延迟。此前9月，路透社曾报道，三星已指示其全球子公司在某些部门减少30%的员工。 10/7.威剛9月營收32.5億元，月增7.4%，為近5個月來新高；第三季營收為93.36億元，雖滑落到百億元以下且為近4季新低，但年增8.7%；公司預期第四季業績將優於第三季，全年度營收將再度挑戰400億元以上，全年毛利率也可望續創史新高。 威剛表示，9月營收32.54億元之中，SSD月營收達13億元，創下3年多以來新高；累計今年前三季營收年增逾3成達302.46億元。 9/27.美光獲利表現優於預期，股價大漲超過14%，激勵記憶體族群今股價續漲，南亞科華邦電股價皆走紅。 美光財報，第四季營收77.5億美元，年增93%季增14%；毛利率36.5%，超越財測33.5%至35.5%,淨利13.4億美元，eps1.18美元，優於預估1至1.16美元。美光財報優於預期，第四季資料中心伺服器相關DRAM營收創單季歷史新高，整體DRAM位元出貨量則持平，平均銷售單價升約15%，營收達53億美元、季增14%。 美光第四季儲存型快閃記憶體（NAND Flash）量價齊揚，位元出貨量增加7%至9%，平均銷售單價升7%~9%，主要是資料中心SSD買氣帶動營收達24億美元，季增15%。美光並展望下季營收與獲利將續成長，受到美光財報佳與股價勁揚的激勵，台股記憶體族群雖跟AI高頻寬記憶體受惠少，但今股價續走漲. 9/25.AI需求给力，美光上季营收猛增超90%，本季指引碾压预期，盘后跳涨逾10% ;美光本财季营收预计创历史新高，营收指引最高增长88%，EPS指引高端较分析师预期高近20%，预计本财年营收将创“可观的纪录”。美光预计，2025年，HBM市场规模将由2023年的40亿美元增至250多亿美元，2025年初公司将加大生产HBM3E 12H产品。 9/24.和大摩“打擂台”？高盛十大理由力挺SK海力士;高盛认为市场反应过度，明年HBM市场不会出现供应过剩，相反还会出现3%的供应不足。未来三星入市批量出货HBM3E或将造成价格压力，但由于市场需求强劲，产品价格不会出现暴跌。预计DRAM将接下来的几个季度将经历库存调整期，而不是长期价格下行周期。 最近，“HBM霸主”——SK海力士的股价崩了，过去一个月该公司跑输韩股大盘9%。这场崩跌背后市场对HBM（高带宽内存）市场供给过剩的担忧加剧，叠加三星入局抢占市场，SK海力士行业龙头位置受到威胁。 前几日大摩又连发多份研报高喊“内存凛冬将至”，“腰斩”SK海力士目标价，再度吓坏投资者，该公司股价上周四一度大跌8%。 SK海力士“四面楚歌”之际，高盛发布研报，称市场可能担忧过度了，并不认为明年HBM会出现供应过剩。相反，高盛对HBM市场前景的态度愈发乐观，预计HBM总可寻址市场（简称：TAM；指产品或服务的总目标市场）将在2024-2026年显著增长。而HBM需求的增长也将帮助减缓DRAM市场的长期下行。 高盛力挺SK海力士称，预计公司在AI内存技术和市场份额方面将继续保持领导地位。高盛维持SK海力士买入评级，鉴于DRAM市场的长期下行前景，将公司12个月目标价从29万韩元下调至25.5万韩元，但仍有超过50%的上涨空间。 **9/23.南韓朝鮮日報:三星電市值,過去一個多月內縮水超過100兆韓元, SK海力士市值同期也跌超30兆韓元。 南韓證交所數據:三星電從1/17日到7/9日,花117交易日,市值增100兆韓元,達524兆韓元高峰。至9/20日,三星電市值366兆韓元,低於8月16日的478兆韓元，在23交易日內損失102兆韓元;三星在KOSPI指數中份額萎縮至17.8%,2022年9月來最低。 SK海力士也面臨類似下跌，其市值從 8/20日145兆韓元,跌至9/20日114 兆韓元，21交易日減31兆韓元。 由於擔心記憶體產業可能第四季見頂,外國投資者紛拋售三星和SK海力士股票，使股價進一步下跌。過去1個月，外資出售價值6.9兆韓元三星股票和價值1.8兆韓元SK海力士股票。 此期間，三星外資持股比從56.23% 降到54.66%，SK海力士外資持股比從54.92%降到53.25%。 摩根士丹利9/15.下調兩家公司目標股價，加劇負面情緒。三星目標價從 105,000 韓元下調至76,000 韓元，SK海力士目標價從260,000 韓元下調至120,000韓元。然而，一些分析師認為，這些下降幅度過大。他們認為，記憶體半導體價格可透過供應調整來穩定，而對人工智慧關鍵零件高頻寬記憶體HBM需求將在2025 年保持強勁。 9/18.BusinessKorea:大摩最新報告「冬天來臨」，將SK海力士目標股價大降54%,26萬韓圜至12萬韓圜，也將三星電目標股價下調27.6%至7.6萬韓圜。調降理由，因智慧型手機和個人電腦需求減少，導致DRAM市場需求減少，加高頻寬記憶體HBM供過於求價格下跌。 繼上月發布主題為「為高峰做好準備」報告後所最新發表，而該報告警告人工智慧泡沫。內容對韓國記憶體公司持悲觀態度，理由是 DRAM 市場需求疲軟，以及用於人工智慧的 HBM 供應供過於求所導致。據大摩預測，2025年記憶體公司的HBM供應量將達到2500Gb,超出市場需求1500Gb達66.7%。是三星全面進入HBM市場，使得供應過剩所造成。 然而，半導體產業認為這種預測過於悲觀。因大摩忽略HBM市場特點，即生產須得客戶認可。在此情況下，SK 海力士和三星已宣布HBM,在2025 年之前的產能已經銷售完畢。另外，也認為大摩低估大型科技公司對人工智慧投資，而這些投資是HBM需求的基礎。尤其，10家主要科技公司對人工智慧的投資成長率，將從2024年的 52%，大幅下降至2025年8%。不過，這與彭博社預測13家主要科技公司，2024年將成長 33.7%，2025年將成長13.4%情況不相同。對此，瑞穗證券就表示，隨著 AI 伺服器投資的增加，HBM 市場將繼續成長。 另外，大摩也預計，DRAM 將在 2024 年第四季達到需求高峰，並從 2025 年到 2026 年呈現下降趨勢，理由是使用半導體的 IT 產品消費復甦情況遞延。事實上，全球 PC 和智慧型手機市場確實不景氣。有市場消息表示，蘋果新推出的 iPhone 16 系列發表後的首個週末的預訂量較上一代下降了 13%。不過，三星和 SK 海力士都表示，智慧型手機和個人電腦對記憶體的需求，既沒有減少，也沒有增加。 報導引用市場人士說法，認為大摩對整個 DRAM 市場的前景過於悲觀，原因來自供供過於求。大摩在報告中強調，2025 年記憶體資本支出達到 1,000 億美元，是供過於求的原因之一。不過，考量到記憶體廠專注於 HBM 和企業級 SSD 等高價值產品，許多分析師認為 DRAM 供過於求的可能性較低。 另外，市場人士也將大摩對三星和 SK 海力士專注於 HBM 生產，將造成減少通用 DRAM 供應的說法駁斥為毫無根據。另外，還指該報告還忽略了不斷成長的 AI PC 和 AI 手機市場，因為它們使用的 DRAM 和 NAND Flash 快閃記憶體數量是一般產品的兩倍以上。市場人士還批評，大摩經常發出這些別用用心的負面報告，直到整個市場真正低迷為止。 9/17.受益AI市場成長和IT設備市場復甦，全球晶片需求強勁，韓國8月晶片出口額年增37.6%至119億美元，連10個月呈現兩位數成長，其中，因DRAM季度均價持續走揚，加上高頻寬記憶體HBM等高價值產品需求擴大，記憶體晶片出口額暴增71.7%至73億美元。外媒報導，南韓科學技術資訊通信部13日公布最新數據，資通訊ICT產品出口連第10個月增長，出口額年增28.5%至206億美元，ICT產品進口年增5%至116億美元，該領域貿易順差高達89.6億美元。 9/6.台積電生態系與聯盟管理主管Dan Kochpatcharin5日在「SEMICON Taiwan 2024」半導體展上宣布，三星電和台積電正在共同研發一款無緩衝的HBM4晶片。分析師指出，這是台積電和三星電首提及HBM合作。 9/6.前三星高層崔珍奭（66歲）因涉嫌將三星開發的核心晶片技術—20奈米製程資料洩漏給中國，再度遭拘留，此舉凸顯南韓在打擊產業間諜與放緩中國取得晶片製造進展的努力。 ***9/6.趕在美國追加制裁前，中國狂買韓國半導體。據南韓《朝鮮日報》日文電子版報導:今年上半年三星電、SK海力士於中國市場營收倍增，因中美衝突加上半導體需求低迷，過去3年三星、SK 海力士在中國的銷售續減少，今年卻逆轉增加。 據報導，美國進一步收緊對中國制裁，及在中國智慧型手機需求復甦之前，推動中國狂買韓國半導體。以三星中國營收觀察，半導體佔大宗、達90%以上，其他為智慧手機、家電等產品，因此帶動中國市場在今年上半年佔三星整體營收比重攀升，從21.74%擴大至30.81%。報導指出，今年上半年三星中國市場營收32.3兆韓元(約新台幣7775.9億元），年大增近1倍。SK海力士上半年中國市場營收達8.6兆韓元（約新台幣2068.9億元），年倍增，主因中國智慧手機廠大採購記憶體產品，加DRAM、NAND Flash價格漲，推升業績成長。 8/26.友達宣布將處分台南市安南區及台中市后里區的廠房，總交易金額新台幣81億元，買家為美商台灣美光記憶體公司。交易金額:台南廠新台幣74億元，台中廠新台幣7億元。由友達代子公司友達晶材出售， 8/19.南韓科技大廠三星（Samsung）在高頻寬記憶體（HBM）領域明顯落後對手，而現在三星也將注意力轉向下一代記憶體，押注CXL DRAM（動態隨機存取記憶體）將成為AI領域新寵兒。CXL的意思是「快速連接和運算」，透過堆疊DRAM製成，連接CPU（中央處理器）、GPU（圖型處理器）等多個半導體裝置，加速運算處理的技術，每台伺服器的記憶體容量相較於不使用CXL時，可增加多達10倍。 8/15.AI計算所需「高頻寬記憶體HBM」市場正在快速擴大。SK海力士領先，一直處供不應求狀態。為在預計傳輸速度提高4成新一代産品領域守住陣地，SK海力士將與台積電進行合作。開發落後三星電則以資金為武器嘗試逆襲。 8/11.由於全球第二大記憶體製造商SK海力士，供應給輝達的高頻寬記憶體（HBM）晶片，由台積電進行封裝，使得今年上半年南韓對台灣記憶體晶片出口暴增225%。《韓國先驅報》（Korea Herald）報導，南韓產業通商資源部和韓國貿易協會11日公布數據顯示，南韓上半年出口到台灣的記憶體晶片金額達42.6億美元，比去年同期增加225.7%，遠高於南韓整體記憶體出口88.7%的增幅。 8/8.集邦咨询：英伟达2025年推Blackwell Ultra、B200A，将拉升HBM3e 12hi消耗比重至40% 据TrendForce集邦咨询最新HBM报告，随着AI芯片迭代，单一芯片搭载的HBM容量也明显增加。NVIDIA目前是HBM市场的最大买家，预期2025年推出Blackwell Ultra、B200A等产品后，其在HBM市场的采购比重将突破70%。 8/7.南亞科7月營收為新台幣27.45億元，月減18.37%，年增12.7%為近9個月來低點。調整後每股盈餘eps虧損0.26元；累營收221.69億元，年增39.53%。 8/7.旺宏自結7月份合營收24.1億元，月增10.5%、年增10.3%，創近10個月以來新高。前7月合營收為新台幣146億元，年減少約12.5%。 8/7.傳三星8層HBM3E晶片通過輝達測試 內部爆實情：與事實相去甚遠 8/6.美國商務部6日表示，計劃向南韓SK海力士提供高達4.5億美元補助，及5億美元政府貸款，資助印第安納州的先進封裝工廠和人工智慧產品研發設施。今年4月，全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士表示，將投資約38.7億美元建造該工廠，其中包括一條先進的晶片生產線，用於批量生產下一代高頻寬記憶體晶片，目前該晶片用於圖形晶片領域。 8/5.集邦:隨市場需求看漲、供需結構改善、價格拉升、HBM崛起，預計2024年的DRAM記憶體、NAND快閃記憶體行業收入將分別大幅增加75％、77％，2025年增速有所回落但依然會分別有51％、29％。 集邦:DRAM記憶體晶片均價2024年將漲53％,營收將達907億美元;2025 年將續漲35％營收達1365億美元,創近十年來新高。DDR5在2024、25年伺服器記憶體出貨容量中佔比預計分別達到40%,60-65%,LPDDR5/5X在筆電記憶體中佔比分別可達50%,60% ，都有助整體價格拉升。 HBM崛起是股重要力量，尤其是在AI強勢推動下，預計2024年出貨容量可貢獻整體5％，收入則佔20％。 NAND快閃記憶體:預計2024年行業收入674億美元,2025年可達870億美元，同樣是近十年來新紀錄。 QLC雖大家都看不上，但普及是必然，AI伺服器已經開始大量採用企業級QLC SSD，預計2024年出貨容量佔比可達20％。智慧手機UFS儲存也會逐漸引入QLC，中國廠商預計今年底就開始，蘋果則預計2026年。 8/6.威剛7月營收為30.54億元，月增3.38%、年增34%；今.前7月營收達239.64億元，年增46.5%。威剛看好公司下半年整體出貨表現可望逐季回溫 8/4.韓媒《BusinessKorea》報導:SK海力士將在美加州舉行記憶體展「FMS 2024」上，展示其新一AI記憶體產品，其中包括第5代12層HBM3E及321層NAND記憶體 8/3.中美地緣政治緊張局勢，美對中實體實施許多出口限制和制裁，現在可能擴及南韓高頻寬記憶體HBM晶片，韓媒Sammobile指出，這將會嚴重打擊三星在人工智慧產品的搖錢樹。 7/31.全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士30日推出新一代GDDR7圖形記憶體晶片，在運行速度和功效方面擁有業界最出色的性能，每秒可處理300部高清電影，速度提高60% 能源效率提高50%;公司表示將於第3季開始量產;在GTC與電腦展都展出原型， 7/30.SK海力士26日宣佈投資約 9.4兆韓元68億美元,在南韓龍仁市 蓋當地首間晶片廠。SK 海力士在監管文件中表示，這項投資旨在滿足對 AI 半導體的需求，並確保未來的成長。據了解，這座占地 420 萬平方公尺的廠區最終將容納該公司計劃中的四家生產下一代半導體的晶片工廠，以及 50 多家晶片行業的小型本地企業。在此之前，該公司於今年 4 月公布了一項計畫，將投資約 38.7 億美元，在美國印第安納州建造一座先進封裝廠和 AI 產品研發設施。 7/25.SK海力士25日季財報:營收增1倍，獲利創2018年來最高，SK海力士預估，下半年AI晶片需求將進一步上升，如用於生成式AI晶片組的高頻寬記憶體HBM，資本支出也可能超過先前計劃。SK海力士是輝達提供用於訓練AI模型晶片的主要合作夥伴，SK海力士報告顯示，高頻寬記憶體收入飆升超250％，帶動單季營收達創紀錄16.4兆韓圜（約新台幣4252.5億元），優於預期；營業利潤也超預期達到5.47兆韓圜（約新台幣1418.8億元），較去年同期2.9兆韓圜（約新台幣751.9億元）虧損明顯復甦 SK海力士表示，公司將在本季批量生產下一代12層HBM3E晶片，進而在設計、供應為輝達AI加速器提供動力的高階記憶體方面，擴大與競爭對手三星（Samsung）、美光（Micron）的領先優勢。SK海力士提到，HBM3E將佔今年所有HBM晶片銷量的一半左右。SK海力士仍然是這波AI浪潮的主要受惠者，公司在5月時曾透露，到2025年的HBM晶片產能幾乎已經售罄，反映出SK海力士正在擴大對三星的領先優勢。這也幫助SK海力士從年初到7/24日收盤漲47％。 彭博資訊分析師若杉政寬表示，由於DRAM、NAND平均價格回升，SK海力士Q2營業利益率可能達37-40％，SK海力士在HBM領域主導的市佔可能會進一步提升營業利益率。由於季節性需求增加，SK海力士預計DRAM和NAND的出貨將在Q3連續成長，由於公司正在擴大HBM產能，預計下半年營收將繼續成長。 7/25.三星有救了？HBM3通過輝達測試 僅能用於中國降規版晶片 7/22.集邦針對記憶體產業發表最新報告指出，受惠於位元需求成長、供需結構改善拉升價格，加上HBM（高頻寬記憶體）等高附加價值產品崛起，預估DRAM及NAND Flash產業今年營收年增將分別增加75%和77%，2025年產業營收將持續維持成長，DRAM年增約51%、NAND Flash年增29%，將創史新高，且推動資本支出回溫，帶動上游原料需求，唯記憶體買方成本壓力將隨之上升。 集邦估計，預估DRAM均價在2024年增53%、2025年增加35%，此條件下，將進一步推升2024年DRAM營收達907億美元、年增75%，2025年達1365億美元、年增51%。 集邦表示，記憶體產業營收創紀錄，原廠將有足夠現金流加速投資。預估2025年DRAM、NAND Flash產業資本支出分別年增25%、10%，且有機會上修。此外，記憶體生產規模提升將帶動對矽晶圓、化學品等上游原料需求，但相反的，記憶體價格上漲將增加電子產品成本，ODM/OEM業者較難完全將成本反映在零售價上，利潤勢必將被壓縮，終端銷量也可能受到壓抑，導致需求下滑。 集邦表示，驅動DRAM營收增長有四因素，包括HBM崛起、一般型DRAM產品世代演進、原廠資本支出限縮供給和Server需求復甦。相較一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高產業平均價格。預估2024年HBM將貢獻DRAM位元出貨量5%、營收20%。 此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加價值產品的滲透同樣有助提高平均價格。集邦估計，DDR5將分別貢獻2024、2025年伺服器DRAM位元出貨量40%、60-65%。LPDDR5/5X會貢獻2024、2025年mobile DRAM位元出貨量50%和60%。 集邦估計NAND Flash營收:2024年將達662億美元、年增77%；2025年營收將達786億美元、年增29%,主因:在大容量QLC Enterprise SSD崛起、smartphone採QLC UFS、原廠資本支出限縮供給和server需求復甦等4項因素帶動下; 此外，北美雲端業者CSPs已開始在inference AI server大量採用QLC enterprise SSD，尤其是大容量規格。集邦預估，QLC將貢獻2024年NAND Flash位元出貨量20%，此比重2025年將再提升。在智慧型手機應用，QLC預計逐步滲透UFS市場，部分中國smartphone業者預計於2024年第四季起採用QLC UFS方案，Apple則預計2026年開始導入至iPhone。 7/10.南亞科Q2財報:營收99.2億元季增4.4%年增41%，第二季DRAM平均售價季增低十位數百分比，銷售量季減中個位數百分比。營業毛利2.87億元(含地震損失提列6.57億元）。毛利率2.9%，較上季改善5.8個百分點，並轉正數,近6季首轉正,營業淨損23.2億元,業外收入10.47億元挹注,稅後淨損8.1億元,eps-0.26元 ,連7季虧損，但較上季eps-0.39元收斂。 7/5.利润增速创近年新高！三星电股价刷新年内高点,AI热潮推动芯片业务增长，三星电子二季度利润增速为近年来最快，且高于市场预期。三星电二季度财报:利润升至10.4万亿韩元（约合75.4亿美元），超出8.3万亿韩元预期，较去年同期6700亿韩元猛增。受此影响，三星电子股价早盘涨1.7%，刷新年内高点。 7/5.記憶體模組廠十銓4967:6月營27.96億元月增6%年增49%,單月營收史新高;Q2營收74.77億元,季增近2.5倍;上半年營收104.7億元年增44.9%,也創歷年同期新高。十銓:6月營收創新高，主要受惠B2B專案及AI PC熱潮帶動PC、NB需求，資料中心和伺服器需求續發酵，整體營運動能續強。十銓 T-FORCE 產品線 DDR5銷量已超過DRAM產品總銷售5成，技術層面主攻高階記憶體產品，無論在AI，電競及工控應用，十銓均已得市場先機，營運表現可期。 十銓:AI基礎建設與邊緣運算技術發展續成長，展望2024下半年及2025年市況，記憶體原廠在AI伺服器與傳統伺服器巿場應仍續漲，但第三季在零售通路需求應為持平狀態，DDR4預計會維持在現有價位，DDR5因原廠供給量不足，價格仍會續微揚，消費級人工智慧應用將會於今年第四季後，隨著AI PC/NB/Mobile 陸續推出，預計屆時將帶動終端需求上揚。 7/4.隨記憶體價量齊揚，記憶體廠南亞科（2408）、華邦電（2344）目前不再像去年減產，生產已恢復正常，市調機構與供應鏈指出，第三季記憶體出貨量將持續回溫，目前記憶體廠產能利用率部分已達九成到滿載水位，高過成熟製程的晶圓代工廠六成到七成產能利用率。 7/3南亞科上半年營收194.24億元 年增44.4％(南亞科6月營收33.6億元月增0.35%年增36.8%，創今年單月營收次高,第二季營收99億元季增4.4%，主要因受403強震衝擊晶圓報廢等影響，致使營收低於預期，營運仍有壓力，預期下半年隨著市況好轉，營運將逐季改善，第三季有機會轉虧為盈)。 7/2.TrendForce:隨著伺服器和AI晶片，如高頻寬記憶體晶片HBM需求增，預計7-9月DRAM晶片的平均銷售價格將比上一季上漲8％至13％。 TrendForce指出，整體消費DRAM市場持續呈現供過於求局面，但由於HBM產能緊張，三大供應商顯然有意提高價格。HBM產品使用的晶圓數量大約是一DRAM晶片3倍。傳統DRAM的價格預計將上漲5%至10%，與第2季的漲幅相比略有收縮。 全球三大頂級晶片製造商一直競相擴大在新興HBM市占，該晶片被認為對於加快人工智慧應用的數據處理速度至關重要。全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士目前在新興市場中處於領先地位，到2023年將佔據約53%的市佔。AI熱潮也推動對NAND快閃記憶體晶片需求，特別是在企業對資料中心等IT基礎設施進行大規模投資的情況下，企業用大容量固態硬碟晶片預計今年第3季將成長15%至20%。 TrendForce預計今年全球NAND Flash市場將成長74%。據了解，AI資料中心所需的伺服器容量是一般資料中心的20倍，AI領域的上升趨勢預計將帶動大容量SSD的訂單。 