記憶體被動元件模組通路晶圓PAJL25:

記憶體/模組/晶圓/PA:25(24提早噴;25-9~12月噴數倍): +++++++++++++++++
2/3.对标HBM！软银联手英特尔开发"ZAM"：要让AI内存更便宜、更省电;软银联手英特尔押注下一代AI内存技术ZAM。该技术源自美国政府项目，主打低功耗与低成本，直击AI能耗瓶颈和供应链紧张难题，原型预计2028年问世。受此消息刺激，软银与英特尔股价双双大涨超5%。软银与英特尔联手押注下一代AI内存技术，试图在高带宽内存（HBM）主导的市场格局中开辟新路径。双方合作开发的"Z-Angle Memory"（ZAM）项目聚焦降低功耗和成本，直指当前AI面临的能耗瓶颈和供应链紧张难题。 软银旗下子公司Saimemory周二宣布与英特尔签署合作协议，共同推进这项面向人工智能和高性能计算的新一代内存技术商业化。该技术旨在改进传统动态随机存取内存（DRAM）架构，以满足AI应用日益增长的性能需求。软银新闻稿，ZAM项目的原型产品预计在截至2028年3月31日的财年内完成，商业化目标锁定2029财年。 1/30.財報炸裂,快閃記憶體大廠Sandisk SNDK29日盤後大漲超過15%，利多不只來自FYQ2財報遠勝市場預期，也因Q3財測感驚喜。 Q2:關鍵數字vs.分析師預期 EPS:6.20美元vs3.49 美元 營收30.3億美元vs26.7億美元,季增30% 預估Q3:關鍵數字vs預期 EPS:12-14美元vs4.21 美元 營收：44-48億美元vs29.2億美元 Sndk預估，本季(FYQ3) 營收將44-48億美元間，明顯高於市場共識預估29.2億美元，調整後每股盈餘介於12~14美元，幾乎分析師共識預期4.21美元三倍。營收預測中值46億美元看，季增幅度73%，顯示Sndk業務動能正加速擴張，尤其是AI相關儲存解決方案領域。 AI浪潮帶動下，Sank去年股價狂飆559%，今年到周四收盤止累漲127%。Sank周四稍早收每股 539.3美元，盤後公布財報後，股價直線拉漲一波，最高漲逾15%。據公司財報聲明，資料中心營收季增64%，主因是「AI 基礎建設商、半客製化客戶，及大規模部署AI科技公司，出現強勁採用動能」。執行長 David Goeckeler 說：「上季表現凸顯我們在掌握更佳產品組合、加速企業級SSD部署，及強化市場需求動能方面的靈活度」他指出：「透過結構性調整，我們讓供給重新對準那些具吸引力且持久的需求，讓公司能在紀律下推動成長，並交出業界領先的財務表現。」 1/22.摩爾投顧投資長郭哲榮:最近記憶體族群的走勢，驚心動魄來形容。前一天強勢攻漲停，隔一天殺跌停，暴漲暴跌極端走勢，，記憶體產業的長線趨勢或許還沒走完，股價未來或許還有機會創高，但是，現階段已經出現初步過熱跡象。現在網路上的財經節目，只要標題和記憶體相關，點閱率都特別高，現在記憶體的熱度，非常像前年00940的熱度，當初原先想賺新增成分股價差、想吃投信豆腐的投資人，最後因為市場太熱，最後反而變成臭豆腐。所以，記憶體那種最好賺、動輒翻倍的一段行情已過去。現在操作難度大幅提升，如還抱無腦多心態，很容易受傷。因觀察到記憶體族群三大警訊須提高警覺的：第一、台美股連動性失效：最近就算美股記憶體指標股美光和Sandisk表現強勢大漲，隔天台股的記憶體族群也不一定會跟漲，甚至還會殺低。代表台股內部的籌碼已經開始鬆動。 第二、處置股出關反跌：在多頭強勢的格局裡，股票越關越大尾是常態。但最近鈺創和群聯，出關解禁後，不但沒噴出，反大跌。顯示市場追價意願不足，大戶反利用出關調節籌碼。 第三、南亞科法說會利多不漲：南亞科前法說會，釋出展望並不差，但股價卻是利多不漲，利空大跌。這在技術面和籌碼面都是一個高檔背離的訊號，代表好消息已經被股價提前反應完了，剩下只有獲利了結的賣壓。 1/22.記憶體全面漲價80%？三星：市場傳言不正確;記憶體大廠三星22日傳出，將全面調漲記憶體價格達80%。對此三星表示，市場傳言不正確，並未對全品項調漲；業界指出，三星上個月僅調漲部分產品，仍以 DRAM 漲幅較多，而 SK 海力士上個月的確有針對 DRAM 產品調漲 80%。市場今日傳出，疑似為三星記憶體代理商的通知文件，內文指出由於全球半導體市場發生重大變化，包括供應限制和上游製造成本大幅上漲，三星已正式調整價格調整，即日起，三星所有記憶體產品價格將上漲至多達 80%，因此由代理商發出漲價通知。 1/19.美光警告：AI引发的存储芯片短缺“前所未有”，将持续到2026年以后;美光科技警告，AI引发的高端存储芯片短缺“史无前例”。HBM产能被AI加速器大量挤占，已冲击手机、PC等传统消费电子出货，多家厂商下调明年目标。为保供英伟达等战略客户，美光已停产消费级内存品牌，并加速扩产。 美光科技指出，人工智能基础设施对高端半导体的需求激增，正引发一场“史无前例”的内存芯片短缺。该公司警告，这一供应紧张局面在过去季度持续加剧，并将延续至2026年之后。美光运营执行副总裁Manish Bhatia表示，AI加速器所需的高带宽内存（HBM）“消耗了行业绝大部分可用产能，导致手机、个人电脑等传统领域面临严重短缺”。芯片短缺已产生连锁反应。据界面报道，由于内存成本上涨，小米、Oppo及传音控股等主要手机制造商已下调2026年出货目标，其中Oppo预测降幅高达20%。行业机构Counterpoint Research此前估计，因存储芯片成本上升与产能挤压，2026年全球智能手机出货量可能下降2.1%。影响范围正持续扩大，戴尔等个人电脑制造商也已预警可能受短缺冲击。与此同时，消费电子、自动驾驶及人形机器人等领域对存储芯片的需求仍在攀升，多家厂商已开始争夺2026年之后的产能供应。 AI需求重塑供应格局:全球三大内存芯片巨头美光、SK海力士与三星电子股价在2025年因AI需求爆发而大幅上涨。SK海力士透露，公司2026年的芯片产能已全部售罄；美光也表示，其面向AI的高端内存产品在今年内已被预订一空。过去一年，美光股价涨超231.6%。 1/19.南亞科2025年財報:Q4毛利率49.1%（前季僅 32%），單季EPS 1.56元，一季賺贏前三季總和;全年EPS 2.13 元，2024年大虧陰霾，轉虧為盈。AI排擠效應 三大原廠（三星、海力士、美光）產能全押注 AI必備HBM與高階DDR5，導致標準型DDR4產能被排擠，供給嚴重吃緊。南亞科主攻DDR4，成為這波「漲價紅利」最大贏家。 未來展望:公司看好2026年市況樂觀，資本支出加碼至260億元投入新製程。 1/17.Micron17日宣布和力積電簽署獨家意向書，將以總價18億美元現金收購力積電位於台灣苗栗縣銅鑼P5晶圓廠。此收購案包含一座現有300mm(12英吋)晶圓廠無塵室，面積約為30萬平方英尺，有助進一步強化美光定位，以因應全球對記憶體解決方案日益增長需求。此意向書旨建立美光與力積電在美光DRAM晶圓後段組裝製程(post-wafer assembly processing)的長期合作關係，並助力積電精進其既有利基型DRAM產品線。美光全球營運執行副總裁Manish Bhatia表示，此次收購現有前段製程無塵室可與美光目前相鄰台中廠區營運互補，以提升產能，服務客戶，也將促進在台灣營運的整體綜效。該交易預計於今年第二季完成，並需在完成協議簽署及取得必要的監管核准後進行。交易完成後，美光將取得力積電銅鑼廠區P5晶圓廠的所有權，並將分階段導入設備，逐步提升DRAM產能。預期將自2027年下半年起，為其DRAM晶圓產能帶來顯著貢獻。(2024/05/02:力積電:銅鑼新廠於2021年3月動土興建，疫情期間仍與協力廠商合作，不間斷趕工興建廠房、安裝機器設備，耗時約3年落成啟用，至目前此項12吋晶圓廠投資案已耗資逾800億元) 1/10.隨記憶體已成AI基建的戰略資源，市調機構集邦科技表示，在產能有限情況下，報價不斷上漲，將推升記憶體產值逐年創高，預估2026年達5516億美元後，2027年再年增53%至8427億美元規模。集邦指出，過去DRAM單季漲幅最高約35%，這波在DDR5需求拉升帶動下，2025年第4季大漲53%~58%，全年DRAM產值年增73%至1657億美元，今年在CSP業者需求暢旺下，持續推升價格上揚，預期第1季漲逾60%，部分產品線甚至有近倍水準此外，加上未來3季持續看漲，今年DRAM產值年增144%至4043億美元。 NAND Flash產值年增112%至1473億美元 另因企業級固態硬碟（SSD）需求強勁，帶動NAND Flash報價漲幅擴大，第1季看漲55%~60%，漲勢並可望延續至年底，今年全年NAND Flash產值將達1473億美元，年增112%。 1/14.三星、SK海力士2026年DRAM擴產腳步　恐只夠滿足一半需求 1/8.利润翻三倍！三星预计Q4利润20万亿、营收93万亿韩元双创新高，AI引爆存储“失控式”涨价; 公司发布Q4业绩指引：营业利润预计高达20万亿韩元，同比翻三倍，环比激增64%，创下历史纪录，销售额同样飙升至93万亿韩元的历史最高点。 在AI狂潮的强力助推下，三星正通过“失控式”的量价齐升，或正向华尔街宣告存储芯片最强卖方市场的到来。公司预计本月晚些时候发布完整财报。储热得发烫，在AI浪潮中三星电子利润预计将创下历史新高。预计将交出一份远超市场预期的成绩单。据三星发布的初步数据，公司在12月季度的营业利润预计将达到20万亿韩元（约138亿美元）。这一数字不仅同比激增，更是打破了2018年第三季度创下的17.6万亿韩元的历史纪录。相比之下，分析师此前的平均预期仅为17.8万亿韩元。营收销售额方面，预计将同比增长23%，达到93万亿韩元的历史高位。 营业利润： 预计高达20万亿韩元，同比翻三倍，同比增长208%，环比激增64% 销售额：相比2024年第四季度的75.79万亿韩元，同比大涨约23%；相比上季度的86.06万亿韩元，环比增长约8%。 为了满足英伟达等AI巨头对高带宽内存（HBM）和企业级SSD的无底洞般的需求，三星等存储制造商正在激进地将生产线从普通消费级芯片转向高利润的高端芯片。这种产能的结构性转移，直接导致用于筆电和服务器标准存储芯片出现严重短缺。 DRAM： 据CLSA证券韩国研究主管Sanjeev Rana分析，第四季度DRAM平均售价（ASP）季涨30%以上。 NAND（闪存）价格季涨约 20%。 同比数据更惊人：TrendForce:某类DRAM芯片合约价Q4年暴涨313%。 对于市场而言，这里的预期差在于：市场此前虽然预判了涨价，但低估了“超大规模云服务商（Hyperscalers）”为抢夺DRAM资源而支付溢价意愿，低估了这场供应危机严重程度。而三星股价在过去半年已翻倍，并在本月续飙升，反映出市场对存储周期强烈看多情绪。 1/5.TrendForce 5日發布最新預測，2026 年第一季由於 DRAM 原廠產能轉進先進製程與伺服器、HBM 應用，以滿足 AI 伺服器需求，其餘市場供給嚴重緊縮，預估整體一般型 DRAM (conventional DRAM) 合約價將季增 55-60%；NAND Flash 則因原廠控管產能，和伺服器強勁拉貨排擠其他應用，估計各類產品合約價持續上漲 33-38%。 1/5.複製「缺貨漲價」神話的被動元件;大家可能覺得 MLCC（積層陶瓷電容）這種小東西不值錢，但你聽聽這個數字：輝達 GB300 平台，單一個 AI 機櫃對 MLCC 的需求量高達 3 萬到 4萬顆。這是智慧型手機的 30 倍！ 為什麼 2026 年是被動元件年？ 原物料暴漲： 2025 年底銀價大幅飆升，這對被動元件商來說是最好的「漲價藉口」。 龍頭喊漲： 龍頭廠國巨2327 已經在 2026年元旦正式啟動磁珠漲價，這是近半年來的第三波調價。