今年第一季，三星電子以47.4%的市佔率位居企業級SSD市場榜首，其次是SK海力士及其美國子公司Solidigm，市佔率30.4%。美光以9.9%市佔排名第3，鎧俠和西部數據分別佔8.7%和3.6%。 7/1.SK海力士5年內將投資約750億美元　8成用於HBM 6/26.記憶體封測廠華東8110外資連6買，今股價開高走高漲停， 6/24.2024集邦咨询半导体产业高层论坛上，集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示，晶圆厂产能利用率迅速提升，HBM产值占比将升至30%;AI服务与云端应用带动高效能运算芯片需求强势增长，让先进工艺发展成为半导体市场关注焦点。8英寸、12英寸晶圆厂摆脱去年低迷市况，2024年产能利用率迅速提升。在区域竞争背景下，各国续祭出优渥的补贴政策吸引晶圆厂前往当地设厂，其中美国、日本、甚至欧洲都积极布局先进工艺产能。另据预测，HBM在DRAM总产值占比将从去年约一成提升到2025年超过30%。 6/13.集邦:第二季DRAM合約價季漲估達13％~18％(第一季DRAM產業受主流產品合約價走揚、漲幅季增,帶動營收季增5.1%,至183.5億美元，推動多數業者營收延續季增趨勢。 集邦:Q1三大原廠出貨量皆季減，反映產業淡季效應，下游業者庫存水準已墊高，採購量明顯衰退。平均銷售單價，也延續前季合約價上漲氛圍，再加庫存仍處健康水位，漲價意圖強烈。其中，中系手機銷售暢旺，帶動mobile DRAM的價格漲幅領先所有應用，消費型DRAM原廠庫存仍待去化，拖累價格漲幅居所有應用最少。 三星:Q1營收微增至80.5億美元季增1.3%,市占小滑1.6bp至43.9%,仍維第一;售價季增約20%,抵銷位元出貨量中個位數季減,以價補量明顯。 SKhynix:Q1營收57億美元,季增2.6%,市占小滑0.7bp至31.1%第二;售價季增約20%，抵銷位元出貨量中個位數季減幅，結構與三星相同。 美光:Q1營收39.5億美元季增17.8% ,市占升2.3bp至21.5%第三;售價季增約23%,位元出貨量僅季減4-5%,優於前兩大同業,除本季價格策略較積極外,server DRAM出貨受惠於與美系大客戶訂單，表現相對穩健。 第二季三大原廠預估的出貨量將分別為，三星出貨量成長低個位數至高個位數幅度、SK hynix季增中個位數的幅度，美光小幅季減。 台系廠，南亞科Q1在價格回升帶動備貨動能,消費型DRAM終端銷售動能回升較緩等需求消長影響,Q1出貨量為低個位數季增幅,ASP高個位數季增幅，營收季增10.5%至3.02億美元。 華邦電Q1尚未調漲合約價，客戶提前備貨，在出貨端表現不俗，帶動營收季增21.6%至1.6億美元。 力積電Q1營收:主為其自身生產消費DRAM產品，不包含DRAM代工業務，雖產用率漸恢復，但由於部分出貨以低價DRAM產品為主，加年節生產、出貨天數少等，第一季DRAM營收季減28.2%到0.28億美元。 6/11.人工智慧需求爆增，加上過去2年資本支出不足，DRAM市場正迎來前所未有的「超級週期」。大摩預計，到2025年，HBM的供應不足率為-11%，在記憶體將出現前所未來的供需失衡，價格將跟著水漲船高，預估記憶體價格在2024年每季將呈現2位數飆漲，而第3季報價季增上看15%。大摩進一步指出，從2025年開始，智慧手機和個人電腦的人工智慧升級週期可能需要額外的DRAM產能，預計市場屆時將面臨嚴重的供應短缺，HBM的供應不足率為-11%，整個DRAM市場的供應不足率為-23%。 6/8.南韓SK集團會長崔泰源帶領SK海力士主管日前搭乘專機拜會台積電新任董事長魏哲家，雙方同意加強AI晶片合作；台積電證實有此事，但不願說明雙方商談內容。業界解讀，下世代HBM4（第六代高頻寬記憶體）爭霸戰即將展開，三大記憶體廠誰與台積電合作最密切，可望取得市場最勝算機會；目前在高頻寬記憶體，SK海力士領先南韓三星、美國美光，三星與美光也正努力追趕中。 6/3.产业链更新全面加速！英伟达宣布“一年一迭代:HBM4存储器和3.2T光模块，或在2026年成为主流。 6/2.黄仁勋：将于2026年推出下一代AI平台Rubin，将采用HBM4内存 6月2日，黄仁勋介绍芯片产品年度升级周期计划。黄仁勋表示，英伟达打算每年都升级AI加速器/AI芯片，2025年将推出Blackwell Ultra，2026年开发下一代平台叫Rubin（2027年将推Rubin Ultra）。Rubin AI平台将采HBM4记忆芯片。 5/31.三星電子（Samsung）工會預計於6月7日展開罷工，市調機構集邦科技預期，罷工事件應不會影響其動態隨機存取記憶體（DRAM）和儲存型快閃記憶體（NAND Flash）生產，也不會造成出貨短缺。 5/31，韩国统计厅公布的数据显示，4月份芯片库存年降33.7%，为2014年底来最大降幅。另据韩国科学技术信息通信部日前公布的数据，4月份芯片出口年增53.9%，其中存储芯片出口额年大增98.7%，当前主流存储芯片厂商已经开启涨价模式。 5/31.隨人工智慧發展，市場對記憶體晶片需求大增，南韓晶片出口也同步攀升。《彭博》報導，南韓今年第一季半導體出口成長優於市場預期，4月晶片庫存降幅也創十年以來最大。 根據南韓國家統計局週五公佈的數據顯示，4月晶片庫存年減33.7%，創2014年底來最大降幅。這也標誌著，南韓晶片庫存已連續第4個月下降；與此同時，南韓半導體出口回升 5/31.記憶模組大廠威剛 3260 陳立白:續看好DRAM市況，預期「五窮六絕」後，第三季DRAM價格將再啟動一波漲價，尤其DDR4可望掀起補漲，他預估漲幅將超過三成以上，威剛低價庫存至少可賣半年，獲利驚豔數字還在後面。 5/30.DRAM廠南亞科昨股東會，總經理李培瑛於會後受訪指出，DRAM市場景氣正逐漸復甦，國際三大廠繼減產後又將資源集中進攻高頻寬記憶體HBM，預期有助DRAM市況與價格逐季改善，整體產業趨於正面，南亞科第三季營運有機會轉虧為盈 5/24.路透：三星HBM芯片因发热问题而没能通过英伟达的测试:影响到三星HBM3芯片—这些第四代HBM标准的芯片当前主要应用在涉及AI图形处理方面，第五代HBM3E芯片也受到影响—三星和它的竞争对手们都在今年将这款产品推向市场。 5/24.路透：三星HBM晶片因發熱問題 未通過輝達測試 5/14.为满足不断增长的人工智能应用对高性能芯片的需求，三星和SK海力士已转换超过20%的DRAM产线为HBM产线，预计2024年DRAM和HBM价格将保持坚挺。 5/14.《CNBC》報導，全球最大記憶體晶片供應商之一的美光（Micron）和SK海力士（SK Hynix）日前都宣佈，今年的高頻寬記憶體（HBM）已售罄，明年的產能也幾乎賣光。晨星（Morningstar）股票研究總監伊藤和典（Kazunori Ito）在報告中指出，預計2024全年記憶體供應將持續緊張。 5/13.NAND價格急拉恐致泡沫化　群聯保留300億元庫存轉攻高價值應用 (NAND Flash價格持續調漲，對消費型NAND儲存需求造成衝擊，群聯執行長潘健成表示，若市場價格短期內急速上升，將可能抑制終端搭載NAND儲存容量，進而導致泡沫化危機) 5/9.AI重塑PC产业链：微软开启战场，高通、英特尔、AMD混战CPU，内存最为受益;摩根士丹利研报称，要在PC设备上正确运行Copilot，人工智能PC需要配备每秒45万亿次操作（TOPS）的计算能力，而这将驱动CPU和内存的升级。其中内存将成为关键，预计32GB内存将成为人工智能PC的默认配置，人工智能PC不断提高的渗透率也将加剧内存的供不应求。 5/7.集邦科技（TrendForce）最新預估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發生前，TrendForce原先預估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出，現貨價已連走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況 5/7.美光科技交流会上，美光透露出一条重磅消息，在HBM产能不足背景下，业内已越来越倾向于定制化的HBM产品，主要是因为下游客户越发个性化的需求。上个月海力士在其博客中也提到将于2026年推出更趋向于专业化（Specialized）和定制化（Customized）的HBM4产品。 5/6.AI快速發展，記憶體已成為市場關注的焦點，而三星和SK海力士誰才是這場賽式的領導者？專家一致認為，SK海力士不僅在HBM3市場領導者，同時也是輝達該晶主要供應商，另與台積電合作開發HBM4再度領先，加上，他是純粹記憶體公司，基於這3大要點，SK海力士將大勝三星。 CNBC報導，人工智慧的供應鏈非常廣泛，範圍從人工智慧圖形處理單元的生產商到印刷電路板，隨著AI的發展，記憶體尤其成為人們關注的焦點。例如，Nvidia的H100 圖形處理單元中使用了高性能和頻寬的記憶體。GPU是大多數生成式 AI 工具的基礎，而Nvidia的GPU在市場上佔據主導地位 5/6.威剛4月營收達38.5億元，雖較上月39.75億元下滑，但年增逾8成，創歷年同期新高，前4月營收147.3億元，年增逾5成。威剛表示，目前上游供應商正積極將產能配置與投資重心轉向高頻記憶體HBM，加上整體產業庫存水位相當健康，預期第二季DRAM及NAND Flash合約價仍將續上揚格局，並推動公司整體毛利率續增長 5/4.十銓4967(記憶體模組廠)Q1財報:營收29.9億元，年增90.77%，稅後淨利2.87億元，eps4.1元，創單季史新高(去年全年eps3.38元)。 展望後市，十銓佈局高階產品有成，DDR5出貨占比續攀升，近幾年在工控及B2B領域積極耕耘，成功擴展集團經營版圖，在產業淡季仍能逆勢成長，預期下半年即將進入電子傳統旺季，需求開始逐漸回溫，市場供給仍緊縮，進而推升記憶體價格，有望呈現價量齊揚，為營運帶來另一波動能。十銓表示，看好AI運算與Edge運用，公司逐步將研發拓展到AI人工智慧技術應用，整合產業資源進行產品佈局，預估AI浪潮將會掀起往後15-20年以上的產業榮景及換機潮，十銓將推出輔助人工智慧AI功能的 PC /NB相容的規格，與實現Edge AI巿場運用快速發展的產品，未來產品動能成長爆發可期。 5/3.台灣地震衝擊 伺服器DRAM價格Q2可望漲20％ 5/3.輝達疑煽動三星、SK海力士競爭 壓低HBM成本 5/2.HBM需求爆了！SK海力士“忙疯” AI储存芯片明年订单爆满,SK海力士连明年的HBM芯片的产能几乎都被订满后，选择斥资过百亿美元在美国和韩国继续建厂扩大产能。 4/30.三星電Q1(1~3月)財報:營收71.9兆韓圜約新台幣1.85兆元年增13％,記憶體晶片暴增96％達17.5兆韓圜約新台幣4519.4億元;營業利潤，從去年同期的6400億韓圜約新台幣165.3億元,增至6.6兆韓圜約新台幣1710億元，大幅超分析師預期5.63兆韓圜約新台幣1454.7億元，達2022年Q3來最高單季營業利潤;三星電為電子產品和AI提供動力的記憶體晶片,2023年半導體業務虧損高達14.9兆韓圜約新台幣3850億元,整體營業利潤創15年最低,2024年在嚴重衰退後正開始反彈,受惠AI研發推動,三星半導體自2022年來首復盈利,Q1營業利翻10倍,預期下半年AI強勁需求下,續推動記憶體晶片電子設備銷售。 4/27.HBM4,大战打响！HBM芯片目前占通用内存市场的15%，而去年这一比例为8%。SK海力士是占据AI GPU市场80%份额的Nvidia的HBM3 内存唯一供应商，并于3月份开始量产最新一代 HBM3E。美光和三星等竞争供应商正在开发自己的 HBM 产品，以阻止 SK 海力士主导市场。 围绕HBM，厂商们也都各出奇招!! 据SK hynix所说，目前，封装技术已超越“将芯片电气连接，并保护芯片免受外部冲击”的传统作用，而是成为实现差异化产品性能的重要技术。SK海力士HBM以硅通孔技术（TSV：Through Silicon Via）、批量回流模制底部填充（MR-MUF：Mass Reflow-Molded Underfill）先进封装工艺作为核心技术，赢得卓越市场声誉。SK海力士表示，AI存储领域的全球领导者与台积电的合作将带来HBM技术的更多创新。此次合作还有望通过产品设计、代工厂和内存提供商之间的三边合作实现内存性能的突破。两家公司将首先专注于提高安装在 HBM 封装最底部的基础芯片的性能。HBM 的制作方法是将核心 DRAM 芯片堆叠在采用 TSV（硅通孔）技术的基础芯片之上，并使用 TSV 将 DRAM 堆栈中的固定数量的层垂直连接到具有 TSV 的核心芯片，形成 HBM 封装。位于底部的基础芯片连接到控制 HBM 的 GPU。 SK海力士已使用专有技术制造高达HBM3E的基础芯片，但计划在HBM4基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺，以便可以将附加功能封装到有限的空间中。这也有助于 SK 海力士生产定制 HBM，满足客户对性能和功效的广泛需求。SK海力士和台积电还同意合作优化SK海力士的HBM和台积电的CoWoS（基板上晶圆芯片）技术的集成，同时合作响应常见客户与HBM相关的要求。“多年来，台积电和 SK 海力士已经建立了牢固的合作伙伴关系。我们共同努力，整合最先进的逻辑和最先进的 HBM，提供世界领先的人工智能解决方案 。”台积电:“展望下一代 HBM4，我们相信我们将续密切合作，提供最佳集成解决方案，为我们共同客户开启新人工智能创新” 和SK Hynix不一样，在HBM封装上，三星采用的TC-NCF（thermal compression with non-conductive film），也就是非导电薄膜热压缩。 从技术上看，这是一种与MR-MUF略有不同的技术。在每次堆叠芯片时，都会在各层之间放置一层不导电的粘合膜。该薄膜是一种聚合物材料，用于使芯片彼此绝缘并保护连接点免受撞击。随着发展，三星逐渐减少了 NCF 材料的厚度，将 12 层第五代 HBM3E 的厚度降至 7 微米 (μm)。该公司表示：“这种方法的优点是可以最大限度地减少随着层数增加和芯片厚度减小而可能发生的翘曲，使其更适合构建更高的堆栈。” 在2月宣布“Advanced TC-NCF”技术。该技术可以减少 TC-NCF 工艺中必要薄膜的厚度，从而在保持 HBM 高度的同时增加半导体层数。 SK海力士在第二代HBM前也使用NCF ，但从第三代（HBM2E）开始改用MUF（特别是MR-MUF）。分析人士更是认为MUF是SK海力士能够在HBM市场脱颖而出的原因; 台积电的最新封装技术助阵 在北美技术研讨会上，该公司推出了下一代晶圆系统平台——CoW-SoW——该平台将实现与晶圆级设计的 3D 集成。该技术建立在台积电 2020 年推出的 InFO_SoW 晶圆级系统集成技术的基础上，该技术使其能够构建晶圆级逻辑处理器。到目前为止，只有特斯拉在其 Dojo 超级计算机中采用了这项技术，台积电表示该计算机现已投入生产;在即将推出的 CoW-SoW 平台中，台积电将在其晶圆系统平台中合并两种封装方法——InFO_SoW 和集成芯片系统 (SoIC)。通过使用晶圆上芯片 (CoW) 技术，该方法将能够将存储器或逻辑直接堆叠在晶圆上系统之上。新的CoW_SoW技术预计将在2027年实现大规模生产，但实际产品何时上市还有待观察。据了解，台积电的CoW-SoW专注于将晶圆级处理器与HBM4内存集成。这些下一代内存堆栈将采用 2048 位接口，这使得将 HBM4 直接集成在逻辑芯片顶部成为可能。同时，在晶圆级处理器上堆叠额外的逻辑以优化成本也可能是有意义的。 ***4/25.美國計劃向美光提供61億美元補助和最多75億美元貸款，扶植這家記憶體晶片製造商在美國建設三間新廠，兩間位於紐約州、一間位於愛達荷州，貸款與補助總額高達136 億美元，這是旨在促進美國晶片生產的立法所授予的最新一筆資金。 美國官員周四表示，這筆政府撥款將推動美光未來20年在紐約州與愛達荷州投資約1,250 億美元，其中約 500 億美元最慢將 2030 年到位 4/25.美光25日推出232層QLC儲存NAND記憶體,將整合至部份Crucial消費型SSD產品中，目前 Crucial SSD已正式量產並向企業儲存裝置客戶出貨，美光2500 NVMe TM SSD則已向PC製造商送樣，展現美光在NAND技術上的持續領先地位。 NAND快閃記憶體技術包括SLC、MLC、TLC、QLC，企業級儲存產品採QLC技術增多。美光表示，232層QLC NAND具備業界領先的位元密度，較競爭對手最新產品高28%，領先業界的2400 MT/s NAND介面數據傳輸速度 ，相較前一代產品提高50%，讀取效能較前一代產品提升4%，程式設計效能較前一代產品提高31% 4/25.称存储芯片市场步入全面复苏:SK海力士Q1財報:销售12.43兆韩元，分析师预期12.11兆韩元;运营利润2.9兆韩元，分析师预期1.8兆韩元;净利润1.9兆韩元，分析师预期0.92兆韩元;营业利润率为23%，净利润率为15%，毛利率为39%预计二季度DRAM B/G季环比增幅将处于10%-20%区间中部。NAND业务在一季度出现实质性的转折。相信（NAND业务）已进入一个显而易见的反弹状态。预计二季度NAND B/G季环比将持平。预计传统DRAM市场将从下半年开始复苏。预计2024年资本开支将在一定程度上超过公司原来计划。上周五表示已与台积电签署了协议，合作生产下一代高带宽内存HBM4芯片。 4/24.至去年12月,SK海力士已成韩股第二大市值公司,今年,随投资者押注AI及IT投资将从低迷中复苏，SK海力士股价又涨27%;SK海力士公司计划投资约146亿美元(约20兆韩元)在韩国清州市建设一座新存储芯片工厂,4月底启动新工厂建设,预计将2025年11月完工 ;SK海力士预计:随数据中心增加，未来几年HBM芯片的需求将每年增长60%。因此，SK海力士正在全球扩展生产和研发基地,以满足未来AI市场对存储芯片需求快速增长。除在韩国扩展，SK海力士还计划在美印第安纳州投资39亿美元建立一个高端封装工厂和AI产品研究中心。此外，公司在韩国龙仁半导体集群也有大规模投资计划，预计将长期投资约120万亿韩元。SK海力士计划于2025年3月开始建设龙仁第一个芯片厂，在2027年5月完成。作为高带宽存储器HBM芯片领导者，SK海力士正努力维持其优势，目前SK海力士在HBM市场供应已领先三星电，且公司提供芯片与英伟达设计加速器配合良好,而三星已承诺将集中其强大资源，以追赶高端存储器市场。 4/24.根据外媒报导，三星已经与处理器大厂AMD 签订价值30 亿美元的新协议，将供应HBM3E 12H DRAM，预计会用在Instinct MI350 系列AI 芯片上。在此协议中，三星还同意购买AMD 的GPU 以换取HBM 产品的交易，但是具体的产品和数量暂时还不清楚。 ***4/24.群聯讓AI變平價了！aiDAPTIV+700億參數只要150萬台幣，開發背後全因輝達這件事？ 4/17.記憶體模組廠宇瞻8271去年每股稅後盈餘4.51元，董事會今決議，擬每股配3.15元現金股利，以今收盤價69.8元計算，現金殖利率4.51%。宇瞻第一季財報，營收19.46億元，毛利率近2成，營業利益1.4億元，稅後淨利1.17億元，每股稅後淨利0.94元，為近9季以來新 4/16.隨半導體市況復甦，日本晶片製造商鎧俠（Kioxia）傳，最快在今年內東京證券交易所IPO。 4/16.AI賽道下1個明星內存晶片開戰！美光日前才剛宣佈LPDDR5X存儲晶片，速度可達9.6Gbps，三星週三馬上反擊公告稱，公司開發出了「業界最快」的LPDDR5X存儲芯片，速度達到10.7Gbps，並在內存容量、能耗等指標上也刷新了業界標準。隨着人工智慧應用的戰場，逐漸從網頁端大模型滲透到“AI PC”和“AI手機”，1場圍繞着移動端高速內存的戰爭已經打響 4/15.隨著AI浪潮席捲，南韓半導體大廠SK海力士公司股價今年迄今屢攀新高。Businesskorea:除公司股價外，SK海力士外國投資人持股比例也創歷史新高。至4月12日，外國投資者對SK海力士的持股比54.9%，創史最高，較2023年同期（約49%）相比，顯著成長逾5% 4/10.以整體DRAM市場來看，三星雖穩居領先，不過SK海力士正努力追趕。市場研究公司Omdia先前報告顯示，去年Q3，三星在DRAM市占率為39.4%，SK海力士35%居次。今年3月，輝達發表新款AI晶片，SK海力士隨後表示，已開始量產最新款HBM晶片「HBM3E」，首批出貨將給輝達。SK海力士指出，該公司是全球首家HBM3E供應商，成功量產距離去年8月首度宣布將開發HBM3E，僅隔了7個月，預期將幫助鞏固在AI記憶體領域的主宰地位。 由於技術超前，SK海力士被輝達欽點為標準化（standard-setting）AI加速器所需之HBM供應商。 有輝達的加持，加上技術超前，市場瘋買SK海力士股票，該公司股價從去年初迄今已升120%，市值不僅衝高至119兆韓元，且搖身一變，成為韓國第2大上市公司。 《路透》則指出，隨著生成式AI日益普及、HBM的需求成長，三星顯然沒有拿到為AI晶片先驅輝達供應HBM晶片的生意，競爭不過SK海力士和美光。三星落後的原因之一，是堅持採用非導電膠膜（NCF）的晶片製造技術，導致生產出現問題；海力士則改用批量回流模制底部填充（MR-MUF）的方法來解決NCF的弱點。不過據悉，三星最近已下單採購用於MUF技術的晶片製造設備。消息人士指出：「三星採用MUF技術，有點像是放下自尊，因為終究不得不追隨SK海力士率先使用的技術。」多位分析師透露，三星的HBM3生產良率約為10至20%，而SK海力士HBM3良率則高達60至70%。3月26日，SK海力士傳出計畫投資40億美元在美國印第安那州蓋1座先進晶片封裝工廠，可能在2028年開始運作。晶片產業顧問公司SemiAnalysis 首席分析師帕特爾（Dylan Patel）表示：「SK海力士工廠將成為美國第一家大規模HBM封裝的主要工廠。」根據研究機構 SemiAnalysis說法，SK海力士的工廠有望成為全美首座HBM大規模封裝廠。最新估計顯示，SK海力士的HBM位元市占約為73%，三星居次、22%。SK海力士和三星有大半產能集中在中國，中國同樣也是兩間公司主要的海外市場。由於美國的打壓，兩間公司苦不堪言，在供貨上也受到許多限制。 4/10.群聯3月營收67.75億元，月增45%年增達72.6%，第一季營收 165.3億元季增4.9%年增63.97% ；受惠NAND原廠積極調漲價格，加客戶拉力道強勁，推升群聯3月營收刷史新高，第一季也改寫同期次高,3月 SSD控制晶片總出貨量年增達96%，其中，PCIe SSD控制晶片總出貨量年增更達176%，為史單月新高，第一季 NAND儲存位元數總出貨量年增 (Bit Growth Rate) 也達80%，同期新高，顯示整體市場需求緩步回升趨勢; NAND 原廠自 2023 年第三季中期開始啟動漲價策略至今，NAND 原廠的獲利水準已漸恢復正常，開始穩定 NAND 價格，並依據市場需求緩步的調升產能利用率，以滿足近期在各種 NAND 儲存應用的需求回溫，如伺服器、嵌入式系統、車用電子等。 消費型零售 (Retail) SSD 市場部分，因為近期客戶已經逐漸回補庫存，短期需求可能趨於穩定;群聯持續擴大布局 PCIe 5.0 高速傳輸產品線，包含 PCIe 5.0 Retimer/Redriver IC、PCIe 5.0 SSD 儲存方案、車用儲存、企業級 SSD、及『aiDAPTIV + 技術方案』等，都持續成長、擴大市佔，其中企業級 SSD 與車用儲存方案需求相對強勁，預期對公司未來營收貢獻度將有顯著成長。 4/8.威剛3260(記憶體模組)營收: 3月39.8億元月增19%,年增56.6% ,第一季營收108.8億元,年增50.9% ；受惠DRAM、NAND 記憶體價強勢漲，加客戶備貨需求，威剛3月營收14年來單月次高，第一季同期次高。 威剛表示，在上游供應商控制產出與調整產能配置下，目前記憶體市況仍賣方主導，看好價格向上走勢可望一路延續至今年第三季，公司整體營運表現也將水漲船高 4/1.通路需求未見起色　DRAM現貨價2Q回跌湧雜音 3/28.三星擊敗群雄 可望獨家向輝達供應HBM3E 3/28.研調：第二季NAND Flash合約價估季漲13~18％ 3/27.美股三星計畫今年HBM產量增加兩倍 引領 AI 晶片時代,3/26.加州聖荷西舉行全球晶片製造商聚會 Memcon 2024 上，三星公司執行副總裁兼 DRAM 產品和技術主管 Hwang Sang-joong 表示，他預計該公司將增加 HBM 晶片產量今年產量是去年的2.9倍;Hwang 在 Memcon 2024 上說：「繼第三代 HBM2E 和第四代 HBM3 已經量產後，我們計畫在今年上半年，大批量生產 12 層第五代 HBM 和 32GB 128GB DDR5 產品。」「透過這些產品，我們期望增強我們在人工智慧時代高性能、大容量記憶體領域的地位。」三星公布了 HMB 路線圖，預計 2026 年 HBM 出貨量將是 2023 年產量的 13.8 倍。 到 2028 年，HBM 年產量將進一步增至 2023 年水準的 23.1 倍。在會上，三星向與會者展示了最新的 HBM3E 12H 晶片—業界首款 12 堆疊 HBM3E DRAM，標誌著 HBM 技術有史以來最高容量的突破; 3/27.HBM 有望成「記憶體循環之母」，美光股價月飆 30% 3/26.集邦最新報告:供應商雖欲積極拉高合約價，但因需求能見度仍不佳 ，預估第二季DRAM價格漲幅將收斂至3~8%，不如第一季漲幅15%-20% 3/24.外媒報導，韓國記憶體大廠 SK 海力士最近乘著人工智慧（AI）和高效能計算（HPC）市場需求大增的情況下，憑藉著旗下 HBM 和 DDR5 產品，近期快速地走出了2023 年記憶體市場萎靡陰霾，並期待著有更大的發展。因此，新一階段的擴產行動正式展開。ComputerBase 報導表示，SK 海力士預計至少斥資 120 兆韓圜（約合 907 億美元）的資金，在位於韓國京畿道中部的龍仁市建設新的半導體生產園區，其中包括四座獨立的晶圓廠，目前正在做開工前的準備工作，而準備工作已完成了三分之一。報導指出，SK 海力士早在 2019 年就宣布了建造全球最大晶片生產設施的計畫。不過，因為各種原因延誤了計畫之後，最終在 2022 年與韓國中央及地方政府達成協議，讓計畫有了新的進展。 3/22.美光CEO Sanjay Mehrotra3/20.财报会:美光今年HBM产能已销售一空，2025年绝大多数产能已被预订。2月26日，美光官宣开始批量生产HBM3E高带宽内存，其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达，并将应用于英伟达H200 Tensor Core GPU。这款产品将于第二季度发货。事实上，美光也同时将供货给英伟达下一代AI加速卡B100相应的HBM3E产品。美光官宣进英伟达供应链，Mehrotra说，AI服务器需求正推动HBM DDR5和数据中心SSD快速成长，这使得高阶DRAM、NAND供给变得吃紧，进而对储存终端市场报价带来正面连锁效应。 就美光而言，其24 GB 8-Hi HBM3E供货英伟达H200 Tensor Core GPU。 这款HBM产品数据传输速率为9.2 GT/s，峰值内存带宽超过1.2 TB/s。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%，这对于英伟达H200等需要大量带宽的处理器来说尤其重要。 HBM3E是HBM3的扩展版本，内存容量144GB，提供每秒1.5TB的带宽，相当于1秒能处理230部5GB大小的全高清电影。 作为一种更快、更大的内存，HBM3E可加速生成式AI和大型语言模型，同时能推进HPC工作负载的科学计算。HBM通过硅通孔（TSV）连接多个DRAM芯片，创新性地提高了数据处理速度。 3/21.南亞科70元突破月線漲停!量爆增6.22萬張 3/21.美光今明两年的HBM3E接近卖光了，海力士大涨8%、英伟达Blackwell强劲如斯！ 3/21.美光科技受惠AI需求，第2季財報比預期佳轉虧為盈，本季財測也優於預期，並看好今年記憶體價格將漲，盤後股價大漲超過1成；台股記憶體族群南亞科、華邦電、威剛等，今股價表現亮麗;美光盤後公佈2024會計年度第2季（至2/29日止）財報，營收58億美元年增58%季增23%，非一般公認會計原則（Non-GAAP）每股稀釋盈餘報0.42美元，較上季與去年同期轉虧為盈，也較市場分析師預估為佳;美光預估2024會計年度第3季營收66億美元（正負2億美元），Non-GAAP每股稀釋盈餘為0.45美元（正負0.07美元）。美光執行長Sanjay Mehrotra表示，較佳產品組合可望帶動公司下半年繳出強勁財報，AI所帶來多年機遇中、美光將會是半導體產業最大受惠者之一。美光預期DRAM、NAND今年報價將進一步上揚，目前預期2025年營收將創歷史新高、獲利也將大幅提升。 3/18.2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14%,HBM售价高昂、获利高，造就广大资本支出投资，预计2024年订单量将持续攀升。由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。 2024全年HBM供给位元年增预估高达260%，产能将占DRAM产业14% TrendForce集邦 03/18 20:00 HBM售价高昂、获利高，造就广大资本支出投资，预计2024年订单量将持续攀升。 由于HBM售价高昂、获利高，进而造就广大资本支出投资。据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷预估，截至2024年底，整体DRAM产业规划生产HBM TSV的产能约为250K/m，占总DRAM产能（约1,800K/m）约14%，供给位元年成长约260%。此外，2023年HBM产值占比之于DRAM整体产业约8.4%，至2024年底将扩大至20.1%。 HBM供应市况紧俏，2024年订单量持续攀升,吴雅婷表示，HBM及DDR5生产差异来看，其Die Size大致上较DDR5同制程与同容量（例如24Gb对比24Gb）尺寸大35～45%；良率（包含TSV封装良率），则比起DDR5低约20～30%；生产周期（包含TSV）较DDR5多1.5~2个月不等。 HBM生产周期较DDR5更长，从投片到产出与封装完成需要两个季度以上。因此，急欲取得充足供货的买家需要更早锁定订单量，据TrendForce集邦咨询了解，大部分针对2024年度的订单都已经递交给供应商，除非有验证无法通过的情况，否则目前来看这些订单量均无法取消（non-cancellable）。 TrendForce集邦咨询观察，以HBM产能来看，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM产能规划最积极，三星HBM总产能至年底将达约130K（含TSV）；SK海力士约120K，但产能会依据验证进度与客户订单持续而有变化。另以现阶段主流产品HBM3产品市占率来看，目前SK海力士于HBM3市场比重逾9成，而三星将随着后续数个季度AMD MI300逐季放量持续紧追。 3/16.高頻寬記憶體HBM 售價高，且是獲利較佳的DRAM產品，吸引DRAM製造廠爭相擴產，市調機構集邦科技預估，2024年底HBM產值占整體DRAM比重可望攀升至20.1%水準。 集邦科技資深研究副總經理吳雅婷表示，在相同製程及容量下，HBM的顆粒尺寸較DDR5大35%至45%，包含矽穿孔封裝的HBM生產良率較低，生產週期也比DDR5長約1.5至2個月。 3/13.三星HBM 3良率仅为10%？转投SK海力士阵营！三星落后的原因之一是其决定坚持使用称为非导电薄膜（NCF）的芯片制造技术，这会导致一些生产问题。据分析师和行业观察人士称，三星落后的原因之一是其决定坚持使用称为非导电薄膜（NCF）的芯片制造技术，这会导致一些生产问题，而海力士则改用大规模回流模制底部填充（MR-MUF）方法来解决NCF的弱点。而三位直接了解此事的消息人士称，三星最近发布用于处理 MUF技术的芯片制造设备采购订单。 “三星须采取一些措施来提高其 HBM（生产）产量......采用 MUF 技术对三星来说有点自负，因为它最终遵循了 SK 海力士首先使用的技术，”一位消息人士称。几位分析师表示，三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70%。 3/11.抛三星、买海力士，市场认定HBM赢家？乘AI东风，强者“护城河”进一步拓宽。HBM芯片成AI时代“新宠”,三巨头竞争日益激烈,SK海力士脱颖而出;本月来,外投大买SK海力士,外资持股比创史新高,至上周四,达54.35%,自去年末来一直呈上升趋势,2/23日突破54%后进一步提升 ;SK海力士在外资净买入排名上升:1月份居第三,2月份跃升至第二,3月超越现代成最受青睐股票。至3月8日，SK海力士净买入额达4900亿韩元，本月股价涨超10%达171900韩元/股新高。三星与SK海力士成鲜明对比,本月股价略跌0.14%，年内跌近7%。 3/8.加码AI芯片！SK海力士计划斥资10亿美元提高HBM封装能力(SK海力士芯片封装主管认为，半导体行业前50年都在专注芯片本身的设计和制造，而接下来的50年，一切将围绕芯片封装展开) 2/26.美光官宣HBM3E量产，用于英伟达H200，股价涨4%(美光称已开始量产HBM3E，该芯片目前容量为24GB，高于上代HBM3:16GB，功耗比竞争对手产品低30%) 预计今年二季度开始发货。 2/25.AI大爆發,HBM(高頻寬記憶體)需求激增，SK海力士副社長金起台（Kim Ki-tae）證實，今年旗下HBM已經全部售罄。美光執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）則早在去年12月財報會議上就指出，2024年HBM產能已賣光。HBM（高頻寬記憶體）持續供不應求，繼先前美光宣布今年HBM產能全部售罄後，SK海力士今年的HBM也賣光光。 2/23.DRAM市況?南亞科總經理預估，今年DRAM需求逐季改善，價格逐步上漲,董事會通過2024年資本支出預算案，因應新廠興建、1B製程技術製程轉進等，資本支出預算以不超過新台幣260億元為上限，其中生產製造設備類預算約5成，預期全年位元成長率超過20%。南亞科指出，1B製程技術8Gb DDR4與16Gb DDR5產品預計 2024 年導入生產。3D堆疊技術研發進行中，用於開發高密度RDIMM 產品，目標伺服器市場。新廠營建如期進行，預計2026年完工；量產依市場需求發展而定。生產應用在消費型電子產品佔約60%以上，PC、伺服器等運算類應用約佔20%，手機約20% 2/23.DRAM廠南亞科總經理李培瑛昨指出，展望今年整體市況，DRAM市場持續受到AI應用帶動HBM（高頻寬記憶體）需求，加上DDR4轉換DDR5，預期今年需求將逐季改善、價格有機會逐步上漲，南亞科的營運何時可轉虧為盈？李培瑛表示，去年DRAM價格跌得較深，回升需一些時間，營運逐季改善機會高，公司將挑戰今年中達損益兩平，以此為目標持續努力，逐季改善。南亞科董事會昨也通過2024年資本支出預算案，因應新廠興建、1B製程技術製程轉進等，資本支出預算以不超過新台幣260億元為上限，其中生產製造設備類預算約五成，預期全年位元成長率將超過20%。 對於供需狀況，供應商加速生產HBM及高密度DDR5，有利產能去化及調整DDR4、LPDDR4庫存，預期今年市況將恢復供需平衡。他看好AI伺服器激勵雲端需求，AI PC、AI手機提升平均DRAM搭載量，消費型市場需求健康，有機會穩定成長。對於AI商機，生成式AI對頻寬要求較高，帶動HBM需求，但HBM目前由三大廠爭相搶占，競爭激烈；南亞科將以3D IC為主要目標，開發AI運算時也大量使用的高密度RDIMM（暫存器記憶體模組），該市場較HBM大，利潤也較好，南亞科先前已有HBM、TSV（矽穿孔）技術經驗，目前依整體考量，RDIMM較適合南亞科切入，南亞科規劃以1B製程推出16GB D5，預計今年中試產、明年上市，目標伺服器市場。 展望今年整體市況，DRAM市場持續受到AI應用帶動HBM需求，加上DDR4轉換DDR5，2024 年預期需求逐季改善、價格有機會持續逐步上漲；但依舊受整體經濟影響，歐洲戰爭、中美衝突等地緣政治都可能影響市場需求復甦力道。供需狀況，李培瑛指出，供應商加速生產HBM及高密度 DDR5，有利產能去化及調整DDR4、LPDDR4庫存，預期 2024年市況將恢復供需平衡。AI伺服器激勵雲端需求，美國雲端企業的IT支出是觀察重點。AI PC、AI手機提升平均 DRAM搭載量。消費型市場需求相對健康，2024年有機會穩定成長; 對AI商機，李培瑛指出，AI應用廣泛，生成式AI對頻寬要求較高，帶動HBM需求，但HBM其實已發展多年，早期大型網路公司已開始小量應用。目前HBM整個市場從位元來看量並不大 ，約低於2%，但營收估計可能將近10%，價格可能提升5倍，以此2%市場，三大廠目前爭相搶占，競爭激烈。南亞科將以3D IC為主要目標，開發AI運算時也大量使用的高密度RDIMM，該市場較HBM大，利潤也較好。南亞科推動自主研發，目標是先逐步先將3D技術做好，南亞科先前已有HBM、TSV技術經驗，技術面瓶頸能克服。市場雖持續動態變化，但目前依整體考量，RDIMM較適合南亞科切入;RDIMM伺服器端整體市場總應用約30%，以規模適合成為南亞科目標市場；南亞科在製程會使用1B推出16GB D5，也規劃在2024年中試產，預計明年上市，速度會更高，也會應用3D IC的技術。伺服器約2%會應用最高端的HBM，20%應用主流記憶體，南亞科可應用到伺服器中心、AI相關領域 2/19.記憶體模組大廠威剛（3260）董事長陳立白今指出，今年到明年將是記憶體多頭走勢，威剛目前手中的低價庫存超過200億元，「可以吃香喝辣很久」，他並預告威剛今年全年本業獲利將可望創新高。 2/13.SK海力士上涨3.9%至2021年3月以来盘中最高水平。 2/8.韓國媒體Pulse報導，南韓晶片製造商SK海力士與台積電結盟，以促進雙方在人工智慧（AI）方面的合作夥伴關係。而該AI半導體同盟被認為是打造團結陣線，以對抗三星電子的舉措。SK海力士已與台積電制定「One Team」戰略，合作發展新一代代高頻記憶體（HBM），亦即HBM4。 2/6.日本經濟產業省:將對日本鎧俠Kioxia和美國威騰電Western Digital提供高達 2430億日圓（約台幣510億）補貼，協助其擴大三重縣和岩手縣的記憶體晶片生產。未來記憶體市場可望大幅成長，包含生成式AI。鎧俠和威騰電子合資案日本和美國建立連結，以便共同履行為世界供應記憶體的責任。根據資料，鎧俠、威騰電子將在日本境內三重縣、岩手縣共同營運的工廠內，量產新型NAND，總投資額為7288億日圓，其中日本政府補貼約3分之1，大約是2430億日圓。日本政府之所以願意給國內外半導體廠巨額補貼，一方面要確保晶片供應，另一方面也希望重新奪回半導體中心地位。 2/5.南亞科1月營收30.61億元月減3.2%年增35.95%，連續二個月營收達30億元大關。 2/1.海力士和美光将为英伟达下一代AI加速卡B100，提供HBM3E 1/25.大摩:鑑於華邦電毛利率改善、DRAM（動態隨機存取記憶體）技術升級以及更好的定價環境，給予華邦電「優於大盤」，上調目標價至33元。 1/25.SK海力士Q4財報:營收11.3兆韓元,營業利益0.346兆韓元,淨虧損為1.38兆韓元(約新台幣321億元),季營業利益率3%,淨虧損率為12%。SK海力士:將在2024年增資本支出,同時盡量減對供需平衡破壞,並將持續量產AI記憶體產品HBM3E,專注於高頻寬記憶體等策略產品。受惠於HBM業績太亮眼，南韓記憶體大廠SK海力士僅花費1年，就擺脫從2022年第4季以來的營業虧損。半導體記憶體市況反彈，據報導，SK海力士第4季HBM3的銷量猛增5倍以上，DDR5晶片銷量也增4倍多。SK海力士預計，2024年DRAM和NAND的需求，將以中位數至高位數的百分比成長，這與今年市場反彈的預測相呼應。SK海力士的DRAM部門在連2季虧損後，於至2023年9月3個月內恢復獲利，因平均售價上漲，晶片價格在減產後也轉趨穩定。 1/24.在 AI 浪潮推動下，應用在 AI 伺服器的高頻寬記憶體（HBM）需求大增。面對 HBM 商機湧現，三星電子（Samsung Electronics）全力搶攻 HBM 市場，挑戰 SK 海力士（SK hynix）的 HBM 一哥地位，雙方競爭白熱化。 1/23.英伟达不再是“芯片第一股”？大摩的TOP1变成了西部数据，分拆有望进一步释放业务潜力，存储市场回暖带动业绩进一步改善，西部数据具有28%上涨空间。 1/9.三星Q4獲利季減35%連第6個季度下降，低於分析師預期。隨半導體事業虧損漸改善，三星上調業績預測，加計劃下週推出首款AI手機，對於市場來說是正面訊息，分析预计三星芯片价格有望在今年上半年进一步反弹,三星今年營運可望逐步復甦。三星Q4:10至12月營業利潤，從去年同期4.3兆韓元約新台幣1017億元降至2.8兆韓元，分析師預期為3.7兆韓元,不及预期但降幅缩窄；營收部分，三星預計67兆韓元約新台幣1581億元，年降4.9%.分析師預測70.3兆韓元;由於DRAM晶片減產去化庫存，價格在去年12月開始反彈。TrendForce數據:去年第4季行動DRAM晶片價格預計漲18%-23%，行動NAND快閃記憶體晶片價格上漲10%-15%。分析師認為，今年記憶體晶片的復甦態勢將會延續下去。 分析師表示，三星晶片部門去年第4季虧損可能收斂，在第2季和第3季的虧損分別4.36兆韓元和3.75兆韓元（約新台幣885億元），隨著DRAM業務恢復獲利，其記憶體晶片獲利將有所改善。市場認文，三星電子近期股價大漲，已成為亞洲市值第二高上市公司，僅次於台積電。 1/9.三星Q4经营利润大跌35%，大不及预期;销售额年降4.9%至67万亿韩元，经营利润年降35%至约2.8万亿韩元。分析预计三星芯片价格有望在今年上半年进一步反弹。三星四季度经营利润不及预期但降幅缩窄，芯片行业有望年内迎来复苏。三星电Q4财季(10-12月)指引:销售额年降4.9%至67万亿韩元(约合511亿美元),经营利润年降滑35%至约2.8万亿韩元(约合21.3亿美元),低于分析师预期3.7万亿韩元。分析称，三星非存储芯片、电视和家电业务的利润低于预期可能是三星总体营收不及市场预期的主因；另外，三星两款可折叠旗舰机型的出货量可能较第三季度各下降约100万部，也导致盈利略有下降。 尽管经营利润弱于预期，但本季度降幅已缩至三星5个季度以来最窄。三星去年在二季度和三季度的经营利润分别同比暴跌95%、77.6%。此前，因新冠疫情旗舰全球电子产品需求放缓，芯片库存过剩，导致价格大幅下滑、相关产业链整体低迷，三星盈利遭重挫。但目前这一状况已有所改善。根据数据提供商TrendForce的数据，第四季度移动DRAM芯片价格预计上涨18%-23%，而移动NAND闪存芯片价格上涨10%-15%。 媒体分析称，去年7月三星决定减产后，芯片价格在第四季度反弹，预计今年内芯片行业将复苏并向好 1/5.威剛（3260）公告2023年12月營收31.45億元月減23%、年增33.5%，為近4個月低點；第四季營收110.3億元，季增28%，為55季來單季新高；2023年全年合併營收達337億元，年減3.86%，但為歷年第三高。 1/3.DRAM涨价潮？三星、美光据报道酝酿提价15%-20%:存储芯片行业熬过了凛冽寒冬，正迎来周期性需求改善。DRAM涨价潮即将来临，预计提价20%。据媒体1月3日报道，内存模块行业传出消息称，三星电子和美光等主要内存制造商计划在2024年第一季度上调DRAM的价格，幅度预计在15%到20%之间。业界分析认为，此举主要是为了改善盈利状况，其中价格上涨的重点将从NAND Flash转移到DRAM，尤其是DDR4和DDR5这两种类型的DRAM，本轮内存价格的上涨趋势预计将持续到2024年底。大摩预计三星将通过内存涨价快速提高利润率，上调三星的盈利预测。 供给触底，需求回升:据报道，由于先前DDR4的库存偏高，且市场价格表现疲弱，预计2024年上半年将重点上调DDR4和DDR5的价格。12月DRAM的报价仅微幅上调了2至3%，但仍然明显低于3D TLC NAND 10%的涨幅。至于DDR3，由于产能和需求相对稳定，其价格涨幅预计相对平缓，而NAND的涨幅虽然尚未明确，但预计将继续上调。韩国DRAM主要制造商在2023年下半年已连续两个季度降低DRAM的生产率，第四季度晶圆产出已达到谷底。例如，三星第四季度DRAM产出仅约为2023年第一季度的70%左右，同时也逐步增加高级制程的产出。存储芯片行业熬过了凛冽寒冬，正迎来周期性需求改善，随着手机和服务器需求逐渐回升，预计2024年DRAM市场的供应将继续紧张。目前上游原厂筹划调涨DRAM报价，下游客户已经开始补低价库存和备货。 24-1/3.DRAM廠南亞科技3日公佈12月營收31.6億元，月增10%、年增31.7%，重返30億元大關，並創近15個月來新高；年營收298.9億元，年減47.5%。DRAM廠減產，帶動價格回升，市場需求也緩步回溫，帶動南亞科去年第四季營收87.04億元，季增12.5%、年增9.43%，為近5季單季新高，預期虧損將較上季收斂。 +++++++++++++++++++++++++++