這就是產業爆發的前兆：「供需失衡，賣方市場」。 關鍵佈局名單： 國巨2327。在併購效益顯現後，國巨現在是全球唯一同時擁有電阻、電容、電感三大競爭力的霸主。轉折黑馬股：九豪6127。如果你喜歡那種短小精悍、跑得快的，九豪在陶瓷基板的轉折點上已經站穩，最近的走勢很有「飆股」架勢。高壓大電流需求：華新科 2492 與其旗下的 信昌電6173，專攻軍工與車用高階市場，避開了低價競爭。 利基型強將： 立隆電2472（固態電容）、凱美2375（電阻 / 風扇）、勤凱4760（導電漿料）、光頡3624（精密電阻）。這些公司在 AI伺服器電源端的滲透率正快速提升。 1/2.Bernstein 分析師在最新報告中指出，在全球人工智慧相關需求持續不墜及供應受限的推動下，全球記憶體市場預計將持續獲得穩固支撐，並經歷一場創紀錄的價格上行周期，並將持續到 2026 年。 1/1.存储价格飙升，今年消费电子产品可能涨价高达20%;存储芯片引发的成本压力，预计将在2026年使终端消费电子产品价格上涨5%至20%。行业共识是，在2027年之前难以获得实质性的新增产能，将引发2026年的预防性囤货潮，芯片价格将进一步上涨。由于人工智能需求推动存储芯片价格飙升，消费电子产品制造商警告今年产品价格可能上涨5%至20%。从智能手机、电脑到家用电器，消费者将面临广泛的价格压力。包括戴尔、联想和小米等消费电子制造商已接连发出警告，指出芯片短缺与成本激增正迫使其调整定价策略。戴尔首席运营官Jeff Clarke在11月的财报电话会议上表示，公司从未见过成本以如此速度上涨，影响将不可避免地传导至消费者。涨价预期已成共识，但具体幅度存在分歧。麦格理分析师Daniel Kim预测涨幅为10%至20%，而野村证券亚太股票研究联席主管CW Chung预计涨幅为5%。芯片短缺已导致企业开始囤积芯片，这将进一步推高半导体价格。 AI数据中心需求挤压消费市场:全球数据中心建设热潮，正引发半导体产业链的结构性倾斜。对用于AI服务器的尖端高带宽存储芯片（HBM） 的迫切需求，已促使芯片制造商将产能与研发资源向该高附加值领域集中，相对降低了用于消费电子的传统DRAM等中低端半导体的生产优先级。这导致了广泛应用于汽车、电脑等产品的动态随机存取存储器芯片的短缺。市场研究机构TrendForce预测，包括HBM芯片在内的DRAM平均价格将在2025年第四季度环比上涨50%至55%。三星和SK海力士这两家控制着70%DRAM市场的全球最大存储芯片制造商表示，2026年的订单已经超过产能。三星上月将部分存储芯片价格上调了60%。 三星高管Kim Jae-june在10月的财报电话会议上表示："与AI相关的服务器需求持续增长，这一需求显著超过了行业供应。" 科技巨头锁定长期供应:消费电子制造商正被迫接受显著抬高的芯片采购成本，其议价能力受到结构性挤压。核心原因在于，亚马逊、谷歌等超大规模云服务提供商为确保其AI服务器所需的DRAM供应，正以长期协议的形式提前锁定芯片制造商的大量产能，这直接分流了原本流向消费电子领域的半导体资源。摩根士丹利预计，美国大型科技公司在AI基础设施上的支出将从2025年的4700亿美元激增至2026年的6200亿美元，并预测到2028年，全球在AI数据中心及相关硬件上的累计总支出将达到2.9万亿美元。 面对持续紧张的供应格局，花旗集团分析师Peter Lee指出："AI数据中心推理需求远超预期，也耗尽了PC和智能手机的芯片库存。在2027年之前供应将持续紧张，预计不会有额外产能。2026年芯片囤积情况将更加严重。" 制造商应对策略各异:面对持续的半导体供应链压力与成本上涨，全球主要消费电子制造商已采取差异化的应对策略，其核心在于战略性备货与审慎的价格传导。
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12/30.NAND供不應求！群聯11月自結獲利暴增逾674%、EPS達7.9元 12/25.雖然八月就有傳聞Samsung暫緩DDR4停產計畫，不過隨近期記憶體漲價，市場出現罕見變動，這也驅動Samsung 續生產DDR4決定，甚也並未列出停產時間表。不只是DDR5漲價，舊款DDR4價相對飆升，且供應嚴重吃緊。據來源消息，Samsung傳出內部策略大轉向。原定DDR4 於2025年底停產EOL計畫將放緩，並預計在 2026年第一季與特定伺服器客戶簽署NCNR（不可取消、不可退貨）長期供貨合約，確保在市場供不應求之際鎖定最大利潤。 1224.三星、SK海力士傳罕見調漲HBM3E價格近20% 12/24.NAND 價格續飆、Wafer 報價全面上調；記憶體族群耶誕前夕噴發，群聯、威剛、晶豪科、凌航皆漲停 12/22.報導指稱，三星近期不僅提升了韓國國內DRAM、NAND快閃記憶體的產線利用率，更重點擴大了高頻寬記憶體（HBM）等高階產品的產出。另外，三星於11月決定平澤五廠恢復施工，預定2028年開始量產，以強化其滿足先進儲存晶片需求的能力。至於SK海力士，其位於清州的M15X新廠正緊鑼密鼓準備投入生產，該廠將聚焦於DRAM與其它AI導向的儲存產品。業界高層表示，SK海力士正試圖趕在原定的2027年前，完成位於龍仁半導體園區內的首座晶圓廠，該設施規模相當於六座M15X晶圓廠。 由於AI相關需求預期於未來幾年持續激增，產能被視為競爭力的關鍵決定因素。根據Omdia的數據，全球DRAM市場規模預期於2026年前達到1700億美元，高於2024年的1000億美元。 12/21.記憶體大缺貨搶產能　傳美光也敲門力積電銅鑼廠 12/18.台股美光財報碾壓式成長,激勵盤後股價飆漲 8.11%。Q1 戰績輾壓預期： 在 AI 伺服器對 HBM 與高容量 DDR5 強勁需求帶動下，美光 Q1 營收達 136.4 億美元（年增 57%），EPS 為 4.78 美元，雙雙擊敗市場預期。毛利率大幅跳升至 56.8%，反映高附加價值產品出貨佔比快速拉高。 Q2 指引噴出： 公司對 Q2財測徹底顛覆市場模型。預估營收將達 187 億美元，遠超市場預期的 145 億美元，差距高達 30%。更驚人的是，預估毛利率將衝上 67%（媲美軟體業水準），EPS 中位數達 8.42 美元，幾乎是市場預期的兩倍。這顯示記憶體處於極度供不應求的賣方市場，價格具強大上漲動能。 關鍵驅動力與影響：執行長強調AI需求加速，HBM產能滿載且具定價優勢，美光策略轉型，淡出低階消費市場專注高獲利資料中心業務，是毛利率暴衝主因，此財報確立AI需求不墜。 ***12/19.美光狂漲10%受惠AI記憶體需求飆升：因預測本季營收與獲利將大幅跳升，毛利率更將創下史新高。在AI工作負載帶動下，記憶體價格與需求同步走高，推動美光第一財季交出破紀錄成績單。「我們早就賣到翻」;摩根士丹利分析師 Joseph Moore形容，這份財報是除輝達外「美國半導體產業史上，營收與淨利超預期幅度最大一次」。分析師指出，「如AI如我們預期持續成長，未來12個月，AI題材受惠範圍將不再僅限處理器股，記憶體將是最大受益者之一」 至11/27日止一季，非GAAP EPS4.78美元，明顯優於分析師平均預期3.94美元。營收136.4億美元，較去年同期87.1億美元大幅成長，也高於市場預期的128.3億美元。受惠於傳統DRAM價強勁反彈，及生成式AI工作負載帶動高速記憶體需求增，美光表現亮眼。 展望2026會計年度第二季，美光預估營收將達 187億美元正負誤差4億美元，遠高於華爾街預估142.3億美元。EPS中值8.42美元，幾乎是市場共識4.49美元兩倍。公司預期毛利率將攀升至 68%，創史新高，季增11.2個百分點。 記憶體供應鏈調查顯示，在供應可用性令人憂心、且市場預期供需吃緊可能延續至2026年情況下，美光核心獲利來源DRAM在本季及接下來幾季價格，可能出現雙位數季增幅。 美光執行長Sanjay Mehrotra聲明中表示，「在2026財年第一季，美光在公司整體及各事業部門都創營收新高，並實現顯著毛利擴張」 美光業務主管 Sumit Sadana 直言，「我們早就賣到供不應求。我們模型中仍存在大量未被滿足需求，這與未來可預見期間內，需求遠高於供給環境完全一致。」公司預期，隨持續投資以支援AI系統所需記憶體與儲存需求，2026會計年度的營運表現將進一步增強。 高頻寬記憶體 (HBM) 與先進 NAND 在 AI 系統中的需求增溫，提升了美光的定價能力、毛利率與現金流。美光表示，營運現金流攀升至84億美元，高於前季57.3億美元與去年同期32.4 億美元，自由現金流更創史新高。 針對這份財報，瑞穗分析師 Vijay Rakesh 特別點出美光對2月一季給出「極為強勁」財測，並寫道，「我們認為，美光將持續受惠於HBM與先進 DRAM正向定價環境，推動營收與獲利持續超預期。」他並將目標價由270美元上調至290美元。 12/18.台股福懋科衝刺先進封裝 擬斥7億元向南亞取得廠務設施;南亞科旗下封測廠福懋科8131 今重訊記者會宣布，將斥資 7.02 億元，向南亞取得廠務設施，用於新建五廠一期先進封裝廠無塵室當中的機械、電器、管道工程系統規劃還有配電盤複器材。張憲正指出，此次承攬案主要內容包括公用系統規劃、無塵室與廠務設備低壓配電盤、不斷電供電系統、匯流排供電系統、電力監控系統設計與規劃以強化供電與廠務系統穩定性，預計本案總投資金額 7.02 億元。鑒於南亞工務部具有大型專案實績，並具備專業配電盤設計規劃，且熟稔福懋科廠房結構與配置，除兼顧工安需求外，也藉由標準化設計以及批量採購降低設備成本，有助後續設備統一維護。經由市場充分競價還有品質評比，福懋科董事會決議委託南亞建置一期先進封裝的機械、電器、管道工程系統規劃還有配電盤複器材共四案。 12/18.TrendForce 今最新調查，HBM3e 受惠 GPU、ASIC 訂單同步上修，價格走揚，但近期因記憶體市況呈現供不應求，帶動一般型 DRAM(conventional DRAM) 價格急速攀升，而預期未來一年 HBM3e 和 DDR5 的平均銷售價格 (ASP) 差距將明顯收斂。 TrendForce 表示，2025 年5月輝達率先與三大 DRAM供應商展開2026年採購協商，當時在買方主導定價的情況下，2026 年 HBM3e 的初始採購單價顯著低於2025年水準。 TrendForce 指出，2025 年第四季伺服器 DDR5 合約價季增幅度已遠超市場預期，其晶圓獲利也將轉強，與 HBM3e 的價差將快速收斂。HBM3e 價格原高出伺服器 DDR5 四至五倍，預期至 2026 年末，差距將縮小為一至二倍。另一方面，隨著一般型 DRAM 獲利逐步上升，部分供應商產能開始傾向 DDR5，給予 HBM3e 更大漲價空間。在 GPU 與 ASIC 需求上調後，主要買家皆追加 HBM3e 採購以因應來年的 AI 系統建置。綜合以上因素，供應商重新獲得定價主導權，開始調整先前過低的合約價，預計 2026 年 HBM3e 整體 ASP 將略微上修。 1218.鈺創5351董事長盧超群:明年受惠 DRAM 價格續上漲，對公司來說是非常好一年，並預計 DRAM將一路缺到2027年上半年，坦言現階段給貨像聖誕老公公就凸顯現階段缺貨盛況。展望後市，盧超群強調，AI 應用已全面滲透至半導體與記憶體架構中，鈺創是「AI 加半導體」的重要櫥窗與代表性公司。 1218.台塑集團旗下封測廠福懋科 8131受惠記憶體價量上揚，將展開擴產，18日宣布將斥資7.02億元，向集團旗下南亞取得廠務設施，用於新建五廠一期先進封裝廠無塵室中的機械、電器、管道工程系統規劃，還有配電盤附件材。 