23--12/28.南韓11月晶片產量、出貨皆創近年最大漲幅，顯示出產業復甦趨勢，將提振南韓經濟前景，對於全球半導體、科技產業來說是好消息(彭博:南韓統計廳28日公佈數據:11月晶片產量年增42%,創2017年初來最大漲幅,出貨量暴增80%,2002年底來最大漲幅;庫存量成長36%,為2月來最小漲幅;數據表明，南韓經濟來說最重要的產業，正在從1年多來低迷中復甦,並為南韓2大晶片廠三星、SK海力士增添樂觀訊號。同時也顯示出,全球科技業需求復甦,正強化產業趨勢。晶片製造商的強勁表現推動11月全國工業生產年稱5.3％，優於預期，帶動南韓出口在10月恢復成長後進一步走強) 12/28.韓國時報 27日:韓國證券分析師指出，三星電子與SK海力士將是美國政府加強中國傳統晶片管制計畫受益者，該計畫預料將禁止美國軍工企業從中國進口半導體。美國商務部21日宣佈，將從明年1月起，針對關鍵產業的美國企業，比如電信、汽車、航太與國防，從中國採購28奈米以上晶片的狀況展開調查。商務部說，此舉旨在「降低中國構成的國家安全風險」。 1227.消息称英伟达为保证HBM供应 向SK海力士和美光支付巨额预付款,英伟达为了确保HBM稳定供应，已向SK海力士和美光支付数亿美元的预付款，等同已确定供应合约。三星电子近期也结束产品测试，与英伟达签订HBM产品供应协议。 12/25.AI PC時代開始 英特爾鹹魚翻身、DRAM需求增(搭載AI功能新「AI PC」產品大量湧入，預計對高性能動態隨機存取記憶體（DRAM）的需求將會擴大。英特爾宣布Core Ultra處理器將安裝在約230種AI筆記型電腦中，並宣布計劃在2025年支援1億台AI PC的分銷。市場研究公司Trend Force預測，今年PC出貨量將限制在1.67億台，比上年下降10.2%，但明年將成長3.2%，達到1.72億台，這一切都得益於AI PC替代需求。隨著人工智慧電腦中安裝的中央處理器（CPU）全面支援第五代行動DRAM LPDDR5和LPDDR5x，以及可儲存人工智慧學習的大量資料的固態硬碟（SSD），預計對DRAM的需求將會擴大。 \韓媒25日報導，根據業內人士透露，三星電子、LG電子、惠普等主要PC廠商，紛紛推出搭載英特爾、超微AMD AI CPU的AI PC。AI PC是一種設備上的AI，允許在PC上使用生成式AI功能，讓計算設備收集資訊而無需將其連結到雲端，從而實現快速的處理速度。它被評價為方便，因為允許在沒有網路連線的情況下工作。隨著AI PC的推出，對高效能DRAM的需求預計將從伺服器擴展到智慧型手機和PC。Intel和AMD最新的AI CPU支援第五代行動DRAM、LPDDR5和LPDDR5x。這兩款產品的價格比前幾代LPDDR4和LPDDR4X貴約10-20%。迄今為止，大多數低階筆記型電腦都支援LPDDR4 和 LPDDR4x（上一代 LPDDR5）。 截至目前，DRAM相關高價值產品的銷售量中，用於AI伺服器的DDR5和高頻寬記憶體（HBM3）佔比較高。需求的成長集中在支援開放人工智慧、微軟和開發產生人工智慧的Meta 產生的大量資料的伺服器上。以這種方式開發的生成式AI預計將分別安裝在智慧型手機和筆記型電腦中，且行動用高附加價值DRAM LPDDR5和LPDDR5x的銷售量預計將增加。 12/25.修復與中關係？美光、福建晉華竊密案達和解(2017年，美光再美國起訴福建晉華和台灣聯電（2303），指控2家公司竊取了美光記憶體晶片的商業機密。隔年晉華和聯電則在中國反告美光專利侵權，2018年7月美光在福建法院敗訴，當時美光被禁止在中國銷售26種產品。後來，美國商務部也以經濟間諜罪起訴晉華、聯電。在訴訟纏鬥將近5年時間後，2021年底，美光與聯電共同宣佈，達成全球官司和解協議，各自撤回向對方提出的訴訟，隨後也擴大雙方業務合作關係。) 12/21.南茂8150(半導體記憶體封測)董事會通過100%轉投資子公司ChipMOS TEC. BVI,出售持有上海宏茂微電子公司全數45.0242％股權，出售對象為蘇州元禾璞華智芯股權投資合夥企業等11家中國當地的合夥企業，出售金額9.793億人民幣（約新台幣42.9億元）。 12/21.美光21日盤前股價大漲逾 5%，最新財測:記憶體與快閃記憶體供需平衡將在明年強勁復甦。上季業績超出市場預期，並預估明 2月當季的財報表現強勁，這是一個明確的跡象，表明記憶體晶片價格將在明年改善，從持續數月的低迷中復甦。美光表示，其個人電腦 (PC)、行動設備、汽車和工業市場的大多數客戶的庫存處於或接近正常水準，而資料中心的庫存將在明年上半年接近這些水準。 Q1财季营收47.3亿美元，同比增长15.6%，高于美光上调后的自身指引47美元，分析师预期同比增长11%至45.4亿美元，前一季度、第四财季同比下降40%。第一财季非GAAP口径下调整后营业亏损9.55亿美元，较去年同期亏损额同比收窄20.9%，分析师预期亏损10.5亿美元。第一财季调整后每股收益（EPS）报亏0.95美元，也低于分析师预期的亏损1.01美元、以及美光自身指引1美元。 而本周三的业绩指引显示，美光本季度营收将在前一季基础上更强劲增长，预计第二财季营收为53亿美元，上下浮动2亿美元，相当于指引范围为51亿到55亿美元，同比增长38.2%到49.1%，高于分析师预期的49.9亿美元。 美光预计，第二财季调整后EPS亏损为0.45美元，上下浮动0.07美元，相当于亏损0.38到0.52美元，同比收窄72.8%到80%，亏损额明显低于分析师预期的0.76美元。 12/21.芯片复苏向好，美光前季营收超预期增近16%、本季指引更强劲，盘后一度跳涨超5%(今年來約漲60%)美光科技第一财季营收高于上调后的公司指引，亏损低于公司指引、同比超预期收窄21%；预计第二财季营收超预期劲增最高近50%，EPS亏损超预期收窄最多80%。美光称，明后两年内存芯片价格将上涨；本财年高带宽内存收入将达数亿美元。 12/21.記憶體廠華邦電20日宣佈，將與封測廠力成合作，共同開發2.5D／3D先進封裝業務， 12/19.盧超群:AI成競逐重點,鈺創5351在AI布局完整,並已陸續落地應用;CES展出4大尖端技術(智慧、自主、連接及隱密);半導體已打底完成,半導體產業有望復甦,產業景氣回來,預計明年Q2就可起飛，明年抱持樂觀審慎看法;AI是未來大趨勢，在輝達等上游廠布局完成後，將往下游裝置及設備發展，包括邊緣運算、軍工國防、汽車、PC、手機等都將有AI。鈺創已完成AI布局導入,包括服務機器人、農業機器人、醫療AI內視鏡診斷等，異質整合與晶片次系統設計為未來主要趨勢，鈺創打造全新「MemoraiLink」AI記憶體平台」，讓不同客戶應用技術元件與最適合記憶體和封裝技術進行整合。為實現AI、邊緣運算，高速傳輸為其一大重點，鈺創USB Type-C E-Maker傳輸線控制IC，搶先加入英特爾最新Thunderbolt 5晶片認證。 12/19.研調：手機品牌續備料 明年Q1記憶體漲幅擴大,2024年第1季在手機品牌持續備料的帶動下，Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC/UFS）均價季漲將擴大至18~23%。 12/18.力成上週飆股價，依規定達公布注意股資訊:公告11月自結營收64.68億元,稅前淨利4億元,歸母淨利2.17億元,eps0.29元，年減12%。Q3稅後盈餘15.7億元，季增17.1%，eps2.1元，前三季累eps5.41元。 力成對第四季與明年營運展望不變，但市場傳出，美光生產高頻寬記憶體（HBM）將以台灣為主，擬找台灣廠商增加新一代產品封裝合作夥伴，與力成展開接觸,傳言後股價飆。 12/17.對中國洩露晶片技術恐致560億元損失 前三星主管被韓通緝 12/16.力成近傳明年底前開始替美光HBM3E封裝服務,成HBM概念股,單周股價飆漲25.5%收152.5元逾16年新高。力成新進CMP機台進駐後,將搭配既有TSV機台,可提供HBM3E封裝服務。力成近接獲記憶體、邏輯晶片急單，法人預估，Q4營收可望優於預期，季減收斂至 4%，整體稼動率約65%。 12/7.研調估第4季NAND Flash營收季增將逾兩成 12/4.集邦TrendForc:2023年Q3DRAM產業營收134.8億美元季增18%。展望Q4，供給方面，原廠漲價態度明確，預估第四季DRAM合約價上漲13~18%，需求面的回溫程度則不如過往旺季，DRAM產業的出貨成長幅度有限。 DRAM全線產品中，主流產品PC DRAM DDR4 8GB，第四季合約價季漲幅為9.6%，集邦科技表示，這是該產品從2021年第四季開始下跌之後，今年第四季才開始轉上漲，等於連跌8季，首度季合約轉上漲，平均跌幅達64%。本季整體DRAM合約價漲幅調漲為13~18%，較先前預估上修，主要是由Mobile DRAM漲幅擴大帶動。 12/12.中國最大DRAM製造商長鑫 傳擱置股票市上計畫 12/7.威騰預告NAND漲幅將達55%,記憶體模組廠迎來豐收年尾(NAND Flash價格從下半年開啟凌厲漲勢，尤其是第4季NAND調漲幅度與頻率已超乎預期;美商威騰電子WD,近期對外發函告知客戶，預告硬碟HDD及NAND將分頭展開浮動漲價，並預計NAND價格將在未來幾季度調漲55%) 12/5.南亞科11月份營收28.74億元月增7.72%年增3.71%，創14個月單月營收新高。前11月營收267.3億元年減51%。 12/1.BusinessKorea:TrendForce:，2023Q3伺服器DRAM銷售額與市佔:SK海力士達18.5億美元,市佔49.6%,穩居全球龍頭。三星電13.13億美元,市佔35.2%名列第二。其次是美光,5.6億美元,市占率15%。 2020年10月，SK海力士領先業界發表DDR5，瞄準快速成長的伺服器商機。今年9月，SK海力士與CPU巨頭Intel共同發布白皮書，高調宣布旗下伺服器級DDR5應用在Intel CPU時，效能表現傲視業界。 TrendForce僅統計傳統伺服器搭載的DDR5，不含主要用於AI伺服器的高寬頻記憶體HBM。若將HBM銷售計算在內，SK海力士領先三星電子幅度還會進一步拉大。 以整體DRAM模組市場來看，三星電子仍穩居DRAM霸主，但SK海力士正在急起直追。市場研究公司Omdia先前公布，今年第三季，三星電子在DRAM領域市占率為39.4%，SK海力士以35%的市占率居次，美光科技排名第三，市占率21.5% 11/30.晶片生產疲軟,南韓10月工業生產 指數月減3.5%,降幅較9月1.7%擴大,創10個月來最大降幅，經濟學家估季增0.5%。 11/29.因產業表現優於預期，加上部分終端市場改善，世界半導體貿易統計組織（WSTS）上修今年及明年半導體營收預估，預估明年各產品將全面成長個位數百分比，但記憶體營收可望激增44.8%，將是推升半導體營收成長主要動能，明年營收將達5883.64億美元，高於原先預估的5759.97億美元，年增13.1%。 WSTS預期今年全球半導體營收將約5201.26億美元，較先前預估的5150.95億美元稍高，年減9.4%；明年營收將達5883.6億美元，高於原先預估5759.97億美元,年增13.1%。 WSTS預期，今年只有歐洲市場將會成長，增幅將約5.9%；美洲市場將減少6.1%、日本將減少2%、亞太地區將減少14.4%。 11/29.展望明（2024）年，華邦電看好在庫存已消化的情況下，PC、筆電及手機回補庫存加溫，伺服器也將重返成長，明年整體市況會比今年好，DDR3將從今年供過於求轉為供需平衡，甚至可能會缺貨。 11/28.2024年NAND供需趨平衡　華泰AI伺服器大單撐場(NAND Flash價格從谷底回漲，帶動記憶體封測廠華泰第3季營運回溫，受惠於AI伺服器業務訂單火熱，成為華泰後續營運的推升主力) 11/27.美光科技宣布推出 128GB DDR5 RDIMM記憶體，預計於2024年開始出貨，超微、英特爾均為客戶，該款產品採用32Gb 單片晶粒，以高達8000 MT/s的同類最佳效能支援當前和未來的資料中心工作負載，進而鞏固美光的產業領導地位，此款大容量高速記憶體模組專為滿足資料中心和雲端環境中各種關鍵應用的效能及資料處理需求所設計，包含人工智慧（AI）、記憶體資料庫（IMDBs）、高效處理多執行緒及多核心運算工作負載等。 新產品採用美光領先業界的 1β（1-beta）技術，128GB DDR5 RDIMM 記憶體使用32Gb DDR5 DRAM 晶粒，相比其他 3D 堆疊直通矽晶穿孔（TSV）產品具備多項優勢，包括位元容量提高超過45%、能源效率提升達24%、延遲大幅降低16%、AI 訓練效能提升高達28%。 11/24.南韓BusinessKorea:在中國政府砸巨資2022年中國政府和國有基金投入9兆韓元（2178億台幣）資金，以建立自給自足的記憶體產業，降低對外國技術的依賴下，南韓2大記憶體晶片製造商三星電子和SK海力士，正面臨中國同業的激烈競爭。市場人士透露，在中國政府加強支援記憶體產業下，中國記憶體晶片製造商，與南韓和美國的領先企業，在NAND快閃記憶體的技術差距已縮短至2年；在DRAM方面仍保持5年技術差距。NAND快閃記憶體技術差距縮短，主要因為其技術門檻相對較低，可以加速追趕。 11/20.SK海力士正与英伟达联合讨论HBM4“颠覆性”集成方式(据韩国中央日报消息，SK海力士已开始招聘逻辑芯片（如CPU、GPU）设计人员，计划将HBM4通过3D堆叠直接集成在芯片上。SK海力士正与英伟达等多家半导体公司讨论这一新集成方式。SK海力士正与英伟达等多家半导体公司讨论这一新集成方式。英伟达与SK海力士或将共同设计芯片，并委托台积电生产) 11/17.方正证:HBM产业链:以TSV为核心工艺,电镀、测试、键合需求将提升;英伟达新一代AI芯片H200搭载HBM3e,AI算力需求增长引爆引爆HBM存储芯片需求,2022年全球HBM市场规模约为36亿美元,预计至2026年市场规模将达127亿美元,CAGR达37%;当前HBM市场三分天下，SK海力士技术领先，三星、美光正加速追赶;存储三大巨头争相推进HBM扩产，三星、SK海力士计划将HBM产量提高至2.5倍。中股11/17.HBM概念股续活跃，华海诚科、中富电路20CM涨停，壹石通涨超16%，联瑞新材、赛腾股份等跟涨。 方正证近报告:TSV为HBM核心工艺，电镀、测试、键合需求也将提升。到2026年，先进封装和高端互联应用中电镀材料市场规模预计超过12亿美元。同时HBM高带宽特征拉动键合需求，推动固晶步骤和固晶机单价提升。 算力带动HBM需求井喷技术迭代加速 HBM具有高容量、高带宽、低延时与低功耗等优点，历经多次迭代后性能得到多维提升。 HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，属于图形DDR内存一种，通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联封装在一起。HBM优点在于打破内存带宽及功耗瓶颈，方正证券指出： 基于TSV工艺的DRAM堆叠技术则显著提升带宽，并降低功耗和封装尺寸。根据SAMSUNG，3DTSV工艺较传统POP封装形式节省了35%的封装尺寸，降低了50%的功耗，并且对比带来了8倍的带宽提升。成本面:HBM由于其复杂设计及封装工艺导致产能较低同时成本较高，HBM均售价至少是DRAM三倍,此前受ChatGPT的拉动同时受限产能不足，HBM价一路涨，与性能最高DRAM相比HBM3价涨五倍。 HBM虽然价格远高于普通DRAM，但相对于同样靠近处理器的SRAM价格更低。随着工艺成熟度提高带来的产能释放，其显著的尺寸及低能耗优势或将成为驱动HBM进入高端消费领域尤其是移动领域应用的重要力量。 HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第四代，第五代HBM3E已在路上。随着AMD、英伟达等推出的GPU竞相搭载HBM芯片，HBM正成为HPC军备竞赛的核心。CPU处理的任务类型更多，且更具随机性，对速率及延迟更为敏感，HBM特性更适合搭配GPU进行密集数据的处理运算。考虑到HBM的内存带宽大但容量相对小，而DDR一般容量相对大但内存带宽小，根据不同场景将DDR和HBM搭配使用，可提供更为灵活的内存运算形式。 2023年主流HBM需求从HBM2E升级为HBM3甚至HBM3E，HBM3需求比重预估约为39%，年升超30%，并在2024年达60%，届时份额比重也将超过HBM2E。根据TrendForce，2022年全球HBM容量约为1.8亿GB，2023年增长约60%达到2.9亿GB，2024年将再增长30%。以HBM每GB售价20美元测算，2022年全球HBM市场规模约36.3亿美元，预计至2026年市场规模将达127.4亿美元，CAGR约37%。 11/15.HBM供應鏈:TSV为核心工艺，电镀、测试、键合需求将提升，相关电镀材料市场规模有望进一步增长，同时也将推高固晶步骤和固晶机单价。1、TSV需求将增长带动电镀市场增长:TSV（Through-Silicon-Via，先进封装工艺中重要一环）为HBM核心工艺，HBM需要通过TSV来进行垂直方向连接，该环节成本占比接近30%。进一步来看，TSV通孔填充对性能至关重要，铜为主流填充材料。TSV加工流程包括孔成型、沉积绝缘层、减薄、电镀、CMP等。其中，铜凭借其超低电阻率和成本，被认为是最合适的填充材料。TSV成本结构中通孔填充占比25%，先进封装驱动电镀市场持续增长。TSV工艺中，通孔蚀刻占比最高，为44%，其次为通孔填充和减薄，分别为25%和24%。TECHCET预计先进封装和高端互联应用中，电镀材料全球市场规模2022年接近10亿美元，到2026年预计超过12亿美元。 目前，英伟达H100GPU订单已排至2024年，CoWos成HBM重要瓶颈。HBM的高焊盘数和短迹线长度需要2.5D先进封装技术，以实现密集的短连接。而全球先进的封装厂商虽可以提供类似于CoWos的解决方案，但硅中介层仍需外购，这也进一步加大了AI芯片厂商对台积电CoWos的需求。 2、带动测试、固晶设备需求增长:HBM需要进行KGSD（KnownGoodStackedDie）测试，拉动测试需求。传统的DRAM测试流程包括晶圆级和封装级测试，晶圆级测试由老化测试、冷/热测试和修复组成，而HBM需要进行额外的预键合测试，以检测电路中的缺陷。除此以外，针对HBM中的TSV、散热问题均需要进行额外的测试，而HBM底部的Basedie也需要进行逻辑芯片的测试，测试需求相较于传统DRAM大幅增加。且由于HBM的I/O密度远大于DRAM，测试方案也需要重新开发。随着存储芯片的制造节点不断缩小，封装尺寸和凸点间距也需要相应缩小，TCB/混合键合技术正在得到越来越多的青睐。混合键合推动键合步骤和设备单价增加… 目前HBM市场格局三分天下，海力士领先。根据TrendForce，2022年全年SK海力士占据了HBM全球市场规模的50%。其次是三星，占40%，美光占10%。TrendForce预测，今年海力士和三星的HBM份额占比约为46-49%，而美光的份额将下降至4%-6%，并在2024年进一步压缩至3%-5%。 SK海力士技术领先，核心在于MR-MUF技术。 MR-MUF是海力士的高端封装工艺，在芯片和芯片之间使用一种称为液态环氧树脂塑封的物质填充并粘贴。对比NCF，MR-MUF能有效提高导热率，并改善工艺速度和良率。除了MR-MUF技术，SK海力士还在积极布局各种封装技术，包括混合键合（HybridBonding）以及Fan-outRDL（扇出型重新分配层）等多项技术。 11/14.韓聯社:韩科技信息通信部:韩国10月記憶體晶片出口额年增1%,时隔16个月由负转正,(10月ICT韩信息通信技术出口额170.6亿美元,年减4.5%,已连16个月年減,但降幅为年内最低值;分類:显示器出口额增13%,但半导体-4.7%,手机-3.3%,电脑和周边产品-26.2%,通信设备-23.5%出口额均年减;半导体出口额89.7亿美元年减4.7%,但减幅今年来首降至一位数;記憶體晶片出口额45亿美元年增1%,时隔16个月由负转正;系統晶片出口额40.6亿美元年减7.4%。 11/14.H200，英伟达终于肯加内存了？ 现在囤货没性价比，下一代B100 GPU更香？ 人工智能浪潮席卷全球，AI服务器需求井喷，同时也带火了拥有超高带宽的HBM芯片。 周二，英伟达官网官宣史上最强AI芯片H200，其基于Hopper架构，配备英伟达H200 Tensor Core GPU，可为生成式AI和高性能计算工作负载处理海量数据。 其中值得一提的是，H200是全球首款配备HBM3e内存的GPU，拥有高达141GB显存。据SK海力士介绍，HBM3e芯片拥有更快的速度，容量也更大，在速度、发热控制和客户使用便利性等所有方面都达到了全球最高水平。 一直以来，由于高成本等制约因素，企业往往选择提高处理器的计算能力性能，而忽略了内存带宽性能。随AI服务器对高性能内存带宽提更高要求，HBM高带宽内存 成“香饽饽”。H200最大升级：HBM3e相比于前一代H100，H200在哪些方面进行了升级,H100相比，H200性能提升主要体现在推理性能表现上。