福懋科總經理張張憲正表示，此次承攬案主要內容包括公用系統規劃、無塵室與廠務設備低壓配電盤、不斷電供電系統、匯流排供電系統、電力監控系統設計與規劃，以強化供電與廠務系統穩定性，預計總投資金額7.02億元。 12/17.美光財報將開獎！2026年記憶體缺貨難解 目標價獲大幅上修;即使美光 (MU-US) 今年來一路大漲將近 180%、市值暴增約 2000 億美元，Needham 分析師認為，記憶體晶片價格的漲勢還會延續好幾季，並繼續支撐其股價動能。美光預定在美東17日)收盤後公布 2026 會計年度第 1 季財報，在財報公布前夕，Needham 分析師 N. Quinn Bolton 把美光股價目標由每股 200 美元上修至 300 美元，並重申「買進」的投資建議評等 美光是 DRAM 市場 (用於 PC 與伺服器) 的領導者，也是快閃記憶體 (用於智慧手機與固態硬碟) 的供應商。而在 AI 伺服器所需的高頻寬記憶體 (HBM) 市場，美光也躍居主要供應商。 Bolton 周二說：「資料中心市場需求依舊強勁，我們預期記憶體晶片現貨價格飆升，並帶動未來幾季的合約價格上漲。」美光周二收盤下跌 2%，報每股 232.71 美元。 據 Bolton，美光第 1 季的記憶體晶片平均價格，較前一季上漲 162%，而他預期，由於主要製造商無法大幅擴增產量，記憶體供應將持續有限。他說：「產業供需仍持續吃緊，2026 年不太可能緩解。」美光今年來累積漲幅，遠勝那斯達克綜合指數同期的 19%。華爾街預估，美光第 1 季 EPS 將達 3.93 美元，較去年同期的 1.79 美元大幅成長，營收可能年增逾 45%，達到 128.2 億美元。 12/17.DIY 玩家與老電腦升級族注意！儲存大廠三星正式宣布，將逐步停止生產 SATA 介面的固態硬碟（SSD）。不僅象徵一個高性價比時代落幕，更可能引爆新一輪SSD價格上漲潮。 12/16.記憶體漲價不只連動到 SSD , 傳統 HDD 機械硬碟也漲 12/15.美股美股硬碟雙雄股價飆漲逾250% 但分析師警告2026年恐面臨危機;隨 ChatGPT 發布 3 年後，生成式人工智慧仍然是股市中的最大趨勢，帶動科技巨頭大量投資於新資料中心和相關設備。其中，2025 年的亮點是記憶體和儲存需求的大幅增長;專注於硬碟雙雄 Seagate Technology(STX-US) 和 Western Digital(WDC-US) 2025 年表現亮眼。至目前為止，Seagate股價已攀升257%，而 WDC 漲幅甚至更達316%。 這波成長動力主要來自於 OpenAI 和 Anthropic 等公司正在建構的大型語言模型 (LLMs)，這些模型需要儲存數十億筆資料的解決方案，並將其放置在高功率圖形處理器 (GPU) 附近。由於大多數資料不需要立即存取，伺服器傾向使用「近線」儲存，而硬碟 (HDDs) 是最常見的近線儲存形式，因其相對便宜。 STX和 WDC 占據絕大多數HDD銷售額，由於需求增長速度超過供應，兩家公司2025年營收和獲利均見飆升，並獲得了強大的定價權。 然而，儘管需求旺盛，2026 年卻可能導致這些股票面臨崩跌危機。整體而言，據《The Motley Fool》報導，分析師認為，HDD 製造商面臨兩大挑戰： 首先，替代技術的競爭威脅。為維持高價格並控制財務風險，HDD 製造商正謹慎地增加產能。由於 HDD 供應增長緩慢，大型科技公司已開始尋求替代儲存資源，例如 NAND 儲存 (固態硬碟或 SSDs)。儘管HDDs在原始儲存成本上仍具有顯著優勢，但SSDs擁有體積更小、更節能、資料存取速度更快以及預期壽命更長等優點，這些優勢可以大幅抵消其較高的前期成本。 如NAND晶片製造商比 HDD 雙雄更快地建立產能，資料中心可能會將其近線儲存轉向 SSDs，從而縮短目前的繁榮周期。其次，估值偏高。HDD 市場屬於周期性，收益會隨著供需平衡的波動而劇烈起伏。由於 STX 和 WDC產品缺乏實質的競爭優勢來保護其定價權，它們的股價被認為被高估了，目前是基於 2025 年趨勢將持續的樂觀情緒在交易。目前 Seagate 的預期本益比為 27，Western Digital 為 24，對於高度周期性的股票而言，這樣的估值似乎過高。 面對不確定性，分析師預計，在 2026 年如果出現跡象顯示 2027 年的訂單被 SSDs 蠶食，兩家公司的本益比可能會開始收縮，導致股價大幅修正。因此，分析師建議投資者在 2026 年應暫時避開 Seagate 和 Western Digital，直到其估值回到更合理的水準。 12/14.美股記憶體價格瘋漲！戴爾商用PC漲價30%、瑞銀：恐續至2027第一季;《Business Insider》報導，自 12 月 17 日起，配備 32GB DRAM 的戴爾Pro 與戴爾 Pro Max 系列筆記型與桌上型電腦，售價將上調130至 230 美元；若選配頂規 128GB 記憶體，每台成本將增加 520 至 765 美元。至於搭載 1TB SSD 儲存容量的筆電配置，整體價格也將提高 55 至 135 美元。 一名不願具名的戴爾銷售部門員工指出，實際調漲幅度將依客戶合約內容而有所不同，整體落在 10% 至 30% 之間，反映記憶體與相關晶片成本上升所帶來的壓力。除商用 PC，戴爾也同步調整部分專業顯示器與 GPU 升級選項的價格。以戴爾 Pro 55 Plus 4K 顯示器為例，售價將由 1,349 美元上調至 1,499 美元。 值得注意的是，該顯示器本身並未搭載 DRAM 或 NAND Flash，仍被納入調價名單，引發市場對整體硬體價格上漲趨勢的關注。 在專業顯示卡配置方面，搭載 6GB 顯示記憶體的輝達 RTX Pro 500 顯示卡之戴爾筆電，價格將增加 66 美元；若進一步升級至基於 Blackwell GPU、具備 24GB 顯示記憶體的顯示卡，整體成本更將提高 530 美元，顯示高階晶片對終端售價的影響日益明顯。 12/13.受惠於記憶體需求持續強勁，封裝測試廠華東（8110）本周股價表現十分驚人，達成周漲37.88%亮眼成績，3天漲停，連6漲45%收54.6元，成交量31.5萬張，成交金額177億元，三者全創歷史新高。華東因短線漲幅過大、累積週轉率過高、當沖量過高等，近日達公布注意交易資訊標準，故於昨日公布相關財務業務等重大訊息。華東10月營收6.48億元，年減13.54%；稅後純益3.53億元，年增4730.38%，單月每股盈餘（EPS）0.69元，年增6800.00%。華東Q3營收18.72億元，年減4.88%，稅後純益8.72億元，年增2329.62%，EPS達1.72元，年增2250.00%，創單季新天價。 **12/11.SSD固態硬碟價飆漲 新品容量減半;記憶體晶片大漲價讓終端產品價格高不可攀，快閃記憶體晶片漲價亦同樣令SSD市場高處不勝寒，供應鏈亦不得不根據價格調整。企業級及AI市場對大容量SSD的需求很高，別說8TB、10TB，100TB甚至200TB以上的超大容量產品是供不應求，但此對消費性市場而言就不是好事了。消費性SSD現在由於供貨有限，廠商不得不在規劃明（2026）年新品時”降級”，原本1TB規格降低至512GB，原本512GB降低至256GB。過去幾年，好不容易普及TB級硬碟，明年要退回去，原本1TB、2TB價格只能買到512GB容量了 12/11.《彭博》市場對記憶體供應惡化的憂慮加劇，拖累日本電玩大廠「任天堂（Nintendo）」股價自12月來幾連日下挫，10日股價甚一度跌至今年5月來新低，市值累縮水140億美元;報導指出，任天堂正面臨快速攀升記憶體成本，不僅壓縮其熱門新主機Switch 2利潤率，也可能因周邊配件變貴而抑制消費需求。據市場情報公司TrendForce的數據，任天堂為Switch 2購買的12GB RAM（隨機存取記憶體）模組價格Switch 2的樂觀情緒也逐漸消退，並拖累任天堂近期股價。據數據顯示，12月來8交易日中，任天堂股價已7天跌，市值約蒸發140億美元。在本季跳升了41%。新主機搭載的NAND儲存晶片價格也同步上漲8%，這項漲幅同樣影響外接儲存卡的成本。隨著記憶體供應危機加劇，市場對 12/11.消費性SSD現在面臨開倒車的情況，由於供貨有限，廠商不得不在規劃明（2026）年新品時”降級”，原本1TB規格的降低至512GB，原本512GB的降低至256GB。過去幾年，好不容易普及了TB級硬碟，明年要退回去了，原本1TB、2TB的價格只能買到512GB容量了。就算是容量降級了，明年的快閃記憶體晶片供貨亦不樂觀，來自業界人士的消息指稱，今年第四季是十年來搶貨最難的一次，現在不是枯水期那麼簡單了，是枯水年，明年第二季之後可能會出現無貨可交的情況。甚至，很多廠商庫存只能撐到明年第一季，3月份之後就會有廠商沒辦法交貨了，第二季缺貨會是市場全面現象。 12/10.AI搶光記憶體，恐缺貨到2027？筆電、手機受牽連，兩台廠吃到甜頭 美光放棄30年消費性記憶體品牌背後，透露三大記憶體廠擁抱AI、放棄消費性產品的趨勢。轉進HBM，棄守DDR4，也讓台廠南亞科、華邦電吃到甜頭？這股趨勢會如何排擠筆電和智慧手機？又將如何重塑記憶體產業？ 12/12.目標價升破100元！華邦電再獲法人力挺、估獲利「1元跳升至10元」　看好記憶體漲價循環;在記憶體供需吃緊與價格上行預期帶動下，華邦電再度成為法人關注焦點。繼美系外資大摩將其列為台系記憶體股首選、目標價上看88元後，凱基投顧最新出具報告，將目標價由69元大幅調升至100元，調幅達45%，成為首家喊出三位數目標價的法人，並看好後續獲利成長力道。 12/10.摩根大通评闪迪：“短期超额利润”不代表“长期盈利能力提升”，中期面可能回归历史“繁荣-萧条”模式; 摩根大通报告指出，尽管闪迪受益于AI浪潮驱动的企业级SSD超级周期，但其在该高增长市场中份额仅2%-3%，处于行业跟随地位。同时，当前高利润环境本质上是行业周期性繁荣，随着2027年前后主要厂商启动新一轮产能扩张，供需结构将趋于宽松，届时行业可能重回“繁荣-萧条”周期。因此，公司短期超额利润不可持续，长期盈利能力预计将逐步向历史均衡水平回归。摩根大通给予闪迪“中性”评级，目标价为235美元。该机构认为，尽管闪迪在AI驱动需求与合资成本优势下正处利润高峰，但这更多反映行业周期性景气，而非结构性改善。 12/10.手機廠擬重新導入microSD卡槽　減緩DRAM漲價衝擊;智慧型手機市場正面臨DRAM成本大幅攀升壓力，使得品牌在產品定價和零組件採購上遭遇新的挑戰，市場傳出部分廠商正重新評估是否讓逐漸淡出市場的microSD卡槽回歸，藉此降低用戶購機門檻，並維持出貨量穩定。 12/10.美光委外訂單放量　記憶體封測能見度一路明朗至2H26;記憶體市況熱烈、市場供不應求，上游記憶體製造商積極拉高產能稼動率，以及美光（Micron）等大廠調整產能主力朝向客製化及高附加價值產品，持續釋出委外封測訂單的需求提升，不僅帶動相關封測業者2025年第4季傳統淡季不淡，也讓2026年記憶體封測能見度明朗看至下半年 1210.考慮紐約上市！SK海力士股價應聲漲4.8% 專家：有助縮小與美光等同行的估值差距 12/9.AMD 原先已向主機板廠商說明，隨著平台世代推進，B650 主機板將於 2025 年 12 月結束生產。不過近期傳出，由於 DDR5 記憶體價格大幅上漲導致市場需求下滑，B650 晶片組的停產時程可能已被延後。 12/9.JL鬼扯:AI通膨傳動輪狂飆股票:從2023年算力晶片與組裝股狂奔起,接著相關設備股檢測股,散熱,Ccl/PCB,機架,Cowas,Bbu等股價輪流噴3-5倍甚以上,二年多後2025年輪機器人,Cpo,封測等,到下半年終於傳導漫溢到輪記憶體跟進噴出3-5倍…… 12/9.美股DRAM漲幅堪比90年代！高盛、大摩在美光業績公布前齊唱多：「記憶體荒」紅利兌現 全球 AI 軍備競賽引爆記憶體危機，此前戴爾 在最新財報中預警，AI 伺服器熱潮正遭遇記憶體瓶頸，供應短缺已推高成本並拖累交付進度 改造資料中心以適配 AI 伺服器的熱潮暴露出一系列供應瓶頸，其中包括由三星、SK 海力士和美光科技 主導的記憶體市場的短缺。這些公司生產 DRAM、NAND 快閃記憶體，及專為 AI 應用設計、需求量極大的高頻寬記憶體HBM。 12/9.華邦電爆大量71.6元能買？記憶體漲8倍、「3檔」有補漲空間...老手點出2風險：小心 見頂開殺;AI需求帶動記憶體缺貨漲價，記憶體廠華邦電（2344）11月合併營收達86.3億元，月增4.92%、年增38.7%，創近41個月以來的新高。華邦電週二（12/9）股價以71.0元開出，盤中最高衝上71.6元，漲幅一度逾5%，改寫歷史新天價；截至上午11時50分，爆出逾50萬張大量，再登成交王。收盤價則為71.3元、漲跌幅5.01%。另記憶體股旺宏、力積電與華東（8110）也都擠進台股成交排行前4名。旺宏開盤37.60元、一度觸及39.05元；華東開盤45.90元、盤中最高價則來到47.20元。 12/8.記憶體晶片戰白熱化 三星Q4可望重奪DRAM龍頭;業界人士透露，韓國三星電子可望將在今年第四季度重奪全球 DRAM 市場的營收龍頭寶座，超越本土競爭對手 SK 海力士，代表記憶體晶片市場的激烈競爭進入新的轉折點。 12/8.記憶體缺貨漲價，華邦電11月營收86.3億元月增4.92%年增38.7%，創近41個月來新高，華邦電今股價開高走高，以63.5元開出，股價最高為66.2元，漲幅逾7%，成交量超過11.2萬張，居台股成交量之冠。華邦電先前預估這波記憶體結構性供應缺口，DRAM第4季平均售價與出貨量會有更大幅度成長，DDR4、DDR3漲勢預期延續至2026年，甚2027年也供應不足；NOR快閃記憶體與SLC NAND價格也預期續漲。 12/8.旺宏11月份營收24.44億元月減7.8%，創近5個月新低，但年增24.6%。前11月營收262.48億元年增9.1%。 12/8.受惠記憶體價格上漲狂潮推升，記憶體模組威剛11月營收55.98億元，19年來單月營收新高，年增6成月增逾25%，前11個月營收472億元改寫年度營收新猷年增27%。 12/7.NAND 控制晶片大廠群聯 (8299-TW) 今法說會，並公布第三季財報，單季稅後純益 22.27 億元，季增 199%，年增 222.1%，每股稅後純益 10.75 元，為三季來新高；展望後市，執行長潘健成說，AI 推論推升 NAND Flash 需求，預期這波缺貨不是短期現象，NAND 供需吃緊與漲價態勢將延續多年。 12/6.記憶體短缺至少到2027年第四季？預計這兩年價格將持續上漲 12/5美股中國記憶體晶片逆襲！長江存儲270層技術震撼業界 南韓三星、日本鎧俠坐立不安; 中國在記憶體領域正展現出強勁的發展勢頭，引發全球矚目，長江存儲科技作為業內新興力量，取得了令人矚目的成就，其新型儲存半導體堆疊層數約達 270層，接近三星電子水準，這項技術突破讓競爭對手驚嘆「沒想到技術水平提高到這種程度」。長江存儲借助中國政府鼓勵使用國產半導體的優惠政策，迅速提昇技術實力，NAND 銷售份額首次超過全球 10%。 Counterpoint:長江存儲今年首季在全球 NAND出貨量中所佔份額首次10%，第三季年增率更成長4百分點至13%，直逼世界第4美光。 以中國品牌筆電和智慧手機為中心，長江存儲產品獲採數量不斷增加，全年市佔率可望超過一成。儘管目前銷售額僅佔全球8%。長江存儲目標是在2026年底前獲得15%銷售份額，推動武漢周邊工廠投資，完成後將佔全球供應量2成左右，超過日本鎧俠，直逼南韓 SK海力士。在 DRAM 領域，長鑫存儲今年第三季市佔率8%，居世界第 4 位，較2024 年同期提升2個百分點，在中國擁有約 40% 市佔率，但在高頻寬記憶體 (HBM) 技術方面落後.5 年。 中國記憶體企業在價格上優勢明顯，NAND 比其他國家生產的便宜一到兩成左右，但由於美國 2022 年將長江儲存列為限制對象，日本企業也因擔憂未積極採用。但中國在其他領域憑藉價格競爭力獲得海外市場。國際半導體產業協會分析指出，即便受到美國限制，中國廠商良品率仍在增加。若價差持續，採用中國記憶體恐成必然趨勢。 此外，南韓記憶體晶片廠商雖在 HBM 市場佔優，但原料與設備依賴海外，且缺乏混合鍵結核心專利，面臨專利訴訟風險，而中國相關專利快速成長，三星已跟長江存儲簽署相關專利授權協議。韓國智慧財產振興院 (KIPRO) 研究員 Kim In-soo 上月底受訪時說，雖然南韓記憶體晶片廠商在製造與堆疊 HBM 方面表現優異，並佔據大半 HBM 市場，但原物料與設備卻過度依賴海外公司，加上南韓企業缺乏與 HBM 相關的混合認證讓他們面臨專利訴訟風險。 他並指出，雖然南韓持有第二大規模 HBM 相關專利，但品質與影響力「低於平均水準」，因為南韓在核心設備與材料上仰賴進口，對南韓企業構成風險，相關公司目前可能仍傾向通過不公開的協商方式簽訂授權協定，但從 2026 年混合鍵合開始商業化後，這些問題可能最終演變成訴訟。 12/4.股海老牛:編按：今年最後一個月，台股多頭氣氛持續，Fed有望再降息一碼，資金再度尋找下一波主流。記憶體族群雖然前一段已經大漲一輪，最近一個月反而進入「漲多拉回、震盪整理」，唯法人表示記憶體報價上升循環，有機會一路走到2026年底。 記憶體真的有機會再衝一波？財經作家股海老牛就針對3檔重點股分析(群聯 力成)，想要穩穩吃到整段行情不被洗出場，到底有哪些重點要注意？ 12/4.晶豪科 (3006-TW) 今法說會:記憶體市場自今年第二季的極度悲觀，短時間便急轉為嚴重缺貨，形容「市場像洗三溫暖」，受惠第三季起 DRAM 現貨大漲、需求急速升溫，預期第四季單季可望轉盈，2026 年上半年也樂觀看。晶豪科指出，第三季開始 DDR4 大漲，客戶詢問度明顯提升，DRAM 缺料現象開始浮現，近期更有大量客戶主動來訪，擔心後續缺貨風險，甚至有使用三星客戶也來向公司爭取DDR3、DDR4 產品。 12/4.記憶體市況最近很精彩，創見發布全球通知信，第四季 NAND FLASH，配額遭到晟碟 (Sandisk) 和三星，緊急削減的原因，10 月以來沒有任何新貨。而且被通知記憶體成本，單週上漲 50-100%，交貨期拉長，價格報價出現異常，而且這種情況，可能得持續 3-5 個月。這不會只是單家公司問題，這反映的是在最前線，中小型品牌已經買不到料。 還有美光宣布退出，自有品牌 Crucial 的消費性業務，在 AI 全面吞噬掉高階 DRAM、HBM，還有企業級 SSD 背景下。美光選擇放棄一般消費市場，選擇專注在，企業級 AI 記憶體產線，消費端的缺貨和漲價，不是暫時性的，而是結構性的。這跟我們之前講過的，AI 讓記憶體的需求和供給產生質變，完全不謀而合 12/4.記憶體模組廠創見 (2451-TW) 近日發信通知客戶 NAND 供給吃緊狀況，引發市場高度關注。創見今指出，公司長期與全球主要供應商保持良好合作關係，並與多家上游夥伴簽訂長期供應協議 (LTA)，各原廠仍承諾將盡最大努力確保創見的供應量，以降低對客戶的影響。 創見指出，雖然近期上游供應商面臨產能緊縮、供貨吃緊，各原廠仍承諾將盡最大努力確保創見的供應量，以降低對客戶的影響。儘管記憶體市場價格持續攀升，公司仍與客戶保持密切溝通，致力減緩市場變動所帶來的衝擊，與客戶共同度過這段挑戰期 12/4.記憶體與儲存裝置大廠美光 宣布消費產品線「Crucial」全面退出市場 未來重心轉移至商用領域 12/3.AI 時代愈演愈烈，誰能把「儲存」做得更快、更省電，誰就更有機會在資料中心市場站穩腳步。三星最近就在這塊丟出一個重量級突破：自家研究團隊成功打造全新的 NAND 快閃記憶體結構，號稱能讓功耗大減超過九成，最高甚至達 96% 12/3.台股CSP廠商持續追貨 研調估NAND Flash Q4價格再漲20-25%;研調機構 TrendForce 今 (3) 日指出，第四季受惠 CSP 廠商 對高效能 TLC enterprise SSD、QLC enterprise SSD 的需求，以及整體供給依舊短缺，將支撐第四季整體 NAND Flash 價格持續上漲，各產品漲幅將落在 20-25% 間，帶動各家業者營收再度成長。 TrendForce 說，第四季除了有 CSP 廠商的需求帶動，加上各 NAND 原廠庫存回歸正常，製程轉換期間造成自然損失，都會限縮供給成長幅度，且 HDD 供應依然短缺，推升整體 NAND 價格向上。TrendForce 表示，2025 年第三季因雲端服務業者 (CSP) 持續擴建 AI 基礎建設，對 enterprise SSD 需求強勁，帶動前五大 NAND Flash 品牌商合計營收季增 16.5%，逼近 171 億美元。隨著上半年的減產措施奏效，下半年供需失衡情況獲得改善，加上 enterprise SSD 銷售占比提高，各原廠的平均銷售單價 (ASP) 皆有上漲。 分析各供應商第三季營收表現，Samsung 的手機用 NAND Flash 產品儘管在中國市場面臨本土業者瓜分市占率，其 enterprise SSD 銷售仍然強勁，推升第三季營收季增 15.4% 至 60 億美元，以 32.3% 市占維持第一名。 排名第二為 SK Group (含 SK hynix 及 Solidigm)，營收近 35.3 億美元、季增 5.7%。子公司 Solidigm 專注於生成式 AI 需要的 QLC enterprise SSD，貢獻集團營收顯著。Kioxia 第三季受惠於 AI server 需求、智慧手機季節性因素和其 BiCS8 技術轉換，位元出貨量大幅季增，營收季成長高達 33.1%，逾 28.4 億美元，排名第三，市占也上升 2 個百分點。 Micron 第三季主要得益於資料中心 SSD 出貨創新高，營收季增 15.4%，上升至 24.2 億美元，位居第四。SanDisk 排名第五，雲端領域和邊緣市場的應用推升其營收至近 23.1 億美元，季增 21.4%。 12/1.晶圓代工廠力積電副總譚仲民1日表示，記憶體景氣明顯回溫，產能已滿載，加上客戶對非紅供應鏈的要求推升電源管理 IC (PMIC) 需求，相關開案已陸續進入收斂期，看好明年 12 吋邏輯與記憶體並進，營運展望偏樂觀。 12/1.12月記憶體合約價驚漲達100%　十銓：1H26是真正缺貨挑戰;記憶體缺貨潮蔓延，上游原廠供貨嚴重緊缺，推動報價節節高升，記憶體模組廠十銓總經理陳慶文透露，三大原廠2025年12月合約價漲價幅度大幅提高，部分更上看單月調漲80~100% 12/1.科技記憶體大廠打進谷歌TPU供應鏈！SK海力士藉機鞏固HBM龍頭地位 三星緊追;谷歌 第七代 TPU 的崛起正推動 HBM市場需求持續成長，《朝鮮日報》等韓媒最新報導指出，三星電子與 SK 海力士已成為谷歌 TPU 供應鏈的關鍵角色，其中 SK 海力士有望成為谷歌第七代 TPU 中 HBM3E 8 層晶片的首選供應商，並將獨家為谷歌改進型產品 TPU 7e 供應能效更高的 HBM3E 12 層晶片。KB 證券指出，谷歌透過擴展 TPU 佈局 AI 生態系統，恐增加對三星電子尖端晶圓代工廠的記憶體採購，提升自身產能利用率，谷歌第七代 TPU 預計採用 HBM3E，第八代 TPU 則打算使用 HBM4，這讓三星 2026 年 HBM 供應量預計將比今年翻倍以上。 12/1.據韓媒Herald經濟:隨通用型DRAM DDR5價格飆漲，三星電正積極增產DDR5，期望能提高市佔率、獲利能力，並為此與韓廠DI簽訂總值檢測設備合約，訂單規模達283.8億韓元。 