在处理Llama2等大语言模型时，H200推理速度比H100提高近2倍。得益于 Tansformer 引擎、浮点运算精度的下降及更快的HBM3内存，H100在GPT-3 175B 模型的推理性能方面已经较A100提升至11倍。而凭借更大、更快HBM3e内存，无需任何硬件或代码变更的H200则直接把性能提高至18倍。从H100到H200，性能提高1.64倍，这一切都归功于内存容量和带宽增长。H100具有80GB和96GB的HBM3内存，在初始设备中分别提供3.35 TB/秒和3.9TB/秒的带宽，而H200具有141GB更快的HBM3e内存，带宽为4.8总带宽TB/秒。 HBM:当存储的性能跟不上处理器，读写指令和数据的时间将是处理器运算所消耗时间几十倍乃至几百倍。想象一下，数据传输就像处在一个巨大的漏斗之中，不管处理器灌进去多少，存储器都只能“细水长流”。为减少能耗和延迟，将很多个普通DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，就得到了所谓HBM（高带宽内存）。HBM通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。不过，这也意味着更高的成本，在没有考虑封测成本的情况下，HBM的成本是GDDR的三倍左右。HBM发展制约因素正是高成本，一些高级计算引擎上的HBM内存成本往往比芯片本身还要高，因此添加更多内存自然面临很大的阻力;然而，随着AI的爆火，对带宽的要求更高，HBM需求激增。市场规模上，有分析预计预计2023年全球HBM需求量将增近六成，达到2.9亿GB，2024年将再增长30%，2025年HBM整体市场有望达到20亿美元以上。SK海力士已表示，2024年的HBM3订单已经排满，而同样的情况现在也出现在三星身上。 同时分析指出，无论英伟达接下来的 Blackwell B100 GPU加速器具体表现如何，都基本可以断定会带来更强大的推理性能，而且这种性能提升很可能来自内存方面的突破、而非计算层面的升级。因此，从现在到明年夏季之间砸钱购买英伟达 Hopper G200没有什么性价比可言，但快速发展也是数据中心硬件技术的常态。此外，英伟达竞争对手—AMD也将在12月6日推出面向数据中心的“Antares”GPU加速器家族，包括带有192 GB HBM3内存Instinct MI300X和带有128GB HBM3内存的CPU-GPU混合MI300A。 11/15.HBM，大战再起;HBM作为今后AI时代的必备材料，其盈利能力是其他DRAM的5-10倍，目前的HBM市场三星、SK 海力士双雄争霸，美光也开始发力追击。 11/14.受惠記憶體價格上漲，記憶體模組廠威剛10月營業淨利3.5億元，稅前獲利3.04億元，前10月營業淨利10.5億元，稅前淨利13.69億元，已超越去年全年稅前淨利10.85億元。受惠DRAM與NAND Flash價格起漲，威剛提前備貨低價庫存，帶動第三季營業淨利達5.17億元，季增264.5%，歸母淨利4.1億元，季增55%、年增近2倍，eps1.57元。10月稅前淨利來看，威剛第四季獲利將季更增。 11/13.SK海力士：全球最快DRAM供貨給中國手機商Vivo 11/11.涉专利侵权！中国最大闪存芯片制造商长江存储在美起诉美光 11/7.美光總裁︰攜手台灣迎AI浪潮 10年內 創造周邊生態系上千工作 記憶體大廠美光科技（Micron）總裁暨執行長梅羅特拉（Sanjay Mehrotra）昨指出，美光是台灣最大的外商公司，在全球市場的成功，台灣將扮演重要角色，迎接AI世代來到;他表示，美光台中四廠將進一步推動台灣先進DRAM製程技術的開發和量產，整合先進封裝測試功能，以量產高頻寬記憶體（HBM）3E及其他產品，滿足人工智慧、資料中心、邊緣運算及雲端等各類應用日益成長的需求。 11/6.創見(記憶體模組廠)Q3財報:營收27億元季增10.4%,營業利益 5.7億元季增92.4%,稅後淨利8.3億元、季成長107%,營業毛利率31.2% ,營業利益率達21%,eps1.93元，創近五季來單季獲利新高。創見:第三季記憶體市場隨著原廠減產及去化庫存策略奏效，DRAM及NAND FLASH價格逐步回升,公司配合良好採購策略及庫存成本控管,相較前期成長並維穩定營運,業外持續受惠於美元升息，帶動產生較高匯兌利益及利息收入。 11/2.SK海力士可望Q3踢下三星,成DRAM銷售龍頭:高頻寬記憶體HBM需求主要集中在SK海力士,有助SK海力士出貨攀升,市場傳其第3季「DRAM銷售」可望首次超越三星，成為DRAM市佔率第一;市場預估，第4季SK海力士DRAM銷售可望突破7兆韓元。南韓日報:第2季SK海力士成功大幅縮小與三星在DRAM銷售差距。Omdia:三星今年第2季全球DRAM銷售金額市佔率為38.2%，仍為市場排名第一。同期，SK海力士的DRAM市佔率也超過30%,自2013年來在DRAM市場的市佔率維持30%以上,已約10年。三星將增HBM等高附加價值產品供應，以免DRAM市場落後對手SK海力士。市場:三星也將在第4季向輝達供應HBM3. 10/31.三星Q3財報會(预期“存储芯片有望复苏”):三星Q3净利润年降幅从Q2的86%收窄至40%；芯片部门营业亏损3.75万亿韩元，远低于Q2的4.4万亿韩元。三星表示，存储芯片市场有望复苏，预计2024年DRAM需求将增加。净利润远超预期，关键芯片业务亏损大幅收窄，三星交出今年以来最好成绩单,預期2024復甦;(今年7~9月營業利潤達2.4兆韓圜,雖比去年同期10.85兆韓圜降78%,但遠遠高於今年Q1:6400億韓圜和Q2:6700億韓圜。Q3營收則降12%到67.4兆韓圜。由於三星專注於利潤更高先進晶片,如AI所需DRAM晶片,同時削減舊晶片產量) 10/31.消息指出，中國國家集成電路產業投資基金（大基金）向記憶體晶片商長鑫新橋注資145.6億人民幣後，已入股長鑫新橋，持股比例為33.15％。《路透》報導，大基金今年稍早先向長江儲存（YMTC）投資130億人民幣（約台幣576億），這是該基金近年來最大的投資之一，長江儲存為中國最大的快閃記憶體製造商，近年積極擴大產能和研發，但去年已遭美國列入黑名單… 10/31.韓媒：中國長江存儲量產232層NAND 縮小與三星差距 10/30.美威騰電子（Western Digital）與日本晶片製造商鎧俠（Kioxia）NAND快閃記憶體業務先前傳出談判破局，威騰30日）表示，將分拆為2家公司，今後將專注於電腦硬碟與快閃記憶體市場，消息一出，威騰股價盤前上漲逾10%。 10/25.集邦:第4季行動DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%；NAND Flash方面，eMMC、UFS第4季合約價漲幅約10~15%；明年第1季預估整體記憶體的漲勢將延續。Mobile DRAM一直以來獲利表現均較其他DRAM產品低，因此成此次領漲項目 1024.TrendForce:受高通膨衝擊消費電子產品買氣影響，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應的領域不同，使得各家營收表現差異較大，其中Kingston金士頓市占達78%，僅衰退5.3%，穩居市占排名第一。2022年全球前五大記憶體模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場96%營業額，其中Kingston（金士頓）的市占達78%,排名第二的Ramaxel在2022年成長近九成，雖表現亮眼，但探究其主因在於2021年衰退幅度大，基期低所致;ADATA（威剛科技）主供貨為消費型產品，雖去年也積極布局工控、車用及電競類高毛利產品，但現階段占比仍低，難以抵擋全球需求緊縮帶來的影響，營收衰退10%，排名第三; 排名從第九上升至第八名Innodisk（宜鼎），基於工業應用開發多年的硬實力，將觸角延伸至工業智能物聯（AIoT）相關應用，該領域仍於成長初期，難以抵擋來自主要銷售的工控產品需求下滑，營收下跌17.8%。 Team Group（十銓），2022下半年受到通路庫存去化所影響，需求明顯下滑，營收年減21.4%，排名降至第九名。Apacer（宇瞻）此次排名同為第十名， 10/24.旺宏Q3財報:因產品組合不利及提列存貨損失雙重因素影響，稅後虧損4.08億,eps-0.22元,前三季虧-0.37元,Q4恐續下滑:展望第四季，客戶續調整庫存，預估年底前需求也將不會好，並將會提列存貨跌價損失，第四季營運恐較下滑，明年景氣要到下半年才有機會看到春燕來臨， 10/24.力成宣布進軍CoWoS相關矽中介層 透露與記憶體廠合作 10/23.降低中國風險，美光科技的目標是從2026年開始，在愛達荷州博伊西新建一座耗資150億美元晶片製造工廠，將先進記憶體生產引入美國… 10/18.芯片业重磅交易遭变,海力士反对铠侠与西部数据存储業務合并。 10/17.南韓貿易部:九月:NAND快閃記憶體晶片出口年增5.6%,遠優於八月的年減8.9%,DRAM晶片出口則年減24.6%,但跌幅較八月35%縮小。 10/17.供應商擴大減產 第四季NAND合約價漲逾一成 10/17.威剛前3季稅前淨利10.65億元 稅前EPS 4.05元 記憶體模組大廠威剛（3260）受惠漲價與低價庫存效益，今公告9月營業淨利2.64億元，稅前淨利2.76億元，營業淨利單月就超過上半年的1.83億元。 前9月累計營業淨利7.02億元，稅前淨利10.65億元，每股稅前淨利4.05元，相當於第3季營業淨利為5.18億元，稅前淨利6.06億元，單季雙雙超越上半年的1.83億元與4.57億元，第3季每股稅前淨利2.3元。 10/16.華邦電：衝近高法人棄守 爆量摜破所有均線 10/16.集邦科技:最新辦告指出，因供應商嚴格控制產出，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）第4季合約價全面起漲，平均漲幅約8~13%，其中，NAND Flash Wafer合約價最強勢上漲，季漲幅約13~18%。 10/14.記憶體漲聲起威剛一年半新高價; 10/14.研調機構指出，第四季起DRAM與NAND Flash均價全面上漲，預估第四季DRAM合約價季漲幅約3%~8%，雖低於市場預期，卻是經歷8季狂跌之後，再度翻漲，以PC DRAM DDR4 8GB為例，累計跌幅超過6成，預期漲價將有助記憶體族群營運改善；但此波漲勢能否延續，要看供應商是否堅守減產策略、以及實際需求回溫的程度而定，其中最關鍵的是通用型伺服器領域的需求情況 10/13.国内存储器下游龙头内存采购成本上涨约30%(华尔街见闻从供应链上下游龙头公司独家获悉，受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响，内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。相较低位，国内有存储器下游龙头闪存采购成本已上涨近20%，内存采购成本上涨约30%。) 10/11.聯強Q3營收季增5％ 看好Q4成長:9月營收338.9億元年減15.5% ，月減1%，第3季營收995億元，季增5%。但因商用市場走緩，及半導體拉貨力道不如預期，第3季營年滑8%,前3季營收2831億元年減10%。 第3季終端消費市場受惠於手機新機上市，以及返校季的購物需求，整體買氣有所回溫，9月營收中，通訊業務年增23%，主要印尼與澳洲市場分別大幅成長69%與37%，台灣也成長9%。資訊消費業務部份，消費型筆電/桌機、電競/遊戲、儲存裝置/電腦組件等產品，在歷經連續3-5季的雙位數衰退後，第3季已止跌回穩，使得資訊消費業務第3季營收年減幅縮減至個位 季增9%。展望第4季，聯強認為，市場情勢難以預測，但預期第4季的營運表現，仍可望保持逐季走升趨勢。 10/9.韩国：美国同意三星和SK海力士向其中国工厂提供设备 10/8.十銓4967(記憶體模組):9月營收14.82億元月增16.5%年增113%，第3季營收36.5億元，年增116.32%、季減35.5%，前3季營收108.72億元、年增119%，首破百億元大關，並已超越去年全年營收，同步創單月、單季及累計前3季營收同期新高紀錄 10/5.為搶攻邊緣AI市場，記憶體大廠華邦電近推1款CUBE,助客戶在主流應用中實現高效能邊緣AI運算(客製化超高頻寬元件)新記憶體解決方案，預料將於2024年下半年開始貢獻營收。5日盤中股價一度大漲5%，高見26.8元，一舉收復月線與半年線，朝季線靠攏。 10/3.南亞科9月營收27億元，月增5.8%、年減15%，創近10個月來單月新高；第3季營收77億元季增10%。 前9月營收211.9億元年減 56.8%。 10/2.威剛董座陳立白：明年記憶體將重返2年多頭市場 9/28.三星發表首款LPCAMM記憶體：體積縮小60%，同時克服LPDDR和So-DIMM的缺陷 9/28.美光Q4(6-8月)財報:營收從去年同期的66.4億美元年跌40%並連5季下滑；本業每股虧損1.07美元，較分析師預估營收39.5億美元、本業每股虧損達1.15美元較佳; 美光前瞻:預估Q1(9-11月)營收將上揚，但虧損可能擴大，虧損額並高於預期，受財測拖累，盤後股價應聲重挫。美光預估每股虧損1.14~1.00美元間，營收42~46億美元、高於上季與市場預期。分析師預估美光第1季將每股虧損0.88美元、營收將達42.4億美元。 美光第1季營運展望主要來自AI產業迅速成長,美光:正與輝達合作，讓公司最新高頻寬記憶體HBM能被輝達運算晶片所用。美光表示，利潤高、應用於許多AI晶片的HBM將於2024年開始量產，可望為明年挹助數億美元的營收，公司並預期明年度的下半年，毛利率將轉正;美光:展望記憶體要到2025年才會將顯著改善，尤其AI系統對新型昂貴記憶體需求提升。不過，過渡期的展望則多空雜陳，傳統伺服器的需求依然了無生氣，PC、智慧型手機可望在明年重返成長軌道，出貨量成長率將約為1~5%。為因應產業景氣趨緩，美光與同業紛減產，規劃到明年產能不會全開，公司也會進一步縮減新設備的資本支出。 9/26.旺宏吳敏求今表示，由於整體經濟不佳，過去幾年堆積過高庫存需要更長的時間消化，他預期明年半導體業不會比今年好，上半年應該不好，下半年變好或不好還很難確定。 中國半導體仍落後20年…… 9/23.記憶體大廠陸續減產 DRAM價Q4傳漲1成 9/18.NAND先行起飛　DRAM醞釀4Q跟漲(NAND Wafer報價從第3季起漲，業界預期9月後減產效應更為明朗，記憶體原廠可望從第4季啟動漲價攻勢) 9/7.利基型記憶體IC設計廠晶豪科3006,自去年起續庫存去化，投片成本續下滑，而美國DRAM大廠美光近期釋出產業正向消息。晶豪科7日早盤勁揚7.08%;8月營收9.6億元，月減6.85%，年減18.89%，前8月營收76.93億元，年減38%。 9/6.郭明錤:繼三星在今年8月份漲價後，美光9月調漲NAND Flash合約價約10％ 有助改善下半年獲利 9/5.看好AI需求 美光與台廠深化合作/積極投資高頻寬記憶體 台灣是全球唯一設立先進封裝地點 9/6.存储芯片价格触底反弹见智:下行周期要提前结束。在经历漫长行业下行周期后，存储芯片价格终于迎来曙光。从2022年开始，存储芯片行业进入高库存、低需求状态，价格快速下跌。早在2022年三季度，见智研究曾预判本轮存储芯片的下行周期要好于2018年下行周期，可参见此前文章《旺季不旺，但这次存储芯片下行周期更短 》此前市场共识是：服务器成为扭转本轮周期供需拐点的关键。 此前市场共识是：服务器成为扭转本轮周期供需拐点的关键。而现在变量又增智能手机的需求回暖。智能手机成为存储芯片需求增长的又一驱动因素 摩根士丹利最新报告中指出，NAND价格已触底。群联目前已看到来自大陆的模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。野村证券也发布了存储芯片涨价的预期： 第三季主要存储芯片价格已趋稳定或上升，价格较高的HBM、DDR5和LPDDR5X组合增加，使存储芯片平均单价有望上涨5%-10%。 另据Digitime报道称：国内NAND Flash模组厂近日已暂停报价及接单，将配合原厂（三星）报价调高8%-10%。预计此举将有望拉动NAND Flash价格逐步回升到制造成本线。 原本市场普遍预计23H2存储芯片行业将重新回到供需平衡点。但当下，受益于智能手机需求回暖的刺激因素，导致上游供应链有需求复苏加快的迹象出现。目前存储芯片客户对提价接受度较高。预计最快本月开始，部分存储芯片厂商将开始涨价，将覆盖此前跌幅较大的NAND和DRAM，智能手机应用更多的闪存NAND。 H100 AI处理器明年产能扩增3倍，HBM需求超预期…… HBM（High Bandwidth Memory） 是一款新型内存芯片，本质上是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。HBM以其高吞吐高带宽的优势，在DRAM的整体颓势之中，价格逆势增长，A100计算卡配备的是80GB的HBM2e显存，而新一代的Ada计算卡更是配备了HBM3显存。受AI芯片需求的增长，英伟达年内加大三星和海力士的HBM订单。 英伟达GH200单颗芯片需要480GB LPDDR5内存+96GB的HBM显存。而上一代DGX H100服务器中，平均单颗H100芯片对应256GB内存，以及80GB的HBM。 根据此前TrendForce的预测： 2023年HBM需求量同比增长58％，2024年有望再增长约30％。8月底，英伟达计划将H100 AI处理器产能拉高至少三倍，预测明年出货量将介于150~200万颗，远多于今年50万颗。意味着HBM明年需求增速很可能要超预期。 9/2.8月DRAM跌2.99％ 連續5個月走跌 9/2.傳三星電成功打入輝達HBM供應鏈後，將成為HBM3主要供應商之一，因此帶動1日股價大漲超過6%，創2021年1月來單日最大漲幅。 預計2024年供貨量將佔輝達HBM3的30%，因此上調該公司目標價，由11萬韓元調高到12萬韓元，並維「買入評級」。 8/30.記憶體模組廠宜鼎5289因應邊緣AI的高速運算需求及設備微型化趨勢，推出首款攻AI應用高速運算新產品，帶動今股價盤中拉漲停 8/24.研調估DRAM業Q3營業利益率可望轉正:集邦最新研究報告指出，第2季DRAM業營收約114.3億美元，季增20.4%，終結連續3個季度的跌勢；預估第3季DRAM業營收將持續增長，且因合約價陸續落底，後續跌幅有限，庫存跌價損失將獲得改善，廠商營業利益率可望轉虧為盈。受惠AI伺服器需求攀升，帶動高頻寬記憶體（HBM）出貨成長，加上客戶端DDR5的備貨潮，使得三大原廠出貨量皆有成長，第2季DRAM業營收約114.3億美元，季增20.4%，終結連續3個季度的跌勢。TrendForce指出，SK海力士第2季出貨量季增超過35%，主要來自平均銷售單價（ASP）較高的DDR5、HBM出貨占比顯著增長，帶動SK海力士ASP逆勢成長7~9%，推升SK海力士季營收達34.4億美元、季增近5成，成長幅度居冠，回歸第2大。三星（Samsung）第2季營收達45.3億美元，季增8.6%，穩居第1大，TrendForce表示，三星因DDR5製程仍落在1Ynm，占比也有限，ASP下跌約7~9%，但受惠模組廠備貨及AI伺服器建置需求，出貨略增長，帶動營收增長;美光在HBM的發展較晚，但DDR5出貨仍有一定出貨比重，使得ASP大致持平，在出貨量的帶動下，營收約29.5億美元，季增15.7%，位居第3大。 8/22.韓媒《Businesskorea》報導，南韓記憶體晶片大廠「SK海力士（SK hynix）」已成功研發出全球首款第5代高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory，HBM）。SK海力士週一（21日）宣布，公司已成功開發出用於人工智慧（AI）伺服器、全球最高性能的新產品HBM3e，目前已提供樣品給客戶進行性能測試，預計將在2024年上半年量產。根據SK海力士介紹， HBM3e不僅速度更快，容量更大、散熱更好、相容性也更強。數據顯示，HBM3e每秒能夠處理超過1.15 TB的數據，相當於在1秒鐘內，可以處理超過230部全高清的電影；HBM3e的散熱性能也較上一代提升約10%。 8/4.先.隨著三大記憶體廠減產效益將於下半年顯現，配合ＰＣ、手機市況回穩，與車用、伺服器需求穩健，低迷已久的記憶體報價也將迎來反彈。 8/4.日經：手機與半導體都差 三星奄奄一息 8/1.芯片拖累 韩国出口连跌十个月 7月跌幅创三年最大(韩国7月出口年降16.5%，进口年跌25.4%，芯片出口年跌34%，其中出口不及预期表明全球需求和贸易复苏缓慢) 7/28.美國記憶體、硬碟股漲勢到！關鍵驅動力：生成式AI 7/26.路透:三星記憶體事業部執行副總裁Jaejune Kim 27日財報會:將延長減產，並調整包括NAND型快閃記憶體在內特定產品產出。他並未揭露三星減產範圍，但提到公司記憶體庫存在5月觸頂後開始快速下降。Kim說法緩解晶片供給過剩疑慮。SK海力士也在7月26日表示會將NAND型快閃記憶體產出進一步下修5~10%。激勵南韓記憶體類股跳漲,三星電與SK海力士27日終場勁揚2.3%、9.3%。SK海力士股價創2022年3月來新高。 三星在Q2財報指出，AI應用對高頻寬記憶體HBM、DDR5的需求強健，令Q2 DRAM出貨量季增率高於預期。DRAM、NAND型快閃記憶體的跌價幅度都較為有限，這讓Q2營運優於Q1。 SK海力士已於202年成為輝達HBM3獨家供應商，三星則預料會在今年稍晚發表自家HBM3。 7/26.旺宏第2季EPS為0.04元 第3季將比第2季略好 7/25.旺宏今法說:下半年市況展望並不是那麼樂觀，預期第三季營運會優於第二季，但將不如往年大幅跳增，產業庫存去化要到 2024 年才可望告段落。今年淡季很淡，旺季卻旺不起來，第一、二季是今年谷底，下半年展望沒有特別令人興奮，但預期第三季營運應該會比第二季好，只是不會像往年呈現大幅度季增，與去年同期相較，也會有蠻大的衰退幅度。 