12/1.長鑫存儲DRAM效能直逼韓廠　全球記憶體版圖恐重洗牌,中國記憶體製造商長鑫存儲在中國政府支持下，自2025年起全面轉向高階技術研發，短短不到一年已成功推出多款效能直逼南韓三星電、SK海力士等業界領先者。 11/29.台灣半導體地位恐受衝擊？日經：美光將將投資1.5兆日元（約96億美元）在日本西部廣島興建一座新工廠，用於生產先進的高頻寬記憶體（HBM）晶片。《路透》引述日經28日報導指出，美光計劃於明年5月在現有基地動工，並在 2028年前後開始出貨，日本經濟產業省將為該項目提供最高5000億日元補助。《日經》表示，美光擴建其廣島工廠將有助於該公司減少對台灣生產基地依賴，同時提高它在半導體市場上與領導企業SK海力士競爭能力。為重振其老化的半導體產業，日本政府正提供豐厚補助，以吸引美光及台積等海外晶片製造商投資。同時，日本政府也正資助一座採用國IBM技術、可大量生產先進邏輯晶片的工廠建設。 11/28.科技漲逾150%！韓媒：三星HBM4對輝達供應價格看齊SK海力士,南韓媒體 DealSite 27日報導，三星與輝達的 HBM4 供應價格談判已進入最後階段。此前，SK 海力士已完成與輝達的 HBM4 供應價格談判。三星先前供應的 12 層堆疊的 HBM3E 單價相對較低，但對於 12 層堆疊的 HBM4，目標則是跟 SK 海力士持平，維持在 500 美元中段左右，相比之前的 HBM3E 供應價格增加超過 150%。 11/28.台股台勝科記憶體客戶需求強 正與客戶協商漲價;台勝科3532(矽晶圓)今財報會:受惠 AI帶動，先進製程與記憶體需求熱絡，也推升 12吋矽晶圓需求，看好相關動能將延續，目前記憶體佔12吋產品約6成，未來隨著麥寮 12 吋新廠產能開出，將進一步滿足客戶所需;公司也已與客戶協商價格。台勝科:今年第三季12吋矽晶圓出貨量成長，主因記憶體市場回溫，帶動出貨量增加，不過8吋出貨仍低迷，主要受CMOS感測器、IGBT 與電源管理IC 續漸轉向12吋生產影響。台勝科預期，第四季用於記憶體產品的 12 吋矽晶圓需求將持續成長，且動能將一路延續至明年，先進製程產品需求強勁，而成熟製程產品復甦較緩慢，呈漸進式回復趨勢；8 吋出貨則持平，明年也大致維持現況，公司也持續維持長約價格，整體現貨市場價格已趨於穩定。 台勝科：AI伺服器大幅導入HBM與DDR5，三大原廠皆將產能轉向支援AI伺服器用的記憶體，壓縮傳統記憶體DDR4 等產品供給，使記憶體市場形成結構性變化，公司產品可應用在 HBM、DDR5、DDR4 以及 NAND Flash 等，隨著需求轉強，客戶拉貨也趨於積極。另外，隨著 AI 持續發展，台勝科也布局相關零組件，如高頻寬記憶體 (HBM)、中介層 (Interposer) 等產品，可望為未來帶來新成長動能。 11/28.矽晶圓業者台勝科3532,今法說會，受惠 AI 帶動，先進製程與記憶體需求熱絡，也推升 12 吋矽晶圓需求，看好相關動能將延續，目前記憶體佔 12 吋產品比重約6 成，公司也已與客戶協商價格。 11/28.AI爆發性需求增長，加速全球記憶體市場進入史無前例的缺貨狂潮。業界指出，隨著2026年記憶體大廠產能幾乎已被預訂完畢，全年缺貨確定無法轉圜，多家超大規模雲端服務大廠（CSP）正提出1年或更長的長約（LTA）談判，戰線將拉長至2027~2028年，提前鎖定未來2年的產能需求。 11/26.SK海力士傳評估印度建廠,設立記憶體組裝、測試、刻號和封裝等後段製程設施進行初期協商。若SK海力士成功在印度建設生產基地，將會是繼美光後，第二家進軍印度記憶體半導體企業。 11/26.張捷(產業隊長 私募基金操盤人、凱秋投資投資長)記憶體甩開景氣循環標籤:AI應用帶動記憶體從過往的景氣循環產業，逐步轉向高技術門檻、高附加價值的結構性成長產業 記憶體產業因AI導致的供需失衡，開始重塑市場的排列組合，不再是過往景氣循環週期，而是新的成長週期到來。隊長幫大家整理SanDisk、創見、群聯的3場法說會重點，可以看到記憶體產業鏈發生質與量的改變。 SanDisk法說會提到，NAND需求已經長期超過供應，且會持續到2026年底以後。2025年整體NAND bit成長約8%，2026年約17%，但資料中心的需求年增率從2025年的20%，提高到40%。創見法說會指出，NAND Flash漲勢才剛開始，與原廠長年維持良好關係，DRAM主要向三星採購，Flash則與SanDisk簽有長期供應協議，擁有穩定配額。 群聯法說會表示，CSP的營收與儲存容量呈線性關係，由於AI推論產生的資料都須儲存，需求為剛性，也帶動NAND價格上漲。展望第4季，群聯認為營運將持續成長，主因近期NAND製造商價格提升50至75%，而群聯9月部分單價開始上漲，10到11月會更顯著的上升。群聯10月營收70.6億元，同期新高。第3季EPS達10.75元。法人上調群聯明年EPS至80元，調升目標價至1600元。 南亞科因近期美光重兵部署HBM產能，排擠到DDR5/LPDDR5X產能，且模組廠與代理商DDR4庫存已明顯吃緊，普遍難以取得足夠顆粒，推動現貨價持續走高。10月營收79億元，年增262%。第3季營收187.8億元，毛利率18.5%，EPS為0.5元，成功轉虧為盈。法人預估2026年EPS達20.98元，目標價上調至180元。 華邦電自今年7月起訂單動能明顯轉強，DDR4需求強勁，Flash需求同步回溫。10月營收年增34.9%。第3季毛利率46.7%，EPS0.65元。法人預估2026年EPS3.5元，目標價上調至88元。 總體而言，AI應用帶動記憶體從過往的景氣循環產業，逐步轉向高技術門檻、高附加價值的結構性成長產業。DDR4在產能遭HBM排擠下供需持續失衡，價格上漲以及NAND預期於2026、2027年仍供不應求，高端資料中心與AI應用對儲存容量需求急速提升，趨勢一旦成形，短時間不會輕易改變。 11/26.宜鼎 (5289-TW) 董事長簡川勝說，每天醒來都在想「要把貨給誰」，這次記憶體缺貨，不像過去一至二季的短週期，而是 AI 引發的結構性需求，明年將面臨 DRAM、NAND FLASH 雙缺局面。群聯 (8299-TW)、威剛(3260-TW) 董事長也全都說這波記憶體大缺貨，是 20-30 年沒見過的，記憶體大行情還在走，現在唯一重點是，還能買什麼？ 11/25.闪迪被纳入标普500指数，今年因“存储大牛市”暴涨;此次调整意味着追踪标普500指数的被动型基金将被迫买入闪迪股票，可能进一步推高股价。同时也标志着存储芯片行业在AI驱动的科技周期中获得市场认可。 存储芯片制造商闪迪将于11月28日交易时段开盘前被纳入标普500指数，取代宏盟集团的席位。这家今年2月从西部数据分拆出来的公司，凭借市值近300亿美元的体量，成为罕见的从标普小盘股600指数直接跃升至标普500指数的案例。 自分拆上市以来，闪迪股价飙升超过四倍，周一收盘价报226.96美元。当日股价单日上涨13.3%，盘后交易再涨8%至245.25美元。这一涨势主要由其闪存及芯片产品的强劲需求推动。 11/25.威剛、宜鼎齊示警「DRAM 與 NAND 將短缺至明年上半年」；南亞科爆違約交割 2646 萬元 11/24.存储之王回归？大摩：三星HBM业务已实现全面赶超，2026年盈利或暴增150%;大摩认为，三星在高带宽内存(HBM)领域已实现全面追赶，HBM4产品正在进行多重资质认证测试，首批结果预计将在12月初公布。公司目前拥有50万片DRAM有效产能，远超竞争对手。公司有望重新掌控存储市场主导权，2026年盈利将较2025年暴增超过150%。市场对三星特定的积极进展准备不足，从相对盈利修正到技术领先地位的转变(HBM4)，都可能成为股价催化剂。 11/24.中國記憶體大廠長鑫存儲日前發表旗下首批，在中國當地自研自製的DDR5和LPDDR5X記憶體產品，邁向新一代DRAM技術的量產階段，將成為三星電子、SK海力士、美光等國際大廠的競争.. 11/23.长鑫存储发布DDR5内存新品，最高速率达8000Mbps:在11月23日开幕的第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储发布了最新的DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域。（界面） 11/21.“存储巨头”闪迪单日暴跌20%，强劲业绩难敌利润与估值双重隐忧 闪迪在科技板块整体抛售、工厂成本担忧以及对NAND闪存涨势能否持续的焦虑等多重压力下，回吐了此前的涨幅。就在几天前，该公司刚刚凭借强劲的第一季度财报和远超预期的第二季度业绩指引获得市场热捧。尽管交出了亮眼的季度业绩并给出了极为乐观的后续指引，存储芯片制造商闪迪（SanDisk）依然遭遇了股价的崩盘。 周四，存储芯片制造商闪迪的股价暴跌约20%。该股在科技板块整体抛售、工厂成本担忧以及对NAND闪存涨势能否持续的焦虑等多重压力下，回吐了此前的涨幅。 11/20.押注"AI内存超级周期"，SK海力士明年10纳米DRAM产量将增至8倍;据报道，SK海力士押注AI推理应用市场，计划明年将第六代10纳米DRAM月产能从2万片提升至16-19万片，增幅达8-9倍，占总产能三分之一以上。随着AI应用从训练转向推理，通用DRAM需求激增，英伟达等科技巨头纷纷采用。业内人士预计，SK海力士设施投资额明年将轻松超过30万亿韩元，显示其对"AI内存超级周期"的强劲信心。 SK海力士正在大举扩张先进内存芯片产能，押注人工智能应用从训练转向推理带来的市场机遇。 韩国媒体11/20.报道韩国内存芯片巨头—SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的三分之一以上。报道称，据半导体行业消息人士透露，扩产后的1c DRAM将主要用于生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司的订单需求。这一战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，该公司正将战略重心从高带宽内存（HBM）扩展至更广泛的AI内存市场。 11/19.闪存全面大幅涨价 最高涨幅达38.46% 继DRAM大幅涨价后，Flash也全面涨价。据CFM闪存市场最新报价，11月19日，Flash Wafer（闪存晶圆）价格全面上涨，最高涨幅38.46%。 具体来看，1Tb QLC涨25.00%至12.50美元，1Tb TLC涨23.81%至13.00美元，512Gb TLC涨38.46%至9.00美元，256Gb TLC涨14.58%至5.50美元。 ***11/18受惠於記憶體價格上漲及需求增溫，大摩全面調升台灣記憶體股目標價，南亞科由130元調升至198元、華邦電由72元調升至88元、力積電由35元調升至41元、旺宏由40元調升至48元。摩根士丹利仍將華邦電列為首選，預期2026年毛利率將顯著提升，受惠於DDR4/DDR5報價上漲、16奈米製程順利轉換及CUBE LT（低延遲堆疊記憶體、Low-latency Cube）新應用機會。南亞科因為DDR4主要供應商，將爭取更多DDR5訂單；旺宏則受惠NOR漲價改善毛利；力積電則可透過DDR4/3合約價回升提升產能利用 11/18.記憶體超級週期全面啟動　三星、SK海力士庫存大減 1117.三星前五大客戶洗牌　3Q25季報告揭露Tesla晶圓代工合約:三星電日前公布2025年第3季定期報告，Goog再度入三星前五大銷售客戶名單。此外，2025年7月傳三星與Tesla簽訂165億美元晶圓代工合約，也已正式列入該季報告中。 11/17.AI需求強勁訊號：三星SK海力士庫存見底、股價大漲 11/17.存储芯片疯狂涨价，PC与服务器厂商受伤！大摩：每涨10%，OEM毛利率就下降45-150个基点;摩根士丹利警告，存储芯片价格正因AI需求和供应短缺而史无前例地飙升，DRAM现货两月暴涨260%。戴尔、惠普等因DRAM成本占比高被视为最脆弱群体；苹果凭借其强大的供应链议价能力具更强承压能力；联想PC业务更多面向企业市场，因此更容易转嫁成本。 一场前所未有的存储芯片“超级周期”正席卷全球科技硬件行业，给个人电脑（PC）和服务器制造商的利润前景蒙上阴影。 11/14.大摩分析師Joseph Moore 研判，美光列為首選股價仍有上行空間，將美光目標價從 220 美元大幅調升至 325 美元，維持「增持」評等，理由是市場尚未完全反映記憶體晶片價格飆升帶來的獲利潛力。Moore 同時將美光列為其「首選」個股。Moore 指出，桌上型電腦用記憶體晶片近期價格大幅飆升，在過去一個月內已翻三倍。他強調，這波漲勢與 2018年供給短缺相似，但本次企業的每股盈餘起點更高，預期後續將持續看到盈餘預估上修。他認為，投資人尚未充分將記憶體價格漲帶來的利多納入美光評價。 美光在 DRAM 與快閃記憶體市場占據領導地位，也已成為人工智慧伺服器高頻寬記憶體 (HBM) 的重要供應商。Moore 指出，當前需求大幅超越供給，為公司帶來明顯利多。 美光 (MU-US) 週四以 243.60 美元開盤後不久衝高到 249.50 美元，但隨即遇到賣壓，股價一路回落到 230.16 美元附近才止跌。爾後市場情緒稍微回穩，股價緩步拉升; 美光今年迄今累計上漲已達 170% 以上，遠高於 iShares 半導體 ETF(SOXX) 同期漲幅 (約 39.8%)。 11/14.短缺加劇 傳三星將部分記憶體晶片價格上調高達60% 11/12.内存上行周期“远未结束”！大摩：投资者应持有内存股而非“择时”，警惕“成本急剧上升”的消费电子和PC;大摩称，AI驱动的内存超级周期强度和持久性可能远超市场想象。核心驱动力从价格敏感型传统客户转向对价格不敏感的AI数据中心。近期服务器DRAM报价飙升70%，现货价格涨幅达336%。建议投资者"持有不动"而非择时交易，看好拥有定价权的SK海力士、三星等内存厂商，但警惕下游PC、手机等消费电子领域将面临严重成本压力和利润挤压。 11/12.AI巨头“非买不可”，厂商掌握最大定价权！大摩：本轮内存“超级周期”将远超历史峰值 ;大摩表示，本轮周期由AI数据中心和云服务商主导，这些客户对价格敏感度较低，推理工作负载已成为通用内存需求的主要驱动力，另一方面供应商掌握了史无前例的定价权。大摩认为本轮峰值定价有望超越上一轮高点，内存周期通常持续4-6个季度，盈利增长才是最终的决定性因素，而非历史估值。大摩认为，由AI驱动的新一轮内存“超级周期”已然降临，其强度和逻辑与以往任何周期都截然不同。摩根士丹利在最新的报告中指出，DRAM价格正突破历史高位，开启一轮前所未见的"超级周期"。大摩指出，与以往不同的是，本轮周期由AI数据中心和云服务商主导，这些客户对价格敏感度较低，推理工作负载已成为通用内存需求的主要驱动力。另一方面，最新渠道调研显示，四季度服务器DRAM合约报价飙升近70%，NAND合约价格上涨20-30%，供应商掌握了史无前例的定价权。该行维持对SK海力士和三星电子的增持评级，预计内存价格上涨将推动股价创新高，内存厂商盈利将大幅超预期。 大摩的最新渠道调研显示，DRAM价格前景在短短两周内急剧走强。4季度服务器RDIMM合约报价飙升近70%，远超此前30%的预测。DDR5(16Gb)现货价格更是暴涨336%，从9月的7.50美元飙升至当前的20.90美元。DDR4价格也出现50%的报价涨幅。尽管大部分合约交易将在本月稍晚完成，但客户接受似乎不可避免——他们担心价格进一步上涨且供应受限。 进一步来看，NAND陷入严重缺货的状态： NAND已成为AI计算基础设施和视频存储的关键组件。3D NAND晶圆(TLC和QLC)价格预计环比上涨65-70%，以应对产能受限。近线存储规格正从128TB转向256TB QLC固态硬盘。TrendForce预测，2026年企业级SSD比特位的服务器需求将同比增长近50%。三星2025年上半年的比特位产量受到从V6 176层向321层V8-NAND转型的制约，下半年仅逐步爬坡，导致今年比特位出货量仅增长10%。 价格上涨空间仍大，周期远未见顶 市场往往受制于“恐高”情绪，认为股价创下新高便意味着反转将至。但大摩强调，在本轮由AI驱动的行情中，盈利增长才是最终的决定性因素，而非历史估值： 当前服务器DRAM定价为1美元/Gb，而2018年1季度云超级周期的峰值为1.25美元/Gb。考虑到AI基础设施投资的规模和超大规模客户的动态特性，本轮峰值定价有望超越上一轮高点。内存周期通常持续4-6个季度，盈利正在兑现，但关键问题是与市场预期的对比——市场对通用内存定价的热情明显更高。估值不是未来回报的预测指标 11/11.今年2月中，媒體報導三星電子、SK 海力士與美光科技三大 DRAM 廠將停止生產 DDR4 DRAM。消息傳開後，台灣 DRAM 廠南亞科股價應聲大漲，記憶體族群也隨之展開多頭行情。在此之前，仍有國際知名市調機構對 DRAM 價格持悲觀看法，預測下跌趨勢將持續到 2025 年下半年。PC、伺服器與行動 DRAM 價格預期將下跌至今年第三季；上半年約跌 10%，下半年約跌 5%，涵蓋 DDR4、DDR5 產品皆呈現走弱 11/11.繼續上漲！群聯 CEO：當前記憶體行情或許一生僅遇一次;據媒體報道，群聯電子 (Phison) 公布的2025年第三季財報，公司單季營收達 181.37 億新台幣，季增1.4%，創歷史新高；毛利58億，也達歷史最佳水平。 在財報電話會議上，群聯總經理 潘建成 指出，當前由AI推理需求驅動的市場行情極為罕見，為其職業生涯「前所未見」，甚至「或許一生只會遇到一次」。潘建成進一步透露，近期所有 NAND 快閃廠商均已啟動漲價，漲幅介於50%至75%間－例如 1Tb TLC 快閃記憶體單位價格從7月的約4.8美元上漲至11月初的10.7美元。 這一趨勢預計將進一步推動第四季度企業級儲存需求的成長。在客戶端方面，群聯主控晶片出貨量較去年同期激增380%，較上季成長72%。然而，台積電6奈米產能的緊張局面可能對未來供應能力形成限制。 關於價格走勢，潘建成表示，目前原廠NAND快閃記憶體業務的毛利率約為 50% 至 60%。他指出，若毛利率升至80%將扼殺整個產業生態，因此身為主控晶片企業，群聯希望上游原廠在定價上保持理性，不過適度的漲價確實有助於原廠擴大產能、提升供應。在此之前，記憶體晶片廠商 SanDisk (閃迪)已於11月將NAND Flash合約價格調高50%，引發市場震動；更早在10月，三星電子率先暫停 DDR5 合約報價，SK海力士與美光迅速跟進，導致DRAM供應鏈出現斷裂風險，部分急需訂單湧向現貨市場，推動DDR5價格在一周內飆升25%。 11/18 全球 NAND Flash 供應緊俏再度升溫，美國記憶體大廠 SanDisk 在日前大幅調漲 NAND 報價逾五成後，傳出正評估進一步委外代工，並點名台灣晶圓代工廠力積電(6770-TW)為合作對象。消息指出，SanDisk 可能採「自備設備、進駐力積電銅鑼新廠」的模式，由力積電代工生產 NAND，最快將於 2026 年上半年啟動量產。力積電的NAND/Flash 的產品主要以 SLC NAND / 24/25/28nm 類型為主，客戶來源原以 IC 設計公司（Fabless）為主，營收佔比約八成，此次若能取得Sandisk合作，有望擴增至更廣泛的客戶群。且公司近年有與部分國際大廠及非中國客戶的合作導向，因此長期可能受惠於去中化需求，帶動部分採購。此次傳聞若成局，將是全球重量級 NAND 品牌首度來台尋求 NAND 外包代工，象徵記憶體產業合作模式出現重大轉折。 11/10.記憶體晶片需求火爆！DRAM价预期再上调，AI巨头甚至疯抢2027年产能;全球内存市场在AI服务器需求带动下迎超预期涨价。由于内存供应商优先将产能分配给利润更高的服务器客户，PC和手机制造商正面临供应紧张的局面。 集邦科技上调2025年四季度DRAM涨幅预期，服务器用内存单月涨至300美元以上，云巨头甚至锁定至2027年产能，挤压PC与手机供应，低功耗DRAM涨幅高达38%—43%。高盛看好三星与SK海力士将成为本轮周期最大受益者。据高盛10日发布一份研究报告，市场情报公司集邦科技已再度大幅上调其对2025年第四季度DRAM价格的增长预期。此次调整覆盖了服务器、PC和智能手机等所有主要应用，最新预测数值现已超过了高盛此前的乐观估计。这轮涨价核心驱动力来自数据中心。报告指出，美国的“超大规模”云服务商对AI前景抱有强烈信心，正积极与内存供应商洽谈不仅涵盖2025至2026年、甚至远及2027年的采购量。这种罕见的长期订单商谈，正加剧其他应用领域的供应不确定性，并极大地增强了内存供应商的议价能力。这一趋势对三星电子和SK海力士等主要内存制造商构成了利好。鉴于强化的定价环境和长期需求可见度，高盛在报告中重申了对这两家韩国科技巨头的“买入”评级，认为它们将是本轮上行周期的主要受益者。 集邦科技最新预测显示，2025年第四季度服务器DRAM的价格环比涨幅预计将达到28-33%，远高于此前15-20%的预期。强劲的需求主要源于AI服务器的建设热潮。高盛报告援引集邦科技的评论称，美国云巨头与内存供应商的谈判已进入到2027年的供应量，这为内存厂商提供了罕见的长期业务可见性。10月份的数据已经反映了这一趋势，DDR4 64GB服务器内存模组价格单月上涨28%至300美元，DDR5 64GB模组价格也上涨24%至338美元。 集邦科技因此将第四季度PC DRAM的价格增长预期从18-23%上调至25-30%。报告提到，尽管PC厂商希望增加库存，但供应分配仍存在不确定性，只有部分合作客户能够敲定第四季度的采购量。10月份，DDR5 8GB PC内存模组价格环比上涨25%，其价格已反超DDR4，并享有6%的溢价。面向智能手机的低功耗DRAM市场更为紧张。其第四季度价格环比涨幅预期被大幅上调至38-43%，远高于此前的18-25%区间。由于供应极度紧张，部分供应商甚至已暂时停止报价，凸显了卖方市场的强势地位。 两大巨头获投行看好，NAND市场同步上行;面对全线走强的市场态势，投资机构对内存龙头企业的看法愈发乐观。高盛的报告重申对三星电子和SK海力士的“买入”评级，并指出当前的常规DRAM价格预测已高于该行自身的模型。 与此同时，存储市场另一个关键部分——NAND闪存，也展现出积极态势。集邦科技预计NAND的价格上行周期将持续贯穿整个2026年。报告称，稳固的服务器需求和紧张的供应将抵消消费电子端有限的需求增长，这一观点与高盛的看法一致。这预示着整个存储芯片行业正步入一个全面复苏和增长的通道，为投资者提供了明确的行业风向标。 11/6.韓媒 《BusinessKorea》報導，據業界消息，SK Hynix 與 AI 巨頭輝達談判中佔上風，成功將 第六代 HBM4 價格上調超過 50%，並預期營業利益明年可能突破70兆韓元。此報導刊出後，SK 海力士亦給出官方回應，此消息為不實消息，公司對客戶相關事宜不予置評。HBM4 將搭載於輝達預計於明年下半年推出的新一代 AI 晶片 Rubin。由於 HBM4 採用 2,048 組資料傳輸通道，較前代倍增，並在基底晶片中新增計算效率及能源管理等邏輯製程，製造成本顯著增加，SK 海力士自 HBM4 起更將基底晶片委由台積電代工。