近期熱門的 AI 伺服器議題，盧志遠表示，公司早有參與應用，相關伺服器採用非常多旺宏高密度 NOR Flash 產品，確實對出貨方面有些幫助，不過，AI 伺服器數量不多，一個伺服器裡用的 NOR 數量也不多。 **7/25.半導體封測廠力成董事長蔡篤恭今表示，AI成長趨勢可期，但AI應用現在要取代產業衰退情況，「距離蠻遙遠」，先進封裝趨勢帶動封裝業者踏入電子代工服務EMS產業。力成今年資本支出40%投資日本子公司，以因應台積電日本設廠帶動車用晶片測試需求。AI應用關鍵零組件包括繪圖處理器GPU 和高頻寬記憶體HBM等，其中大容量HBM還沒看到，最少要1年至1.5年以上，力成目前已有客戶正在驗證;法人問及處理中國大陸西安和蘇州兩廠後資金安排，蔡篤恭指出，預期現金部位增加，一方面可降低銀行借款，一方面也可考慮未來Taiwan+1產能布局。蔡篤恭指出，目前沒有客戶要求力成產能離開台灣，因為記憶體堆疊技術門檻高，不是隨便到其他地方就可設廠，儘管經濟和政治局勢會隨時變化，不過力成目前在Taiwan+1還沒有具體計畫、也沒有壓力。 7/22.比英伟达有潜力！摩根大通逆势唱多：亚洲芯片股涨势将追上美国芯片股(摩根大通预计，AI有望成为亚洲企业盈利增长更大推动力，亚洲企业AI订单热潮可能延续到明年全年。除估值比美国芯片股低，韩国供应商还可能受益于DRAM内存短缺) 7/17.韓國媒體BusinessKorea報導，由於半導體產業衰退，預料三星電子負責半導體業務的「半導體事業暨裝置解決方案事業部」（DS）今年將虧損逾10兆韓元台幣2.4兆元。 三星電子近日公佈，第2季營業利潤初估達6000億韓元，年重挫96% 7/16.經過幾個月談判後，威騰電子 (Western Digital) 和鎧俠 (Kioxia) 即將達成協議，主要是分拆威騰電子 NAND Flash 快閃記憶體部門與鎧俠合併。威騰電子股東將控制合併後新公司超過一半股權，細節仍保密。 7/14.华为发布大模型时代AI存储新品OceanStor A310深度学习数据湖存储与FusionCube A3000训/推超融合一体机，前者面向基础/行业大模型数据湖场景，实现从数据归集、预处理到模型训练、推理应用的AI全流程海量数据管理，后者面向行业大模型训练/推理场景，针对百亿级模型应用，集成高性能存储节点、训/推节点、AI平台软件与管理运维软件等，为大模型伙伴实现一站式交付。 7/10.威剛營收6月22.83億元月減7%，第2季68.66億元季減4.76%,上半年140.75億元年減23.8%;威剛:第2季記憶體整體價格仍較第1季下滑,DRAM現貨價已止跌持穩，第2季出貨量持續增長，致使合併營收季減4.76%,預期第3季的DRAM合約價跌幅將明顯收斂，現貨價可望領先起漲，成為公司下半年營運成長動能。陳立白指出，近期上游供應商對DRAM價格態度已紛轉趨正向，議價空間緊縮，伴隨著減產效益將在第3季顯現，加終端客戶DRAM庫存水位普遍回復健康，在主客觀條件兼具下，預期第3季的DRAM合約價跌幅將明顯收斂，現貨價可望領先起漲，成為公司下半年營運成長動能。 7/10.DRAM廠南亞科Q2財報，營業淨損31.85億元，營業利益率負45.3%，季減0.4個百分點，稅後淨損7.7億元，季eps0.25元，呈連3季虧損，但季損減54.24%，上半年eps-0.79元。今年資本支出由185億元降至150億元。 7/8.冰火两重天！AI繁荣尚未打破存储芯片的低迷状态，就当英伟达因AI芯片大火、股价大涨200%之际，三星电子涨幅近26%，SK海力士涨幅则接近50%，尽管市场普遍预计AI热潮也会带动存储芯片显著增长，传统存储芯片似还没迎来春天。7月7日周五，全球最大的存储芯片制造商三星电子发布业绩指引称，预计第二季度营业利润将同比下降96%，这将是其逾十四年来的最差表现，这显示出即使是韩国半导体巨头也还没有抓住AI机遇。有分析认为，存储芯片公司已推出适应AI时代新芯片，未来将有望帮助公司迎来转折。7月7日周五，全球最大的存储芯片制造商三星电子发布业绩指引称，预计第二季度营业利润将同比下降96%，这将是其逾十四年来的最差表现，这显示出即使是韩国半导体巨头也还没有抓住AI机遇。 7/7.華邦電旺宏營運回溫,Q2營收:華邦電188億元季增7.4%年減29.4%,旺宏74.3億元季增4.6%,年減34.49%。 營收:6月華邦電69.9億元月增13.86%年減21.5%，創近9個月以來新高；上半年363億元年減31.7%。 營收:6月旺宏21.4億元月減6.2%年減45.3%；上半年 145.33億元，年減36.6%。 7/6.继英伟达之后，近期包括AMD、微软和亚马逊等多个科技巨头开始竞购SK海力士高带宽内存HBM3E， 7/4.研調：第3季DRAM均價跌幅收斂至0~5％ 止跌反彈恐要等明年 6/30.威剛3260(記憶體模組)受惠DRAM現貨價逐步落底，客戶需求陸續回溫，第3季DRAM市況可望由谷底回升，營收可望逐季推升，在法人進場卡位，不僅順利填息，昨在投信與外資聯手買逾6千張，股價重回90元關卡，漲近半根停板，收92.3元，亮出第3根紅K棒，成交量放大到2萬3757張。投信從6月7日起，就幾乎天天買一路認養，只有26日賣1490張，自營商與外資也適時加入買超行列，讓股價從81.8元，一路往上攻， 盤後雖漲,但次日收低 6/30.盘后一度涨超5%達70美元 美光上季財報:營收37.5億美元年減57%，淨虧損15.7億美元，eps虧損1.43美元，優於市場預期，虧幅比市場預估較低。預估本季營收將介於37億至41億美元間，每股虧損約1.26美元至1.12美元。(DRAM是公司最大的收入来源，占比达到70%以上。而本季度公司DRAM业务收入仅有26.72亿美元，同比下滑57.4%。 未走出低谷，产品报价仍在继续下滑。以DDR4 4G（512M*8） 1600MHz为例，产品报价从2023年3月初的1.153美元，下滑至6月初的1.018美元。NAND是公司第二大收入来源，占比在20-30%。而本季度公司NAND业务收入为10.13亿美元，同比下滑55.7%;NAND业务已经有所回暖，环比增长14.4%。在这其中，NAND的出货量大约有30%的增长，但公司NAND产品均价下滑15%左右) 美光執行長Sanjay Mehrotra:記憶體產業已走過營收低谷，隨著供需逐漸恢復平衡，預估美光利潤率將有所改善。 6/28.集邦：AI及HPC需求带动，预估2023年对HBM需求容量将年增近60%，目前高端AI服务器GPU搭载HBM已成主流，预估2023年全球HBM需求量将年增近六成，到2.9亿GB ，2024年将再成长三成。到2025年，全球若以等同ChatGPT的超大型AIGC产品5款、Midjourney的中型AIGC产品有25款，以及 80款小型AIGC产品估算，上述所需的运算资源至少为145,600~233,700颗NVIDIA A100 GPU，再加上新兴应用如超级计算机、8K影音串流、AR/VR等，也将同步提高云端运算系统负载，显示出高速运算需求高涨。 6/25.南韓護國神山慘!三星Q2獲利恐大減99％撼動GDP(韓聯社:因晶片銷售低迷,三星包括記憶體晶片在內裝置解決方案DS部門預計:Q2將現3~4兆韓元(約台幣690億至920億)虧損,雖比Q2:4.6兆韓元虧損收窄,仍重創營運績效,預計三星整體第二季營業利潤為1004億韓元;SK海力士也很慘: 2022年Q4營業虧損1.9兆韓元(約台幣434億),及今年Q1營業虧損3.4兆韓元後,預計Q2營業虧損2.9兆韓元,連第三季虧損。南韓政府正考慮下調2023年經濟增長預測從原預測的1.6%下調至1.4%-1.5%) 6/25.固態硬碟SSD 自3月以來暴跌25%,平均每GB為6美分,目前跌勢尚未趨緩,還看不到底部;SSD所依賴NAND閃存需求低迷,TrendForce :2023年Q1均售價跌15%,Q2結束時,進一步跌8~13%。價格暴跌,導致第一季SSD業者收入雪崩47.3%。 6/21.印度政府已批准美光投資27億美元，建立半導體測試和封裝廠計畫，印度政府還同意對美光這座新封測工廠提供價值1100億盧比 （約新台幣415.11億元） 生產獎勵。 6/20.為防尖端晶片技術落中之手，美針對中科技鎖喉戰續升級。但據南韓業界透露，南韓半導體業者已促美政府「無限期豁免」對中晶片禁令,或至少給更長寬限期;理由是美中科技冷戰,美方沒保證續延長豁免,導致業者面臨不確定性,難制定長期營運計畫,南韓半導體業者為美國半導體設備製造商大客戶。 《The Korea Herald》報導，包括三星電、SK海力士等南韓半導體製造商，皆已取得美國商務部「經驗證終端使用者」(Validated End-User，VEU)資格，獲得VEU授權後，無需個別出口許可證，大簡化將美製半導體設備出口至中國的程序。 三星為全球最大記憶體晶片製造商，在中國西安設有晶片廠，生產NAND flash晶片佔該公司總產量40%，在中國蘇州也有一座半導體封裝廠。SK海力士在中設有多座工廠，其中一座位於無錫，生產DRAM產品佔該公司總產量近一半。《華爾街日報》上週報導，美國商務部工業暨安全事務次長(Alan Estevez)出席產業活動時表示，拜登政府有意延長美國晶片出口管制政策豁免期，受惠者包括三星和台積電.... ***6/17.AI瘋潮,台股關注在系統廠與IP廠商─今年度規格最大跳升在於HBM(High Bandwidth Memory )DDR;規格分類DDR/LPDDR/HBM2 標準型DDR(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory):應用多在消費性電子產品;行動型LPDDR(Low Power Memory):應用多在車用產品上;高頻型HBM DDR(「高實用頻寬記憶體雙資料速率」High Bandwidth Memory Double Data Rate):多應用在資料中心與AI伺服器上(這次ChatGPT引發AI工業革命焦點);資料傳輸與AI學習需要更強大的運算能力,HBM DDR就成為AI伺服器中不可或缺重要角色。HBM DDR演進過程:從2013年HBM出現後,至今已發展到HBM2即將進HBM3，這差距在需要更高頻高速運算由原本256GB/s進到1075GB/s, 集邦科技:2022年三大HBM DDR市占率,南韓與美國廠瓜分,韓廠占九成, ：SK海力士50%、三星40%、美光10%。HBM DDR因受AI伺服器訂單需求暴增，讓整體需求隨之而起; HBM3 DDR:台積電、創意電與SK海力士三方合作成就HBM3 CoWoS平台，運用HBM3實體層及控制器， GLink-2.5D晶粒對晶粒(Die-to-Die)介面等矽智財IP技術,架構設計SoC,中介層Interposer和DFT、實體布局、高功率且高速封裝，搭配SK海力士HBM3,及台積電7奈米先進製程和CoWoS(Chip On Wafer On Substrate)先進封裝技術，打造此頻寬最高可達7.2Gbps的HBM3 CoWoS平台;創意電子GLink-2.5D晶粒對晶粒（Die-to-Die）介面等矽智財（IP）運用在HBM3 DDR上面;高頻高速連接器與一般連接器最大的差異在於高頻連接器屬於電子機構件，需要通曉高速高頻技術與非常昂貴高頻高速測試儀器（例如：TDR和網路分析儀等儀器）進行測試，並非一般連接器廠商能夠做到，因此進入高頻領域的連接器廠商屈指可數，而這類型廠商將在未來成為贏家全拿的局面，國內目前在高頻連接器大斬獲的就屬嘉澤電子與優群電子。 6/16.市場不只中國 彭博：美光擬投資10億美元在印度蓋封裝廠 (6/16.美光:致力於發展中國市場，未來數年將在美光西安晶片封裝廠再投資逾6億美元;投資計畫將包括向力成位於西安子公司購買封裝設備。美光從2016年起就一直在西安廠使用力成子公司供應的設備。美光也會在西安廠開設一條新生產線，用來製造行動裝置使用的動態隨機存取記憶體、NAND型快閃記憶體及固態硬碟，強化西安廠的封裝測試能力) 6/13.生成式AI邁向通用技術商機年代！記憶體族群成為下個關注方向 Gartner預估:2025年有超過三成的新藥、新原料，將使用生成式 AI 來進行技術開發；超過三成行銷資訊也由生成式AI產出，並預估2026年有 1億人口將與機器人共事，包括實體機器人與虛擬機器人等；2027 年15% 的新應用程式將透過AI自動生成. 6/12.隨著各家大廠積極搶進生成式 AI，對AI伺服器需求激增,IC通路大廠至上8112,也接獲相關訂單,尤其在高速存取與運算需求提高下,也要求 DRAM容量規格倍增、SSD需求量提升,帶動今年AI伺服器營收貢獻從去年幾沒有、提升至5%。業界指出，過往運算用伺服器搭載的DRAM容量約 16-64GB，進AI伺服器後提升至 64-128GB，規格也從DDR4提升至 DDR5，SSD記憶體需求也從每台搭載 2-4個，大幅提升至32個。至上長期深耕伺服器領域，客戶囊括美、台系大廠，在每台伺服器單價向上提升下，預估 AI 伺服器將占整體伺服器營收約 3-4 成， 6/8.威剛營收5月24.5億元月增15.3%年減12.5%；前5月117.9億元年減12.5%。看好記憶體原廠減產計畫已開始舒緩上游庫存壓力，近期也見部分客戶需求回歸，DRAM現貨價低點已出現，未來價格再下探空間相當有限，公司5月DRAM出貨量也較4月升溫，預期第3季DRAM合約價將跟隨現貨價腳步落底，整體DRAM市況可望由谷底回升。此外，威剛也認為NAND Flash原廠面臨庫存壓力將加速NAND Flash落底，預估不僅下半年合約價跌幅將大幅收斂，在今年第4季之前就有機會看見價格築底完成。 6/7.華邦電營收:5月61.4億元月增7.98%年減30%,前5月293.4億元，年減33.7%。 6/7.記憶體封測廠力成營收:5月56.7億元月增1.1%、年減27.7%，連4個月正成長，並創今年來單月新高；前5月營收270億元,年減25%。(力成法說會庫存調整不如預期順利，較預期拉長，尤其記憶體過去依賴中國市場，中國市場需求尚未恢復，第2季需求仍疲弱，但力成第2季營運將比第1季好，產業明顯復甦還看不到，第3季也保守看待，預期第3季底到第4季才可出現明顯復甦) ***6/5.美光：AI記憶體應用水漲船高　資料中心市佔逆勢拚增(AI熱潮推動雲端伺服器大廠升級軍備競賽，記憶體產業無不摩拳擦掌，企業副總裁暨儲存業務部門總經理Jeremy Werner表示，資料中心相關庫存預期2023年底趨於正常化，儘管還需要一段時間調整，但AI急遽發展將帶來記憶體需求的變化，現正處於AI革命的起點。美光預估，AI伺服器對DRAM需求，是一般伺服器的8倍成長，NAND比傳統伺服器成長約3倍，換言之，大容量SSD將具前所未有的重要性，同時雲端客戶也要善加掌控預算，現在也須針對AI進行投資。因應生成式AI應用需求成長，將同步對記憶體帶來水漲船高的成長動能。由於AI訓練模型將需要大量資訊，也需要提供大量資料，藉此確保GPU達到產能滿載，因此NAND儲存需求將大幅增加，SSD需要更高效能和更大儲存容量，未來此一重要趨勢將持續發展。 將AI伺服器搭配的記憶體架構以金字塔為比喻，頂端為高頻寬記憶體HBM，第二層依序為DDR5及本機快取（Local Cache）SSD，最底層則是數據湖Data Lake。在金字塔底部，最重要的關鍵是超大容量，而頂端最重要的則是效能，每一層產品都讓上一層得以支援及運作。 進一步具體說明，下層共通使用的數據湖（如美光6500 ION SSD）分發給不同機器，舉例本機快取SSD（如美光7450 SSD）可能需要64TB、再送出3TB給運算力的快DRAM（如DDR5）產品，再進一步提供400GB給HBM，最後送進GPU進行運算，得到結論後再反向送回來。 由於AI伺服器運作需要多個金字塔同時搭建，所以每一層記憶體扮演的角色都很重要，都將同步跟著雨露均霑，目前美光在金字塔每一層級都有相對應的產品布局。 美光針對資料中心推出首款232層3D NAND的高容量SSD 6500 ION，就是強調以TLC NAND效能達到QLC成本優勢，其他競爭對手在資料中心SSD仍落後1~2個製程節點。 美光已全面推出232層NAND應用產品，消費型SSD已經上市，企業級SSD也即將推出，目前正進行最後驗證階段。至於資料中心領域，新節點TCL NAND將與上一代QLC NAND的成本相當接近。 TLC具有較好效能、時間壽命及延遲較低等優勢，新款產品將幫助客戶進行統整，用更大儲存容量，達到產品體積小、減少功耗、減少機架空間級空調冷卻成本等，帶動資料中心總營運成本下降。 美光內部設有專門團隊是負責智慧製造和AI應用，以加速科技發展、提高良率和減少生產時間，甚至也有軟體夥伴半數程式碼採生成式AI協助，現在AI革命才剛發動，相信接下來的30年，AI將對社會帶來巨大影響。 6/5.南亞科營收:5月23.1億元,月增2.17%年減62.7%,為今年來單月新高,並連3月正成長;前5月:109.9億元，年同期減少66.42%。 南亞科第1季受價格與銷售量持續下滑影響，減產導致閒置成本提高，毛利率轉為負8.6%，季減達21.6個百分點，也是近10年來首見單季毛利率變負值，稅後虧損6.85億元，每股稅後虧損0.54元。南亞科預估第2季底或第3季之間毛利率有機會轉為正數 **6/1.記憶體產業僅剩兩片烏雲，復甦指日可待(記憶體產業幾經史上最久下行走勢，模組價也到史低點，眾所期盼反彈未見；業者認為:目前市況就剩兩片大烏雲，一是原廠庫存仍多，二是需求仍不佳，若兩片烏雲改善，加中下游幾乎庫存都壓低，產業復甦速度和力道可期待;需求面:市場最火熱也最看好伺服器，可望最快成推動記憶體市況動能,其次PC/NB,最後較弱為手機市場，第三季則為觀察需求反彈關鍵點，盼旺季啟動反彈力道) 6/1.集邦科技:淡季效應與高通膨衝擊企業級固態硬碟（Enterprise SSD）面臨量價齊跌，第1季營收縮減為19.98億美元，季跌高達47.3%，(其中，以三星季減55%居最高，預期經過第1季庫存去化之後，第2季採購需求將小幅上升，各家供應商營收有望回到成長態勢。淡季效應與高通膨導致北美Server ODM及中國等市場採購動能下滑，衝擊供應商Enterprise SSD第1季庫存不降反升，並沒有因減產而有效改善，因此，採取降價求售以擴大出貨量，整體使得Enterprise SSD面臨量價齊跌)北美地區需求下修最明顯，衝擊三星第1季Enterprise SSD營收為8.01億美元，季減55%，季減幅度為同業之冠。因北美客戶仍在持續調整庫存，第2季營收可能持續下滑，預期下半年才有機會回升。 5/31.南韓的半導體庫存創7年來最大增幅，凸顯儘管全球人工智慧（AI）蓬勃發展，但對晶片的需求持續疲軟。韓國統計局31日數據，4月份庫存較去年同期增長83%，這是自2016年4月以來的最大增幅。此外，工廠出貨量年減33%，產量則下降20%。 5/31.AI大潮中别光盯英伟达！,生产存储芯片和闪存芯片厂商也将受益于AI大潮。記憶體DRAM製造廠:SK海力士和美光也將受惠,两家全球DRAM市场市占52%,总市值僅1400亿美元,三星电DRAM市场市占43%市值约3700亿美元。如GPT-AI热潮持续，三星、SK海力士和美光等公司将有更多机会。因在训练AI和运用AI过程，需处理大量数据、视频、音频和文本等，及复制人工创建的内容，都需存储芯片。事实上，人工智能公司购买DRAM可能比史上任何其他技术部门都要多。 使用AI过程中，如果系统中缺足够的DRAM会大大降低计算机速度，这会让AI公司花大价钱买来的AI芯片不能够得到充分利用。如果想要充分利用AI芯片，那意味着基本上每一块AI芯片就要配备多达1TB的DRAM，这一内存水平是高端笔记本电脑的30倍。研究公司TrendForce Corp表示，对内存的这种需求意味着今年某个时候用于服务器的DRAM销量将超过智能手机DRAM的安装量。 这些系统还需要能够在附近保存大量输出，以便可以快速读取和写入数据，这是在NAND闪存上完成的，与智能手机和大多数现代笔记本电脑中使用的芯片相同。 三星是该领域的全球领导者，其次是日本从东芝剥离出来的Kioxia铠侠控股公司和SK海力士 市场预计，这两种芯片的销售都将有所增长。因为英伟达每卖给客户一块AI芯片，就会有十几个DRAM芯片出货，这意味着三星、SK海力士和美光的收入会增加。上季度，DRAM和NAND合计为三星带来89亿美元收入，远超过英伟达从其数据中心业务（包括用于AI的产品）中获43亿美元收入。上季是三星内存部门七年来最差表现，与人工智能相关内存销售额仅占三星内存部门收入一小部分。 https://wallstreetcn.com/articles/3689973 5/31.外資看好晶片股,電動車電池鏈股,继欧日後,韓指KOSPI進入新1輪牛市,自去年9月来涨幅已超20%。主受益海外资金看好晶片廠和電動車链。指数大涨贡献者:最重量级三星电同期涨近40%,其次电池制造商LG ES,再來是晶片製造商SK海力士,外資看好AI行業ChatGPT等引發對半導體投資,正推動最近漲勢,2023年全球基金淨買入KOSPI成分股共99億美元,而過去3年每年都是賣超。 5/29.全球記憶體晶片價格反轉倒數計時？AI需求不應被高估(財聯社:記憶體供應鏈人說：目前記憶體晶片售價仍在降,其實記憶體和SSD基本上每年6月都會是全年價格最低點;目前記憶體晶片售價已低於或近成本價，沒下降空間,在原廠陸續宣布減產下，部分領域需求因擔心價格即將落底而略有提升，而非終端需求有起色。 業界人士認為，AI 對行業影響有限。AI影響沒那麼大。其實對於整個體量來說，沒有太大影響。 集邦咨詢預估:2023年AI伺服器出貨量年增長將逾10%。不過，因目前AI伺服器佔整體伺服器出貨比例仍不及一成，尚無法反轉整體伺服器疲弱態勢。 5/28.憂中國藉封殺美光分化美韓 首爾不鼓勵韓企搶市 5/26.美中科技戰效應 中國伺服器大廠拒收美光晶片模組 5/26.存储器减产后，三星传因晶圆代工订单表现不佳，要减产10%以上晶圆， 5/24.美光事件後 中國DRAM龍頭「長鑫存儲」恐遭美列入實體清單 5/24.記憶體現貨市場風向轉變　高階DDR5止跌、低容量NAND回穩 5/24.北京虛張聲勢 多年前已減購美光、沒破壞力 5/24.中國封殺美光 美參院領袖：與政府和盟邦協商應對 5/21.美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全) 5/19.美光17日宣布將在日本投資5000億日圓在現有的廣島工廠生產下一代記憶體晶片。對此，美光內部消息指出，美光在台灣導入1-gamma技術節點的計畫沒有改變。美光內部對員工訊息指出，為開發1-gamma，美光已在台灣導入EUV機台，且相關製程開發也將依原有規劃在台灣完成。 5/18.日本政府掏15亿美元給美光,将在日日本广岛建下一代内存芯片厂，首引入光刻技术安装荷兰ASML公司先进芯片制造设备EUV光刻机，以制造下一代存储芯片(美光宣布，將在日本投資三十六億美元，，在日本製造下一代記憶體晶片。 5/17.美光推出兩款資料中心硬碟 層數達232層(固態硬碟SSD新品，包括6500 ION NVMe SSD 及XTR NVMe SSD，可因應數據快速增長步伐，透過降低營運成本和改善儲存效能，為資料中心帶來重大進展;美光6500 ION為高容量SSD，提供較競爭者的QLC硬碟更高的性價比。相較於採用低於200層QLC NAND 技術的競品，6500 ION SSD擁有232層NAND技術節點的領先地位，能以QLC 的成本，創造TLC 的效能。此外，美光XTR SSD搭配美光6500 ION硬碟或其他SSD，均能發揮出色的耐用性，強化系統效能) 5/16.鈺創5351董事長盧超群:電子業去年因PC與NB疫情紅利消失，需求下滑，庫存上升，但更嚴重是戰爭、通膨造成消費力疲弱，不過，近回溫跡象，以鈺創利基型DRAM來說，第2季應是谷底，已50%客戶需求回來，接下來應會一個月比一個月好，希年底可滿血復活。旗下鈺立微AI視覺感測已打入運送機器人與日本農業機器人供應鏈，並獲得軍工相關廠商關注，未來有望進一步跨足軍工領域。 5/16/供应链人士透露，长江存储已正式通知NAND涨价，涨价幅度约在3-5%左右。《电子时报》近消息，美光此前已告知经销商DRAM及NAND Flash闪存从5月起不再接受更低询价 5/16.花旗重申美光 AMD等半導體類股可在結束這波下跌趨勢後買進，激勵費城半導體指數跳高。 5/15.TrendForce研究顯示，由於DRAM及NAND Flash供應商減產幅度不及需求放緩速度，第二季均價季跌幅有擴大跡象，DRAM擴大至13~18%，NAND Flash擴大至8~13%。 5/15.日本鎧俠（Kioxia）和美國晶片製造商威騰（Western Digital）正在加快合併談判，希望順利整併閃存業務提高競爭力，力抗三星等競爭對手。 5/15.TrendForce研究顯示，由於DRAM及NAND Flash供應商減產幅度不及需求放緩速度，第二季均價季跌幅有擴大跡象，DRAM擴大至13~18%，NAND Flash擴大至8~13%。 5/13.買便宜記憶體時間不多，三星減產DDR4有用、記憶體要開始漲價 5/12.鎧俠財報(1~3月):客戶續進行庫存調整，快閃記憶體出貨量減、售價大跌逾25%，NAND Flash 大廠鎧俠Kioxia上季續陷虧損，且虧損額破紀錄、首度衝破 1,000 億日圓。拖累合營收較去年同期大減38%至2,452億日圓；顯示本業獲利情況的合併營益自去年同期的盈餘309億日圓轉為虧損1,714億日圓，本業連續第2季陷入虧損（2022年10-12月當季為營損933億日圓） 5/12.華邦電Q1財報:營收175億元,季減8.9%,毛利率27.7%,季滑9.7百分點,歸母淨損10億元,eps-0.25元;4月營收(含新唐等子公司):56.8億元月減17%,年減36%;前4月營收232億元減34.5%;華邦電:台中廠目前減產約三至四成,第二季產用率將季升10百分點,後維每季成長趨勢;高雄路竹新廠維滿載,以續提升良率;目前產能在第一階段10.5K,未來到第二階段,約2024年Q1到14K月產能;華邦: 目前PC廠已調整庫存達健康水準情，使許多商用PC及消費電子回補庫存急單湧入。另因中國市場解封，帶動需求成長，預期華邦電營運在Q1達谷底,Q2營運將調升。 5/11.威剛Q1財報:合營收72億元， 受惠有效庫存管理，毛利率回穩為11.53%，本業轉虧為盈，稅後淨利5691萬元，營業利益4172萬元，歸母淨利2448萬元,eps0.09元 5/10.TrendForce原預測NAND閃存均價Q2跌約5%~10%,近再發報告，因DRAM與NAND閃存供應商減產幅不及需求降速,部分產品在第二季度均價跌幅或將擴大,群聯近表示可能會有供應商出現破產。…… 5/5.群聯Q1財報:營收100.8億元，季減18%年減46%,毛利率31.8%,季增3.7%百分點,年增0.3百分點,營益率8.3%季減1.8百分點,年減5.7百分點；稅後純益2.4億元,季增11.5% ,年減88.9%,eps1.26 元。 潘健成表示，NAND原廠都已身陷虧損巨大壓力，價格續跌機率很低，原廠擴大減產規模機率續上升，並預估第二季毛利率可望維持27-33%高檔水準。潘健成強調，NAND 原廠虧損、減產、期望推動漲價等狀況已是事實，且 PC 與消費性產品供應鏈庫存已經很低，有原廠透露近期取得企業級 SSD 大單，將大幅挹注其營收，不再急著要求群聯拿貨，目前最重要的是觀察市場需求何時回溫，屆時就可望推升價格反轉向上 5/1.三星電財報會暗示將減晶片產量，分析師預估為緩解庫存:預計三星今年上半年晶片產量恐大砍1/4。 KB Secu.估計:三星第2季， NAND閃存產量年減15%，而DRAM產量將從第3季度開始下降20%以上;三星證券分析師 Hwang Min-seong 預測，如持續減產未能充分降低三星電子庫存水平，可能會進行更多減產。 業內人士認為，由於需求低迷，三星正在削減DDR3和DDR4等低成本DRAM模塊的生產，同時將更多資源集中在DDR5 等先進內存晶片上。 至從DDR5發布後，DDR3和DDR4的市佔率就開始下滑，根據市場追踪機構Omdia的數據，去年DDR3晶片的全球市佔率為3%，預計今年這一數字將下降到2%，而2025年開始下降約1%。 DDR4的市佔率也在迅速下降，直到去年，它佔DRAM市場的56%，但預計今年和明年將分別下降到36%和23% 4/25.力成並公布第1季財報，營收為157.41億元，年減24.4%，每股稅後盈餘1.51元，為近15季以來新低 4/25.長江存儲國產化產線取得進展，最快 2024 年試產 4/25.中國反擊晶片禁令對美光發動國安調查，白宮要求韓國三星、SK海力士不要填補市場缺口 4/22.美電腦記憶體公司Netlist，控告三星涉嫌侵犯5項專利技術，德州陪審團21日裁定三星需賠償3.03億美元，判決消息出來後Netlist當天股價暴漲21％(路透:Netlist律師:在公司過去和三星合作中，三星取得了Netlist記憶體模組專利技術，並將其運用在自身雲端伺服器和資料密集型產品上，因此Netlist要求三星賠償4.04億美元) 4/21.三星日前發布Q1利潤年減跌96%後,宣布將縮減記憶體產能自救,25年來首減產。傳出快閃記憶體NAND Flash產能將縮減5%，中國西安廠被砍最多，西安一廠月產能下修12%，西安二廠月產能降7%。韓媒BusinessKorea披露，今年第二季，三星將縮快閃記憶體產能約5.34% 4/20.違美禁令銷售硬碟給華為，Seagate同意支付3億美元罰款 4/12.群聯3月合營收39億元月增19.8%年減38.4%。潘健成:客戶採購行為較保守,也因此庫存大部分都累積在上游供應商如NAND原廠,即系統整合廠商庫存水位其實沒有想像高,近傳韓某NAND原廠由於獲利大減，正考慮將記憶體產量下降至「有意義的水平」，以降庫存水位及舒緩NAND市場價，這代表著基本上所有NAND原廠都已面臨巨大獲利壓力，市場底部已不遠;NAND原廠陸續減產後，不僅有助整體市場供需平衡，也將刺激市場價格回溫，進而帶動系統整合廠商開始積極備料，因預期原物料價升，採購成本也將上升，並透過規格升級與新品推出刺激終端需求，最後也將有助市場逐漸恢復正常供需平衡… 4/11.南亞科第1季財報，虧損幅度較上季擴大，受價格與銷售量續滑影響，毛利率轉為負8.6%，季減達21.6個百分點，也是近10年來首見單季毛利率變負值，稅後虧損6.85億元，eps-0.54元。南亞科:第1季為庫存高點，因減產導致閒置成本提高，因此出現毛利率變負值，預估毛利率有機會在第2季底或第3季之間轉為正數，且隨著本季需求與供應端有適度改善，有助庫存逐步去化，價格預估也將會轉為小幅下跌，市況有機會落底. 4/9.三星電子Q2財報,營業利潤僅剩6000億韓元,年減95.75%為,三星首度宣布，將減產記憶體晶片。這波半導體需求降溫，包括台灣在內廠商多少都會受到波及，不過，三星的獲利慘狀令人意外， 4/8.全球最大記憶體製造商三星電昨公布初步財報:Q1營業利潤估計從去年同期的14.1兆韓元暴跌95.8%九十至0.6兆韓元(138.8億台幣),遠低於彭博預測1.4兆韓元,也創2009年全球金融海嘯來最小季度獲利;三星聲明:將大幅減產記憶體至「有意義水準」，以緩解產業供過於求壓力 4/2.全球晶片需求疲軟 三星、海力士Q1前景淡 4/1.反擊美國！中國對美光產品啟動網路安全審查 3/30.AI再度引爆存储器见底预期大幅提前(1.当下存储芯片仍供给过剩,客户库存处高位;2.美光将续下调存储芯片价,但不为夺取市场份额而进行价格战;3.预计23年市场将减存储芯片供应,24年DRAM会供不应求) 最後，記憶體美光也掰上GPT 3/29.美光：資料中心營收已觸底，ChatGPT 興起將扭轉市況 3/29.存储三巨头:半导体行业观察 (美光库存减记超过14亿美元創史最大虧損,三星库存创史新高,SK海力士也面临同样困境,库存资产在去年第四季窜升75%。集邦咨询昨研究:由于部分供应商如美光、SK海力士已经启动DRAM减产，相较第一季DRAM均价跌幅近20%，预估第二季跌幅会收敛至10~15%。不过，由于2023下半年需求复苏状况仍不明确，DRAM均价下行周期尚不见终止，在目前原厂库存水位仍高情况下，除非有更大规模减产发生，后续合约价才有可能反转)。 3/28.集邦:由於部分供應商如美光、SK海力士已啟動DRAM減產，相較第1季DRAM均價跌幅近20%，預估第2季跌幅會收斂至10~15%，但因2023下半年需求復甦狀況仍不明確，DRAM均價下行週期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高情況下，除非有更大規模減產發生，後續合約價才有可能反轉;PC DRAM方面，由於買方已連3季大減採購量，目前買方的PC DRAM庫存約9~13週，PC DRAM原廠已進行減產，預估第2季主流DDR4 8GB模組跌幅仍將超過1成，但或許部分PC OEM基於價格已偏低考量，有意願提升DRAM的採購量，但是否能夠減輕供應端的高庫存壓力仍待觀察，預估第2季PC DRAM均價跌幅約10~15%; Server DRAM方面，受OEM及雲端服務供應商調降伺服器需求，進一步導致買方拉貨動能疲弱。消費性市場不明朗，使原廠持續提升Server DRAM生產比重，因此逐季積累的庫存已成為負擔，雖原廠已普遍調降產能利用率，但此舉對價格止跌的效果不大，預估第2季Server DRAM均價將季跌13~18% Mobile DRAM方面，儘管智慧型手機品牌的庫存已回到相對健康水位，但對生產計畫仍持保守態度，第2季買方對Mobile DRAM的需求力道仍然疲弱。高庫存使原廠承受極大賣壓，即便原廠已對Mobile DRAM進行減產，但仍難改變目前供過於求的情況，預估第2季Mobile DRAM均價將再續跌，跌幅可望收斂至10~15% 採購力道普遍保守，預估第2季Graphics DRAM均價跌幅10~15% 第2季Consumer DRAM均價將季跌10~15%。 3/27.價格新低！中國儲存裝置寒冬還沒完 庫存不清 難有起色？ 3/24.美光預定3月28日公布Q2財報；該公司高層2022年12月預測，Q2每股虧損中值將達0.62美元（加減0.10美元）。花旗相信，美光Q3營收預估值將達35億美元，低於市場普遍預測的37.8億美元，每股虧損則將達1.42美元，遜於市場預期的虧損0.89美元。花旗仍重申美光投資評等為「買進」，目標價75美元，理由是記憶體市場正在落底。美光高層最近警告，記憶體產業供需失衡恐衝擊毛利率。花旗相信，美光已經縮減資本支出，對手SK海力士也跟進，有望於未來6個月讓DRAM市況打出底部。美光23日勁揚5.45%、收61.34美元，創2月15日來收盤新高；年初迄今反彈22.73%，去年跌幅46%。 3/9.彭博:記憶體晶片業歷史性需求下滑,三星和SK海力士去年年底營收創記錄最嚴重兩季跌幅,價格暴跌重現2006年危機;TrendForce:DRAM均價去年Q4暴跌34.4%,比前季31.4%跌幅加劇。NAND快閃記憶體表現僅稍好,兩產品都處2006年來最嚴重崩潰記錄;美光、SK海力士和日本鎧俠都 削減產量,並推遲擴張計劃,通過控制供過於求來穩定市場的措施。不過，全球最大記憶體晶片商三星電堅持激進資本支出計劃，今年花費超過300億美元進一步產能建設…… 3/6..BusinessKorea:今年1月韓國半導體部門庫存率達265.7%，創1997年3月來最高紀錄。當月該產業出貨指數銳減25.8%至71.7，而庫存指數跳漲28%至190.5。 3/4.長江存儲從中國政府支持的投資獲得490億元人民幣的資金。 3/2.韓國1月晶片庫存量月增28％ 創近27年來最大 2/21.High-K 材料品質出包，短暫干擾 SK 海力士 DRAM 生產工程 2/21.BusinessKorea:南韓分析師預計DRAM市場價跌勢將放緩，並有機會在今年4月停止跌勢，從去年Q4跌價約30%到今年Q1的20%，一路到Q2的10%，DRAM庫存已降，預估第2季能回健康庫存水平。由於三星DRAM減產9%，約佔全球產量的4%，下半年DRAM市場有望逐步恢復正常供需，預估2023年營收年減少7成。 2/20.需求断崖式下滑，内存芯片价格创2008年来最大跌幅(三星仍坚持一项激进资本支出计划,该公司预计ChatGPT等人工智能产品将推动内存芯片需求增长) 2/7.美光宣布裁員10%,台灣美光無法置身裁員計畫外，但總數會包括自然離職者 2/1.SK海力士2022年全年營業利潤年減43.5%,至7兆韓圜;全年營收年增3.8%,至44.64兆韓圜;全年淨利潤年減74.6%,至2.43兆韓圜 2/1.全球第二大存储芯片制造商海力士SK Hynix也陷入困局,由于存储芯片价格自去年峰值暴跌超50%，海力士创下有史以来最大季度亏损;2022年底财年與Q4财报:Q4由盈转亏,净亏损为3.5万亿韩元,营业损失率22%，净损失率为46%;营业亏损1.7万亿韩元约合14亿美元,超出分析师预期1.1万亿韩元亏损,上年同期盈利4.2万亿韩元,公司自2012年Q3来首现季度营业亏损;全年合營收44.6万亿韩元,营业利润7万亿韩元,净利润2.44万亿韩元,营业利润率16%,净利润率5%;受此影响，海力士表示今年资本支出将减少50%并削减产量，等待下半年行业出现复苏态势。公司还提及，虽然在中国经济超预期复苏和移动设备市场复苏助力下，市场有望逐步改善，但是DRAM和NAND存储芯片业务的增长将在本季度放缓。就全年而言，两者产量可能会较上年下滑;海力士表示目前行业库存水平已经相当于三至四个月的供应量，且客户尚未完全消化，接下来库存仍将进一步增加，但应该会在今年上半年达到峰值。 2/1.力成Q4:營收184億元,毛利率17.2％營業利率11.5％,eps1.81 元,季減43.4%，全年eps11.6元、年微增0.5%皆未達預期,力成預測庫存調整不如預期 Q1將最艱困 將觸底，並從Q2開始復甦;里昂:下調力成在2023-24財年eps，但預計明年營收將提高14％，將力成評級從「劣於大盤」升至「優於大盤」，目標價上調至90元 2/1.遭美制裁效應 長江存儲裁員多達10％ 1/30.富采MicroLED持續攜手錼創-KY6854 建置6吋廠房。 1/29.中國開年第1雷！長江存儲爆裁員 員工還要賠錢 1/10.南亞科：DRAM市況持續低迷 Q1虧損將擴大(集邦科技指出，消費市場需求仍疲弱，預估今年第1季DRAM價格跌幅雖收斂至13~18%，但仍不見下行周期終點，其中，電腦PC及伺服器Server）DRAM跌幅近2成左右；消費沒起色 PC伺服器跌最慘 南亞科去年全年累計營收569.52億元，年減33.47% 1/10.南亞科Q4財報:受價大跌與銷售量減衝擊，稅後虧11.5億元，eps-0.37元，這是南亞科10多年再見營運虧損，但全年仍續獲利，稅後淨利為146億元，eps4.72元，較前年的7.4元顯著下滑。 1/5.SSD、機械硬碟價格暴降廠商賣到哭：傳兩大巨頭威騰、鎧俠重啟談判要合併 23-1/3.DRAM價巨跌,風暴捲土重來？ ++++++++++++++++++++++++
22-12/29.南韓11月晶片產量年減15％，創下2009年來最大降幅。 12/23.長江存儲被制裁 傳三星將調漲記憶體合約價10％ 美光啟爆2023年春財報季地雷 12/22.美光財報現虧損,明年將裁員10％(Sanjay Mehrotra首席執行長:預計2023年盈利能力將面臨挑戰,因市況供給仍過剩嚴重;至11/30.Q1財報已虧損,營收季降約47%至40.9 億美元;淨虧1.95億美元,eps-18美 分,去年同期與上季皆獲利;美光預計Q2營收38億美元,正負2億美元,高於市場預期,但預估每股虧62美分正負10美分,遠高於分析師估虧30美分) 12/17.英國市場研究公司Omdia統計，今年第3季全球DRAM銷售金額為175.48億美元，季滑29.8%近3成，南韓三星DRAM市占率仍維第1，占比下滑。隨全球對半導體產品需求續滑，2022年市場DRAM價呈跌勢，各家供應商銷量隨之下滑，三星DRAM銷售金額71.3億美元季滑34.2%；SK海力士銷售額52.5億美元滑25.3%；美光43.5億美元滑26.3% 12/5.南亞科11月營收27.7億元，月減0.4%年減61.8%,連8個月營收下滑,創9年多來單月新低,主因DRAM產品銷售量與價齊跌,影響11月營收續滑,並較去年同期明顯衰退;前11月營收545.5億元年減30.7%. 12/2.韓SK海力士:若無法投資中國廠,就須考慮售工廠,或將設備移回韓(砸90億美元,收購英特爾中國大連半導體廠,將滿一年就遇美最強晶片禁令,美政府對中半導體工廠投資改為許可制,這讓SK對中國2座工廠追加投資變得困難) 12/2.中國拖累 韓半導體出口重挫近30％(南韓11月整體出口降14%，為2020年中來首出現兩位數降,出口增長2.7%,貿易逆差達70億美元;11月半導體出口重挫29.8%,對中國的出口下降25.5%。中國防疫封鎖措施，已抑制消費者對進口產品的需求) 11/28.過依賴中國,南韓晶片出口衰 11/24.利基型記憶體廠晶豪科財報會:市況低迷,Q3已預先認列1000萬美元晶圓代工廠(力積)長約投片不足損失,同時也認列新台幣3億元庫存跌價損失,因市場需求疲弱,庫存多,客戶進貨保守,第4季將減投片達3至4成,預計明年下半年景氣才回溫;晶豪:這次市場修正類2008年金融海嘯,第3季需求出現跳崖式下滑,這次修正較大問題在於通膨,當時金融海嘯沒通膨問題,並靠中國大量投入基礎建設、促進消費，帶動景氣復甦) 11/25.路透:越南政府:三星已是越南最大單一外國投資者,集團在越南共6工廠、1銷售公司和1研發中心，且將提高對越南投資額，從180億美元增至200億美元，以鞏固越南作為三星主要生產基地;LG集團也將在該國投資40億美元,提高智慧型手機相機模組產能,目前LG已在越南投資約53億美元,主要生產家電、相機和汽車零件等產品;同時,越南宣布:韓越關係將升級為「全面戰略夥伴關係」,代表雙方關係更加緊密,迄今越南僅與中,俄及印度建立這種關係。 11/24.美國升級晶片禁令擴大對中國半導體業制裁，韓企加速去中國化，三星與SK海力士 第3季在中營收降超過4兆韓元。對美國半導體銷售也大增近3兆韓元約台幣698億，強烈對比。 Q3中國對三星和SK海力士的營收占比分別為9.64%、25.07%，與Q2的13.41%、30.46%相比，下降3.7個百分點與5.39個百分點。 11/22.長江存儲掰掰 蘋果改買三星電子記憶晶片 11/17.因應DRAM產業吹起寒風，華邦電台中廠第4季起減產3-4成。 11/17.需求萎靡！美光削减DRAM和NAND两种儲存芯片晶圆开工量季减20%,并进一步削减资本支出,2023财年前景将续黯淡, 11/14.美殺手級晶片禁令 長江存儲：我們快窒息了 11/11.威剛Q3財報:歸母淨利1.4億元,季增289%年增305%,eps0.55元,前3季營收274.6億元,平均毛利率12.97%,營業利益8.66億元,稅前淨利10億元,稅後淨利6.8億元,歸屬母公司淨利為6.5億元,eps2.5元;威剛:Q4市場需求仍受諸多不確定性因素干擾,記憶體合約價還在探底,但威剛最壞時間點已在第2季顯現,下半年將逐季好轉,營運呈現走出谷底態勢. 11/11.AMD首发第四代服务器芯片EPYC9004，代号“Genoa（热那亚）”。该产品5nm工艺，采Zen 4架构，最高采96核&192线程，将于四季度加拿大出货。宣称是秒杀市面上一切服务器级CPU的重磅产品;Intel 也将在2023年1月10发布第四代可扩展处理器Sapphire Rapids。AMD还将在明年陆续发布三款服务器级CPU。所发布的CPU都将全面支持DDR5内存，不再支持DDR4。 11/9.蘋果曾協助召聘西方企業工程師，幫中國長江存儲提高產能 11/1.美光提供最新DRAM晶片 陸續在日台生產(智慧手機製造商提供LPDDR5X、低功耗雙倍數據速率5X標準的最先進DRAM晶片樣品，以供測試) 10/30.鎧俠：長江存儲技術有跳躍式進展 必須監控 10/27.希捷向華為銷售硬碟 美商務部控違反出口規定 10/26.芯片需求不振 明年资本开支大砍50%,海力士Q3財報:营收11万亿韩元季减20%年減7%预期12.2万亿韩元;利润:1.66万亿韩元合12亿美元,预期2.5万亿韩元,季減61%年減暴跌60% (Q3设备和服务器DRAM芯片价季跌约20%,数据存储NAND闪存芯片价跌超20%;海力士股价今年已跌27%) 10/25.旺宏Q4減產逾2成 資本支出下修逾3成 10/18.