價格談判期間，輝達一度對大幅漲價有所保留，並以三星電子與美光 (MU-US) 即將加入供應為背景據以議價，但最終仍接受 SK 海力士所提出的價格。公司人士強調，HBM4 製程進步與投入成本提升，具備調漲理由。完成議價後，SK 海力士向機構投資人表示，明年高利潤率將延續，目前符合輝達規格的產品價格與供應量已確定，即使三星與美光投入 HBM4 市場，也不會對業績造成不利影響。市場推算，HBM4 毛利率約達六成；若維持今年水準，HBM 事業明年將創造約 25 兆韓元營業利益，整體 HBM 業務銷售額可望較今年成長四至五成。 SK海力士HBM4為何能漲價逾50%？ 輝達與SK海力士的HBM4議價中，誰佔了上風？ HBM4相較前代，製造成本增加的原因為何？ SK海力士預估明年整體營業利益上看70兆韓元，主要動能來自哪裡？ 除了SK海力士，還有哪些廠商投入HBM4市場？ AI飆股SK海力士今年暴漲240% 韓交所罕見發布投資警示 南韓晶片巨頭股價狂飆：SK海力士暴漲逾10%、三星電子創歷史新高 AI驅動記憶體晶片超級週期來臨！三星、SK海力士DRAM與HBM業績大幅增長 SK海力士創歷史獲利！全年晶片產能售罄、AI與記憶體需求激增; 11/6.HBM4霸權爭奪戰：美光開發受挫、SK 海力士領跑、三星急追;據南韓媒體報道，美光科技 的HBM4 產品，難以滿足輝達 嚴苛性能和能源效率要求，可能迫使該公司重新設計 HBM4 晶片架構。如果消息屬實，這將導致美光的量產計畫延遲長達 9 個月，HBM4 的上市時間推遲到 2026 年，並使其無法按時完成輝達的訂單。 11/5.AI帶來對記憶體的狂熱需求，SK 海力士股價今年來狂飆240%，引發韓交所 罕見發布「投資警示」(investment caution)3 日晚間發布投資警示，該警示為期一天，理由是股價異常大幅上漲，反映市場對漲勢過熱的擔憂。 SK海力士周二跌 5.3%，近三周最大跌幅。 11/4.受惠DDR4價量雙增，DRAM廠南亞科10月自結營收79.08億元月增18.66%年增262.37%，創50個月以來新高。南亞科前10月累計營收為達444.01億元，較去年同期增長49.3%，為近3年新高。南亞科上月法說會指出，第三季DRAM的平均價格季增4成多，第四季價格還會再漲，公司營運展望正面，比第三季把握度更高，毛利率與獲利將會持續改善，全年是否能轉虧轉盈，還要「繼續努力」，預期明年也會是一個很不錯的一年，近期客戶端對於長單需求熱絡，尤其DDR4供需缺口「有點大」，南亞科DDR4佔比重超過一半。 11/3.記憶體價格噴漲1.7倍 傳大廠暫停 DDR5 合約報價;在AI浪潮推動下，部分記憶體現貨價格在短短1個月內翻倍，集邦科技最新數據，2025年第3季DRAM合約價較去年同期暴漲171.8%。目前已呈現結構性供需失衡，進入賣方市場。傳三星電子率先帶頭，10月DDR5 DRAM暫停合約報價，其他原廠跟進，供應鏈憂爆發「斷糧」危機 ***11/2.AI通膨漫延記憶體: 11/2.大摩:記憶體晶片近13年週期性波動，每3至4年呈現一輪週期，目前正處於由AI驅動第四輪記憶體晶片超級週期來臨！三星、SK海力士DRAM與HBM業績大增長。 大摩研報:受AI需求驅動，記憶體晶片行業供需失衡加劇，預計將開啟持續數年「超級週期」，到 2027年全球儲存市場規模有望突破3000 億美元，標誌著新一輪產業週期的起點。 前三輪記憶體超級循環由智慧型手機換機潮、3D NAND 產能轉移及疫情帶動的遠端辦公需求所推動，而每輪高峰後均因供過於求或需求下降出現價格下滑。 自2024年起，AI算力基建及HBM技術革命成記憶體晶片市場新動力，企業級AI資本支出成主要需求來源，推動HBM、DDR4/DDR5及企業級SSD 等市場大增長。在此趨勢下，三星與SK海力士等產業龍頭展開新一輪激烈競爭，業績高速成長。三星第三季初步財報:營業利潤12.1萬億韓元年增31.8%，季增158.55%，創自2022年第二季度來新高。營收86萬億韓元，創史新高。 SK 海力士第三季:營業利潤達11.38萬億韓元年增62%；營收24.45萬億韓元年增39%；淨利 12.6萬億韓元，三項核心指標均創史新高。HBM 及高階DDR5產品成為業績增長核心驅動力。 據悉，雙方已通知客戶，2025年第四季度DRAM 及NAND Flash合約或現貨價格將調漲約30%，以應對AI及雲服務帶來高需求。 DRAM市場格局：SK海力士首度超越三星 2025年第一季度，SK 海力士以36.9% 市占率首超越三星，終結其33年DRAM 霸主地位，使 DRAM市場格局正式進入雙雄爭霸全新階段。 第二季度 SK海力士市占率進一步升至39.5%，與三星差距擴大至6.2百分點。第三季度財報顯示，SK 海力士DRAM營收季增11%年增54%，以 35%佔有率連三季度穩居全球第一。 儘管在整體儲存市場上三星略領先，但SK海力士在HBM市場仍占主導地位，市佔率達58%，第三季度DRAM銷售額中HBM占比達40%。 公司計劃第四季度開始交付次世代HBM4產品，並已鎖定2026年DRAM及NAND產能需求，預計出貨量年增超20%，HBM供應緊張將持續至2027年。 技術競賽：High NA EUV 曝光機成新焦點:為新一代晶片製造關鍵技術，可提供1.7倍精細電路圖案及2.9倍電晶體密度，提升40%光學精度，開啟半導體產業下一章。據悉，三星已購5台 High NA EUV 曝光機，其中2台部署於半導體代工部，其餘供儲存部門。SK海力士也將首款量產型High NA EUV 引進韓國利川工廠。 在DRAM技術方面，SK海力士已成功開發第六代 10nm 1c 制程DDR5 DRAM，並在HBM及DDR5產品中應用EUV曝光機，提高良率與性能。 市場消息:SK海力士1c DRAM良率達80%-90%，為未來High NA EUV使用奠基。而三星第六代 1c DRAM在HBM4良率約50%，仍開發中。 與此同時，美光則採不同策略，結合EUV與 DUV 技術逐步推進10nm以下 DRAM製程，並計劃直接進入9nm製程。 AI 合作帶動HBM需求：OpenAI星際之門計劃 此外，三星與SK海力士已與OpenAI簽署合作協議，成為「星際之門」（Stargate）全球 AI 基礎設施項目核心合作夥伴。 該計劃將建設20個AI數據中心，初容量20兆瓦，支援ChatGPT 等大型AI模型運行。為滿足高頻寬需求，HBM3E記憶體頻寬可達3.35TB/s，GPU集群效率提升30%，延遲降低20%。 雙方將擴大記憶體供應，目標每月生產90萬片 DRAM晶圓，為現有全球產能兩倍，代表新HBM工廠建設必行，同時可能壓縮標準DRAM產量，因HBM利潤更高。 ***10/31.全球記憶體產業正經歷一場由 AI 浪潮所驅動的爆炸性成長。美股儲存類股如美光科技 、希捷科技STX、威騰電子WDC等短時間內漲幅驚人，反映市場高度期待。記憶體模組產品價格持續飆漲，部分現貨價格在一個月內甚至翻倍，引發全球關注。 據集邦科技最新數據，2025年第三季DRAM 合約價較去年同期漲171.8%。此波記憶體價格漲勢猛烈，甚超越國際現貨黃金同期漲幅，顯示當前市場供需失衡嚴重性。DDR（雙倍資料速率）是記憶體條的核心標準，高階品類高頻寬記憶體（HBM）成為此輪漲價的核心驅動力。 AI 產能結構性轉移HBM成稀缺資;此輪漲價的核心邏輯在於AI運算對高階記憶體晶片強勁需求，導致整體產能發生結構性轉移。自2022年 ChatGPT 問世引爆AI熱潮後，全球晶片製造商便加速將更多產能轉向HBM的生產，以滿足伺服器與 AI 資料中心的需求。 國際研究機構 Yole Group 預計，2025 年主要用於 GPU 生產的 HBM 產品營收將接近翻倍，至約340億美元。預測至2030年，HBM市場將維持33%年複合成長率，屆時其營收將超過 DRAM 市場總營收的五成以上。 製造商策略轉向 DDR4 供應面臨停產 為追求更高的獲利空間，控制全球 DRAM 市場約七成市佔的韓國三星與SK海力士等大廠，正加速朝高階晶片轉型。這些主要製造商已陸續調整策略，計畫在2025年底至2026年初逐步減甚完全停止DDR4顆粒生產，將產能全面轉往利潤更高、技術更先進的DDR5及HBM產品。 此舉直接壓縮DDR4市場供應空間，導致產量減少，市場供不應求。加上先前經銷商為因應漲價趨勢大量囤貨鎖價，進一步加劇了民用市場現貨流通量的短缺。 晶片價格飆升為記憶體製造商帶來豐厚獲利。韓國KB證券預估，三星在7至9月期間，其標準 DRAM業務營業利益率已達40%，HBM業務更高達 60%。 然而，價格壓力也隨之轉嫁至下游產業。英國個人電腦製造商 Raspberry Pi 已宣布調漲價格，指出記憶體成本較一年前漲約120%。手機大廠如小米集團，也公開將不同版本手機間的價差過大，歸因於儲存成本持續且遠超預期上漲。 全面缺貨漲價30多年頭一遭 對於未來展望，全球第二大記憶體模組廠威剛董事長陳立白表示，DRAM、NAND 快閃記憶體、固態硬碟（SSD）和機械硬碟四大儲存類別全面缺貨漲價的局面，是他三十餘年產業生涯中前所未見的。他預言，2025 年第四季才是此輪記憶體大多頭的真正起點與嚴重缺貨的開始，並看好 2026 年產業榮景可期。此番預期為產業鏈帶來樂觀前景，也暗示消費者和下游廠商需提前因應記憶體供應持續吃緊的壓力。 10/30.产能增长要到2027年中后期！野村：这一轮存储周期将是“三重超级周期”;预测自2023年开始的内存超级周期将持续到2027年，并创造史无前例的收入规模 ：这一周期的主要驱动力是AI服务器和传统服务器（用于传统云和AI推理）带来的强劲需求 。与此同时，由于设备交付周期长（6-9个月），即使行业加快现有洁净室的产能爬坡速度，其对2026年供给增长的影响也有限。野村预计，行业范围内有意义的产能和产量增长加速要到2027年中后期才会出现，从而导致供不应求的局面将持续数年。 10/30.AI利好比预期更大！需求爆棚，毛利率超高，“硬盘巨头”希捷科技股价飙升19.1%创新高;AI带动的数据存储需求爆发，推动希捷科技交出超预期财报：季度营收达26.3亿美元、同比增21%，毛利率提前实现40%目标。公司预计下季度营收再创新高，AI驱动的大容量硬盘订单已排至2026年。公司股价飙升近20%，创历史新高，分析师纷纷上调目标价，看好其在AI存储浪潮中的领先地位。AI引发的数据存储需求正以超预期的力度，重塑硬盘驱动器市场格局。受此驱动，硬盘制造商希捷科技凭借远超预期的季度业绩和强劲的未来指引，推动股价周三飙升至史新高。 财报显示，截至9月的财年第一季度，希捷科技调整后每股收益为2.61美元，年增长65%，显著高于FactSet分析师预期的2.40美元。同期销售额增长21%至26.3亿美元，同样超出市场普遍预期25.5亿美元，显示出AI及数据中心市场的需求极为旺盛。摩根士丹利在29日发布研报中表示，这一优异表现得益于更有利的定价、及向高容量硬盘的产品组合转变。数据显示，该季度出货的近线硬盘中，超过80%的容量为24TB或更高。展望未来，希捷预计当前季度的销售额将达27亿美元（区间中值），再次高于分析师预测的26.7亿美元。公司首席执行官Dave Mosley向分析师透露，AI正在深刻改变硬盘需求，其面向云市场的大容量硬盘生产合同订单已基本排至2026年，且到2027年的需求能见度“清晰”。强劲的业绩与乐观的前景迅速点燃了市场热情。希捷股价周三收盘大涨19.1%，报265.62美元，创下历史新高。今年以来，这家数据存储巨头的股价累计涨幅已超过200%。其竞争对手西部数据的股价亦受此提振，在周三上涨了15%。 10/30.SK海力士的“售罄”意味着什么？大摩：向2017-2018“存储超级周期”靠拢，上调DRAM价格预期;SK海力士HBM高带宽内存“售罄”被视为AI驱动下存储市场进入新“超级周期”的信号。