明年伺服器DRAM搭載容量恐跌破1成 記憶體廠承壓 10/14.SSD價格雪崩腰斬只是開始 供大於求巨頭狂減產減支 10/5.美光表示，計畫在未來20年內投資多達1000億美元（約3.1兆新台幣），在美國紐約北部建立1家工廠，以促進美國儲存晶片的生產。 10/4.南亞科9月合營收32億元,月減6.2%,年減58%，連6個月滑；Q3季合營收110億元季減38.9%年減53.8 %,創近6年來單季新低;第3季向來是傳統旺季，但今年因烏俄戰爭引發通膨，全球消費者信心下降，DRAM需求減弱，價格下跌，衝擊南亞科營收逐月溜滑梯，9月營收32億元不及1月營收67.7億元一半。前9月合營收為489.99億元，年減23.68%。美光已率先宣布減產DRAM，2023年DRAM供過於求比例將由原預估的11.6%，收斂至低於10% 10/4.野村：記憶體市場料2023年Q2觸底 10/3.中國長江存儲高層人事異動 楊士寧卸任執行長職務 10/2.記憶體需求疲軟 鎧俠日本2工廠減產3成 9/30.日本經濟產業省30日表示，將向美光提供高達465億日圓(約102億新台幣)補貼，在廣島工廠生產先進記憶體晶片。 9/30.美光看壞記憶體 大砍明年資本支出逾3成 9/28.摩根史坦利因為將資料中心退役的硬碟整批拿到網路上拍賣，遭罰3500萬美元 9/24.DRAM擴預計將在第4季出現季減13-18%，比上季降幅更大。 三星、SK海力士壞兆頭 9/16.需求不振，南韓8月DRAM出口年減24.7％(7月:-7%) 9/13.威騰CEO：業務狀況難 NAND快閃記憶體定價快速下降 9/7.減依賴並與中國打好關係，蘋果將長江存儲列iPhone 14 供應商 9/5.南亞科8月營收34.2億元，跌破40億元大關,月減22.2%年減58%，為近42 個月、約於3年半來單月新低,前8月累計合營收為新台幣457.9億元年減18.99 9/7.SK海力士砸逾3000億元 在南韓建新記憶體晶片廠 9/3.快閃記憶體庫存堆積如山，業界預測SSD價格將大跌35% 9/2.半導體大廠美光週1日宣布，將在未來10年投資約150億美元，在總部愛達荷州建新廠，美總統拜登也大讚日前通過《晶片法案》奏效。 8/31.第2季NAND Flash營收季增1.1％ Q3估季減10％ 8/29.去年DRAM模組廠營收年增7％ 金士頓市占78.7％居冠 8/23.野村：記憶體產業 將臨更嚴峻的硬著陸 8/16.大摩：下半年記憶體價格料加速下跌 8/12.美晶片法落地,Tudor Brown 辭任職9年中芯董事-安謀ARM前總裁;美光8月9日宣布,2030年前新增美國投資400億美元於記體體晶片製造，該投資未來10年,將使美存儲晶片產能全球市占從不到2%上升到10%;高通和格芯，8月8日宣布達新合作夥伴關係，包括投資42億美元紐約北部工廠擴建。高通此前宣布計劃未來5年內，將美半導體產量提高50%。 8/11.鎧俠已見資料中心客戶調整NAND庫存 8/11.市場庫存太多廠商讓價， 今年Q3消費級DRAM價格跌幅超過13% 8/9.比“最惨”更惨！美光再度下调Q4业绩指引 “逆势”宣布400亿美元半导体制造投资,预计将在2022财年Q4-(至2022年9月),及2023财年Q1(至2022年12月）面临充满挑战市场环境，届时营收和利润率或连续大幅下滑，且2023财年Q1自由现金流或将转负。 8/3.不忍了！SK 海力士與長江存儲分別宣布開發完成 238 及 232 層 NAND Flash 8/3.領先美光 SK海力士宣布成功研發238層NAND快閃記憶體(用於PC存儲設備，以及智慧手機和伺服器)美光上週表示已開始出貨232層NAND晶片。(8/2.N.美限制中國晶片發展，分析師：對韓廠短空長多) 8/1.卡脖子對準長江存儲，美國擬禁止 NAND Flash 生產設備出口中國
7/30.大和:需求批軟,庫存過多,DRAM價跌(大和資本報告，TrendForce數據 DRAM合約價7月份:PC級月減13%,消費級月減8%,伺服器級月減2.3%。另外快閃記憶體NAND 、MLC、SLC晶片合約價格月減3-4%)
7/29.南韓統計廳29日表示，6月全國晶片庫存年成長狂飆79.8％，高於5月53.8％。生產和出貨量皆趨緩。 7/28.鎧俠、威騰合資企業獲高達203億元日本政府補貼
7/27.旺宏下半年營收 可望季季高 7/26.SK海力士：下半年記憶體晶片需求將放緩 7/25.大摩唱衰美光：客戶去化庫存，雲端 DRAM 週跌價 20%
7/20.旺季不旺，但这次存储芯片下行周期更短 7/19.研調估第3季NAND Flash跌價擴大到13％ Q4續跌
7/11.南亞科上半年每股賺4.23元 預估下半年面臨挑戰(Q2營收180億元,季減9.6%,匯兌利益大幅挹注超過30億元，帶動稅後盈餘達65億元，eps2.12元)
7/1.需求放缓 美光业绩指引远远不及预期 盘后一度跌超6%(摘：美光第三财季调整后EPS为2.59美元，调整后收入86.4亿美元；预计第四财季调整后EPS为1.43-1.83美元，调整后收入68-76亿美元，第四财季指引远低于分析师预期的2.57美元，及91.4亿美元)。
7/1.特殊型 DRAM 下半年價格侵蝕超出預期！外資減碼南亞科、力積電
6/30.需求疲軟,韓5月全國晶片庫存年增53.4％ ,創4年多來最大增幅,僅次於2018年3月54.1％ ,當時恰逢記憶體晶片產業營收成長放緩
6/30.保守看記憶體類股！外資降評南亞科、群聯，減碼華邦電
6/23.黑天鵝多 南亞科：第3季DRAM價格續修(6/23.南亞科投資3千億元建DRAM新廠2025年投產)
6/21.三星手機庫存量5000萬支傳過高(為今年手機目標出貨量2.7億支近2成,遠超過安全水位10%),中階A系列最糟,原因包括烏俄戰、中國疫情封城，及供應鏈,原物料上漲等問題。 6/21.深圳國資設DRAM廠 執行長自台積電挖角1
6/10.美光持續加碼投資台灣增聘員工,台中廠導入 EUV 將於2024 年量產
6/7.受中國封控影響,消費電子產品需求下滑等因素,旺宏,華邦電營收:5月(皆下滑;旺宏35億,月減8.5%年減11%,但為歷年同期次高,前5月190億元年增9%;華邦電88億元月減1.2%,年增7.5%,創同期新高,前5月443億元年增17%)
6/6.南亞科 因中國封城防疫等因素, 5 月營收 61.97 億月減6%,年減18.5%,一年多來新低,前 5 月合營收327 億元, 年同期持平。 5/25.研調預估第2季NAND Flash價漲量增 營收季增逾1成
5/18.研調:通膨＋需求減弱 第1季全球DRAM營收季減4％(Q1營收:美光小升2.4%,三星、SK海力士減1.1%,11.8%,兩家韓大廠囊括70.8%市占;受合約價跌影響,營業利益率皆下修:三星,海力士,美光分別降至48%,39%及40%)
5/15.美光CEO:個人 PC市場正放緩
果如預期
5/9.中國封城衝擊來,NB大廠4月營收慘不忍睹:仁寶月減47.5%,創27個月新低,廣達月減39.5%,創兩年新低;品牌大廠華碩月減39%創23個月新低 https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1516464
4/20.華邦電衝DDR3產能 2024年營收比上看5成 (南韓三星等記憶體大廠陸續淡出DDR3市場) https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/3900039
4/11.南亞科103億美晶圓廠工程 恐推遲6個月以上,最快2025年才能開始生產,材料、設備和建築工人短缺最新衝擊(自主研發10奈米級製程技術生產DRAM晶片,及規劃建置EUV極紫外光微影生產技術,月產能約4.5萬片晶圓) https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/3889772
4/11.南亞科Q1財報:營業利益62.6億元雖季減22%,但受惠匯率與環保費用回沖等因素,業外收入17.66億元,季稅後純益65.5億元,季增1.5%,年增15% eps2.11元,近4年同期新高(2022年度資本支出不超過284億元為上限,現金股利約3.7元)
4/11.烏俄戰＋中國封城 南亞科:Q2 DRAM續跌或持平,第3季與第4季需求不錯,全年展望審慎樂觀 https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/3889652
4/6.長江存儲打入蘋果供應鏈,NAND Flash 將成中國首具競爭力半導體 ( NAND Flash 市占率僅世界 6%~8%;約每月 8 萬片,擴產設第二晶圓廠,預計產能每月再增10 萬片)
4/3..中國二手平台出現大批超便宜SSD固態硬碟，網友買來跑了測試軟體才發現全都是「礦碟」 3/30.TrendForce:買賣雙方庫存略偏高,再加上PC,筆電,智慧型手機等受近俄烏戰事和高通膨影響,需求續轉弱,但在鎧俠與威騰電WDC2月原物料汙染事件影響,整體供給下修,成第二季NAND Flash價翻漲5~10%. 3/29.長江存儲正式打入蘋果 Flash 供應鏈！傳供貨 iPhone SE
電子季節循環大淡季--任職PC 大廠群友已示警多次
3/29.DRAM供過於求 Q2價格估續
被點名華邦電大跌
3/24.大摩:記憶體需求疲軟 保守看南亞科,華邦( 因下調PC出貨量指引) 3/2..减产、涨价、“急速转为供不应求”,NAND闪存的戏有点多 2/23.〈俄烏衝突〉記憶體惰性氣體供給受阻 助推NAND Flash價格漲勢
2/21.大摩:DRAM競爭加劇 衝擊華邦、南亞科
美光受惠噴
2/10.威騰、鎧俠快閃記憶體材料遭汙染 衝擊3D NAND產能
2/9.市場預期記憶體市場 2022 年首季仍維修正態勢,且科技業進傳統淡季,國內記憶體大廠南亞科及旺宏 9 日公布 2022 年元月份營收,分別都較 前月減2.37%與 9.2%、卻年增 23.7%與22.42%,各自創下同期新高,
昨美光股價打臉這新聞
2/8.PC 需求弱、DRAM 價格轉跌，今後恐續降
1/28.防中竊技術 美光將撤上海設計團隊(未來該中心將專注於NAND儲存型快閃記憶體、SSD固態硬碟技術)
1/28.美光竊密案 聯電二審改輕判(聯電罰金降至兩千萬元、緩刑)(去年11月,聯電與美光更共同宣布達成全球和解協議)
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股價崩跌成大山峰後再降評美光股價連噴 21--12/23.中國西安封城 恐衝擊半導體、汽車產業(東網:三星在西安2座快閃記憶體NAND晶片廠,佔三星40%產能;美半導體大廠美光在西安設DRAM測試及封裝廠)
12/22.海力士收購英特爾NAND業務 中國有條件批准 (不得以不合理價格向中國境內市場供應PCle和SATA企業級SSD;須在生效日起的5年內，擴大PCle和SATA企業級SSD產量;不得強制客戶進行排他性採購;不得綑綁銷售,或與中國競爭對手達成排除或限制競爭的協議等條件)
12/21.晶片需求強勁 美光公布財報優於預期
12/14.逢需求淡季 明年Q1 DRAM估跌價8-13%
12/3.上週市場炒記憶體,我問記憶體報價漲跌？考慮運輸時間,製造業的舖貨大旺季要過了！
12/3.科.NAND 價跌,PC 用 SSD 價格一年來首降;下季恐續跌
12/3.大摩：NOR Flash上漲空間有限 看壞旺宏、華邦
12/3.受惠美光聯電和解 野村上調群聯目標價至546元
12/2.美光與聯電(官司和解)宣布擴大業務合作,攜手強化客戶供應鏈
11/23.美光、WDC 逆勢飆！外資認錯:實際需求意外夯 美光、WDC的投資評等同步從「中立」調高至「買進」，目標價則分別從75美元上修至95美元、55美元上修至75美元 科技角力 SK海力士中國記憶體廠EUV布局進退兩難
11/9.股價走在基本面3～6個月前,威剛Q3eps0.14元,前三季eps9.03元;Q3如預期,庫存價差讓它eps大崩!
11/9.威剛Q3財報:僅賺3514萬元 eps0.14,創近7季新低,前三季9.03元;展望明年Q1看好DRAM需求將再重回成長軌道，開啟新一波備貨動能
11/2.DRAM 價格步入下跌週期(10 月 DDR4 8Gb 平均合約價3.71 美元,月跌9.51%)三星與 SK 海力士啟動出貨控制計畫
10/29.美光全新 Crucial DDR5 記憶體上市，傳輸速率提升 50%
10/29.群聯財報事件遭判刑，潘健成:遺憾將上訴 10/25.SSD模組整體去年出貨量年減15％ 威剛居全球第二大 Amat股價開盤噴後回落
10/23.信.美光10年1千5百億美元資本支出(美生產成本高出亞洲35到45％;美光是台最大外商,首座支援EUV廠在台,為美光最先進製程1α奈米製程DRAM的生產重鎮),證實正與台日星政府談擴廠條件
10/20.考量台灣風險選擇日本！美光傳砸 8 千億日圓蓋 DRAM 新工廠 股價走在基本面前3～6個月,確認基本面時，股價已成大山峰！
10/19.大摩: NOR Flash需求疲軟定價將觸頂 下調記憶體旺宏、華邦評級
10/20.野村下修群聯目標價至480 (評等維買入)
JL叮囑寫N次,再寫ㄧ次
10/12.鉅.明年DRAM產業將供過於求 ASP估下滑15-20%
10/6.大摩看淡記憶體後市 下調南亞科目標價75元至68元 (南亞科9月合營收約76.7億元月減6.5%年增38.4%,創近3個月單月新低;不過Q3合營收約238.37億元,季增5.3%,續創今年來單季新高)
10/5.中國限電NAND關鍵原料產量銳減 半導體供應鏈再添憂
9/29.美光估記憶體晶片出貨短期將出現下滑 盤後股價重挫逾4％
9/22.N.客戶手中庫存續攀高,第四季記憶體價將轉跌 3%~8%
9/17.大摩看衰NOR Flash 下修華邦、旺宏目標價
9/14. N.DRAM 價格 10 個月來首跌！廠商談判現弱勢，今後恐續跌
9/14.大摩喊賣力積電,目標價維持58元 9/7.跌勢恐提早在第4季 凱基投顧建議減碼DRAM股
9/3.威騰電子併鎧俠無望？日本:考慮有條件支持
8/25.DRAM 現貨價恐拖累合約價？DRAM現貨價6月中往下已ㄧ成,本以為漲多回檔短期修正,目前跌近 2 個月,現貨價已跌到低於合約價死亡交叉,拖累 Q4 合約價也往下,終端需求的確轉弱,開學返校旺季未見補貨潮,可能該補貨都已補貨。 集邦:7月初起現貨PC DRAM需求疲軟,賣方積極調節庫存降價求售,合約市廠,PC OEMs因憂缺料而大量備料,使DRAM庫存已達高水位;DRAM消耗占比30- 40%為伺服器市場,為支撐未來價因素. https://technews.tw/2021/08/25/dram-spot-price-server/
8/23.TrendForce:Q3,DRAM合約價續揚 漲3~8％(目前原廠仍多半對於整體市況維正面看法,但隨買方DRAM庫存續處高檔,本季部分產品拉貨成長恐將趨緩,影響漲幅收斂到3~8%)
8/21.晶片交貨期延長,囤貨疑慮增！美光、II-VI 股價下殺
8/20.美光:記憶體市場沒有供需失衡,首條 EUV 產線將落腳台灣
8/20.N.外資記憶體寒冬產業報告,引來一批記憶體廠商高分貝反駁 8/18.大老闆紛打臉外資看空 記憶體族群股價翻紅.吳敏求指:旺宏NOR,NAND不但下半年需求看好,明年整年也看好;華邦電總經理陳沛銘:目前整體需求還是很強勁,明年DRAM有DDR4或DDR5新產能,但華邦為DDR3需求應仍在,他目前看明年市況還是很樂觀
8/17.美系外資送暖，DRAM 超跌準備迎接下個成長週期 **8/12.N.DRAM 業務處於成長週期末段,外資調降力積電投資評等及目標價
JL 鬼扯PC換機潮,記憶體,模組廠,與相關通路 封測,晶圓,設備
8/13.PC換機潮因疫情在家工作與上課提早，且上游零組件大漲產品轉嫁價難,壓縮毛利 PC 股股價在開學返校購物潮大旺季前， 1)PC相關股價幾全面早已成大山峰參拜墓碑了，看出徵兆 2)PC 必備的記憶體，也因PC 大旺季消費大減而大減記憶體需求，存貨滿手的降風險殺價減庫存 3)記憶體不行，擴廠進度放緩，設備股 股價就跌了！ 4)記憶體庫存增，當然，就減產，晶圓需求減， 中美晶 環晶等 要減產， 股價就迅跌了！ 5)對了 記憶體不行，它的供應鍊 除製造的美光 海力士 美光 南亞科 華邦電， 威剛 創見 至上等盤商，封測力成(還有誰？) 還有那些？ 其中，有名炒手除威剛小白外，就是小潘潘了， 2008~09年的抄盤記錄，無人能出其右， 全部大倒掉，再大買回，誰還記得？ M.: 8110 是南亞科跟華邦電 dram封測，也一起G~ A. Chen： 校長說的群聯記憶猶新 海嘯後半年從40到280

8/12.過去都是Q4旺季過就降評砍目標價,今年旺季前先砍

8/12.記憶體凜冬來!大摩調降美光至中立,目標價從105 美元降至75 美元;SK海力士降評中立劣於大盤,目標價從156,000韓圜降至80,000韓圜;大砍三星2個目標價:從 84,000 韓圜降至 77,000 韓圜、98,000 韓圜降至 89,000 韓圜;將旺宏,南亞科,華邦電評等降至中立(大摩示警:雖記憶體價續漲,但供追上需,產業週期已入後,即使記憶體相關股價便宜,也不具有吸引力,跌深低接策略不再合理)

8/12.科.大摩看壞記憶體族群,一口氣大砍南亞科,旺宏,華邦電評等 維兆易創新加碼。
8/12.N.DRAM 業務處於成長週期末段,外資調降力積電投資評等及目標價 /
8/11.科.現貨價跌不止後市不保？DRAM 現貨價自 6 月下旬高檔下滑跌勢未止,集邦科技 DRAM 價格指數 DXI 觀察:6月下旬迄今DXI 跌約 7%~10%,也預估第四季PC DRAM 合約價恐轉跌勢,DRAM 後市添陰霾。 小白何時解套海運股？
8/4.威剛上半年賺贏過去各年度 每股純益9.05元創新高
8/4.自.美兩院議員要求 中國長江存儲 列出口管制清單
7/28.旺宏斥資415億 擴產3D NAND快閃記憶體
7/28.力成看好DRAM將好到明年 上修資本支出150億到170億元
7/24.科.產業超級週期來了！台廠掀記憶體擴產潮,誰是最大贏家？
7/14.記憶體Q3仍看漲！海力士、美光投資EUV猛擴廠，南亞科穩紮穩打採守勢
7/13.外資看好華邦電整合子公司業務效益，提升目標價至每股 45 元

7/9.南亞科財報:調價3成,季營收226億元,季增27.7%,年增37.3%,毛利率42.3%,季增13.2bp, 年增11.7bp,稅後61.6億元,季增1.27倍,年增91.3%,eps2元,創近10季來新高; 上半年營收403億,年增30.6%；毛利率36.5%,年增9.07bp;營業利益率25%,年增8.6bp;稅後盈餘88.66億元,年增72%,eps2.88元(去年全年2.51元) 前瞻:預估第3季DRAM合約價續漲 毛利率將續增,但漲幅將不像第2季高達3成,第4季價也有機會季增或持平;李培瑛:南亞科今年產出達極限,庫存也已漸消化掉,Q3銷售量不會季增,甚微減,但因價續漲,毛利率將季升;10奈米製程規畫進行中,8Gb DDR4第一代已試產中,預期隨10奈米導入量產,明年銷售量有機會逐季增。
7/5.N.DRAM 現貨價漲風再起，獲利成長可期

7/2.美光財報優預期,前瞻看好,股價卻大跌5%？

7/2.美光看好記憶體吃緊到明年 財報優於預期,預估記憶體需求持續強勁,今年DRAM,NAND快閃記憶體位元需求將年成長超過20%與35%,需求大於供給 有利台股相關族群 7/2.股價開盤噴鎖漲停
7/2.威剛本業加業外投資收益，前5月大賺17.65億元、EPS7.51元 超越去年全年
6/29.DRAM第三季合約價續漲 漲幅估計5-10% 6/24.NOR快閃記憶體下半年續漲 旺宏,華邦電吃補 6/4.中國半導體廠專攻低價記憶體 韓媒:技術不足 (中廠明年在全球低價記憶體市場的份額可能會達約29%) 6/4.中國2大記憶晶片製造商長江存儲和長鑫存儲正加大低階晶片產能，以因應國內晶片短缺,分析師：問題增產惹禍 全球記憶晶片面臨降價壓力 6/3.科.記憶體供給吃緊,美光:可能延續到 2022 年
5/6.NAND料產能過剩價跌,研究機構:因長江存儲擴產1倍至10萬片晶圓,市佔今年3.8%,明年將增至6.7%
5/6.遭控操縱DRAM價格 三星、SK海力士、美光再挨告
5/3.威剛握逾百億高庫存創史新高, Q1每股大賺2.94元 創14季以來新高
4/26.奇亞幣熱潮來襲 威剛飆漲停 4月SSD接單暴增4~5倍
4/23群聯今宣布全系列產品漲價 股價攻漲停
4/21.礦工不只搶顯示卡！下一波缺貨潮可能是「SSD 硬碟」
4/20.DRAM 第 2 季漲幅上修 23%~28%,第 2 季合約價,從原先預估13%~18% 上修至 18%~23%,估第 3 季合約價將續漲 10~20％,法人點名 4 檔(南亞科 威剛 十銓 創見)旺到年底
4/20.自.台塑集團南亞科宣布建1座雙層無塵室12吋先進晶圓廠,將採南亞科自研發10奈米製程EUV極紫外光微影技術生產DRAM晶片,月產4.5萬片,預估7年分3階段投資3千億,2021年底動工,23年底完工,24年第1階段量產 4/10.自.南亞科:DRAM第二季價格持續上漲
4/2.與力積電 聯電 陽明同,百年疫情大灑錢造究循環股百年的印股換鈔搶錢大行情
4/2.自.不賣了？傳鎧俠拼今夏IPO 市值估超過1兆
4/1.科.美光財報財測讚，筆電需求夯、DRAM 嚴重供不應求
3/29.自.吳敏求：這波NOR Flash缺貨恐長達2年
3/9.誰有庫存受惠?通路？pc廠？

3/9.央.三星美國德州廠停工 市調:第2季SSD報價看漲8%
3/8.自.奧斯汀廠衝擊 三星通知5月SSD供貨將大減3成
3/4.央.DRAM價格起漲 集邦：第1季產值小幅成長
3/4.自.威剛估1Q營運將優於上季 DRAM逐季看漲
1/8.自.南亞科看好上半年DRAM合約價將逐季上漲
1/6.自.威剛大舉拉高庫存 準備迎接記憶體多頭走勢 威剛去年營收逆增至321億元年增25.6%,預期DRAM合約價可望於本季從谷底回升,全年更有機會一路向上,公司已拉高庫存,準備迎接下波記憶體多頭走勢。