摩根士丹利上调其DRAM价格预期至同比+30%，并预计供应紧张将持续至2026年。分析师认为，这一趋势正重演2017-2018年的存储繁荣周期，SK海力士将拥有HBM主导地位与定价权。人工智能浪潮正以超乎预期的速度重塑全球半导体供应链，存储芯片巨头SK海力士传出的最新信号，预示着市场可能正迈向一个由供应短缺和价格飙升定义的新周期。SK海力士三季度业绩创历史新高，运营利润飙升62%，背后是其HBM高带宽内存的全面“售罄”。公司已锁定2026年全部DRAM和NAND客户需求，HBM4将于2025年底出货。 1029AI需求爆發！SK海力士2026年全系列記憶體晶片售罄;SK 海力士公司第三季獲利大增 62%，並表示客戶已經鎖定了他們明年系列記憶體晶片的供貨，顯示全球 AI 基礎設施的建設正在加劇整個產業的需求。由於 HBM 領域的強勁表現，SK 海力士第三季獲利首度突破 10 兆韓元，達到創新高的 11.4 兆韓元（約 80 億美元），略高於分析師平均預期；同期銷售額攀升至 24.45 兆韓元。SK 海力士在聲明中指出，該公司計劃明年擴大產能，且 2026 年 DRAM 與 NAND 全系列產品的訂單已被預訂一空。SK 海力士股價29 日) 上午在首爾交易大漲逾 5%。 現代汽車證券公司分析師 Greg Roh 表示：「除了超大規模企業和追求自主 AI 的國家的需求外，對 HBM 的無限需求可能會持續到明年，OpenAI 的星際之門等大型專案，也將進一步加速 HBM 的需求，這種旺盛需求很可能持續至明年。」這項結果，挑戰了部分投資人的謹慎觀點。這些投資人認為，由於殺手級 AI 應用尚未普及，加上 AI 基礎設施的融資與供應交易存在循環性，目前的市場估值已高得不合理。並警告，OpenAI 和輝達正推動一個日益錯綜複雜的交易網絡，該網絡正人為地支撐著這場價值數兆美元的人工智慧狂熱。 SK 海力士的快速成長，凸顯了 OpenAI 和 Meta 等大型科技公司，正如何大量吞噬（hoovering up）訓練與營運 AI 服務所需的晶片、伺服器及其他設備。SK 海力士作為這波建設狂潮的主要受益者，其股價在 2025 年已翻漲近 3 倍。從長遠來看，許多投資人和科技公司深信 AI 的出現將引發記憶體市場的「超級週期」。此一趨勢尤其適用於製造 AI 加速器以及驅動 ChatGPT 等服務所必需的 HBM。 10/29.旺宏連虧9季董座道歉...外資「砸19億力挺」再抱5萬張　力積電、華邦電持續吸金 10/28.DDR5記憶體早已上市普及，為何DDR4依然漲價不止，究竟是誰在買DDR4記憶體？ 根據摩根士丹利最新報告指出，由於資料中心對網路設備的需求持續強勁，舊款記憶體（如DDR4）的壽命得以延長，加上市場可能低估了DDR4於資料中心交換器中的重要性，此預期將進一步推高平均銷售價格（ASP）。 基於此強勁趨勢，摩根士丹利上調了多家主要記憶體供應商的目標價。 10/28.IC 封測廠力成 (6239-TW) 今 (28) 日召開法說會，董事長蔡篤恭表示，對未來幾季營運趨於樂觀，執行長謝永達也指出，公司除了感受 DRAM 需求熱絡，NAND 也步上 DRAM 缺貨的後塵，看好第四季營運穩健，明年第一季營運也淡季不淡。 10/28.存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场 10/27.SK 海力士發表 AI 時代新一代 NAND 產品；台股記憶體族群漲翻天 南亞科、華邦電、旺宏飆漲停 南韓記憶體大廠SK海力士（SK hynix）今於美國加州聖荷西「2025 OCP 全球峰會」上正式發表下一代 NAND 快閃記憶體產品策略，並揭示全新「AIN（AI-NAND）Family」產品線。該系列主打為AI運算環境量身打造的高效能儲存解決方案，將從效能（Performance）、頻寬（Bandwidth）與容量（Density）三方面全面優化，搶攻AI時代高速運算與資料儲存需求。 AI 伺服器對 HBM需求增，國際大廠供應商進行產品結構調整，將DDR4、低功耗 DDR4 轉向生產 HBM、DDR5/ 低功耗 DDR5，使 DDR4 與低功耗 DDR4 供給量減，記憶體供不應求消息續發酵，帶動當天台股記憶體類股價如南亞科、華邦電、旺宏、力積電、威剛群聯紛跳空漲停。 SK 海力士三大產品線鎖定高效能、高容量與高頻寬應用;副社長金千成在峰會高階主管論壇表示，AIN Family 旨回應 AI推理市場爆發性成長，協助客戶快速、高效處理龐大數據流。 產品之一 AIN P（Performance）針對大型 AI 推論環境設計，透過重新設計NAND與控制器架構，降低運算與儲存間的瓶頸，大幅提升處理速度與能源效率。公司預計於 2026 年底推出樣品，鎖定高階 AI 伺服器、雲端運算市場。 另一產品 AIN D（Density）則著重於以低功耗、低成本實現海量資料儲存，適用於 AI 訓練與資料備份環境。該產品可將現有基於 QLC（四層單元）架構的 SSD 容量，從 TB（太位元組）級擴展至 PB（拍位元組）級，兼顧 SSD 速度與 HDD 成本效益，打造中階層級的儲存解決方案，預計將成為資料中心的重要補位產品。 第三款產品 AIN B（Bandwidth）採用名為「HBF（High Bandwidth Flash）」的技術，透過堆疊 NAND 晶片以擴增頻寬，類似於 HBM（高頻寬記憶體）的堆疊架構。此技術結合 NAND 的大容量與低成本特性，以及 HBM 的高速傳輸優勢，用以解決生成式 AI 與大型語言模型（LLM）訓練所面臨的記憶體容量瓶頸。SK海力士:正積極探索 AIN B與HBM 共同部署的應用架構，以強化 AI 伺服器的整體運算效能。 10/27.大摩調高台股多檔記憶體個股目標價 另外，台股記憶體族群持續強勢爆發。摩根士丹利10/26日公布報告指出，網路需求可能會延長 DDR4使用壽命，進而推高平均售價，故調高各供應商的目標價，首選股仍為華邦電，同時調升南亞科、華邦電、旺宏的目標價，並將力積電的評價改為「加碼」;華邦從 110 元調升至 130 元；華邦電預估 Q4 毛利率可望再度攀升，目標價也從先前的 50 元提高至 65 元，漲幅近 30％，並且維持「加碼」評等。 大摩還指出，旺宏受惠於日系遊戲機推升 ROM（唯讀記憶體）需求，加上主流 NAND 退出 MLC NAND，明年Q2可望開始生產MLC 128Gb 晶粒，因此將目標價從29元調升至40元；力積電則被認為受惠DDR4/DDR3景氣週期延長，可能有意外表現，故上調至「加碼」評級，目標價 35 元。10/27日這些被點名的個股皆氣勢如虹，強拉漲停，而且力積電以超過34.63萬張成交張數高居台股成交量之冠。 10/22.隨著 AI 應用爆發，高效能的儲存裝置需求湧現，金寶(2312)為全球SSD(固態硬碟)主力代工廠之一，受惠需求爆發，法人指出，金寶泰國廠SSD已取得大型客戶認證進入量產，將成為公司後續重要的成長動能。 近期 AI 應用爆發使得雲端伺服器、資料中心急需高容量、高效能的儲存裝置，SSD 的核心元件為 NAND 快閃記憶體，觀察近期NAND報價持續上揚，顯示SSD需求強勁。根據市場報告指出，由於 AI 訓練需求與雲端服務供應商資本支出顯著增加，再加上從HDD(傳統硬碟)逐步向 SSD 的替換趨勢，驅動了 SSD 市場需求。預估從 2025 年起到 2030 年 SSD 市場將以約 15-17% 的年複合成長率增長。 金寶的泰國第16廠SSD已取得大型客戶認證並順利量產，未來將加速放量。SSD應用廣泛，從筆電、桌機到伺服器，逐步取代傳統硬碟，將成為公司重要的成長動能。 10/21.華邦電9月自結7財報:營收79億元，月增12.94%，年增9.52%，一舉創3年3個月來新高，稅後淨利達11.69 億元，年增317.3%，Eps0.26 元，單月獲利已接近第二季整季虧損金額，單月顯現在記憶體產業供需反轉下，獲利也跟著明顯改善。預計在 DDR4 DDR3漲勢不斷下，後市營運看旺。 10/21.業務涵蓋「利基型記憶體代工」部分。報導指出，其代工記憶體（如 DRAM、SLC Flash）營收比重約為三至四成。一線大廠退出 8G DDR4 市場、SLC NAND Flash 供應減少，使得備貨需求提升、投片成長。在記憶體漲價環境下，公司可望藉由調整產能、優化產品組合來提升效益。因此，力積電 (6770-TW) 雖然在主流晶圓代工（如邏輯 IC）可能未處於領先，但在記憶體／利基型記憶體代工這塊，有機會從價格與需求回溫中受益。整體而言，記憶體（尤其部分利基型產品）正在進入價格上漲／景氣改善階段，對供應鏈廠商是個利多題材。 若記憶體價格與需求確實回升，作為代工廠，有可能享受「價格上漲 × 產能利用提升」的雙重利好。技術與應用轉型（如 GaN、3D 堆疊記憶體／模組）若進展順利，可提升公司未來競爭力及定位。法人買盤活躍、題材熱度高，短期股價或許有動能。 風險:雖有記憶體題材，但公司目前仍連虧多季，獲利轉正尚未實現。訂單能見度仍低（特別傳統邏輯 IC、驅動 IC、影像感測器市場需求疲弱）可能影響整體營運。記憶體漲價雖有初步跡象，但整體景氣是否回升、價格是否持續上漲仍有不確定性。公司產能利用率與成本結構改善需時間，技術轉型（如 3D 堆疊）需要投入與時間才能看到效益。 10/20.台股華邦電擴充產能、製程升級 斥20億元向科林研發購買機台,華邦電今公告，自今年 2月起至今日為止，向Lrcx(科林研發) 購買一批營業用機器設備，累計交易金額達新台幣 20.14 億元，以支應生產擴充與製程升級需求。 華邦電近期因應DDR4供不應求，加上 Flash 市況升溫，正積極推動製程升級與產能擴充，如高雄廠從20奈米升級至16 奈米，以及台中廠 Flash 產能增加，詳細支出金額將待月底董事會討論，初估明年資本支出達百億元以上，確切金額將在董事會後公布。 10/18.面對記憶體市場供不應求的現況，華邦電將啟動新一波擴產計畫。總經理陳沛銘今表示，目前公司月產能約1.5萬片、滿載可達2.7萬片，董事會將於本月底討論高雄廠新投資案，若順利通過，設備交期約9至12個月，最快明年第三至第四季可完成擴充。雖然還未通過預算，但以公司上一季董事會通過Flash的擴產計劃來看，5千片在台中廠生產約花費6、70億元，而以DRAM來說，在高雄廠每5千片約要30～40億元，等於若明年擴產1萬片產能，資本支出會到百億以上。不過確切金額將等待董事會後公告。 技術上，華邦電16奈米製程進展順利，相較20奈米可提升晶粒產出30%至35%，目前已送樣驗證8GB產品，預計明年第一季末至第二季啟動量產，首波產品為8Gb DRAM。以DRAM投片週期約120天以上計算，屬高難度製程。另，針對邊緣AI應用的CUBE產品，陳沛銘透露，開發進度優於預期，預計明年下半年取得訂單、後年起開始貢獻營收，開發時程領先同業約三年。 10/17記憶體品牌十銓科技旗下電競品牌 T-FORCE 今（17）日宣布，推出新一代儲存裝置 T-FORCE Z54E PCIe 5.0 固態硬碟，能提升資料讀取速度，並提供 1TB、2TB 與 4TB 三種容量選擇 10/17.記憶體廠晶豪科(3006)9月營收達13.08億元，月增16.7%、年增5.96%，為2024年3月以來高點。累計前三季營收97.68億元，年減5.44%；第三季營收35.77億元，季增8.8%、年增4.82%，為歷年同期第三高，顯示記憶體需求回溫帶動營運走揚。 近期DDR3也因受惠於電視、機上盒與網通設備等消費性電子主晶片多僅支援DDR3與DDR4，加上DDR4價格先前大漲，市場轉向採購DDR3替代，帶動需求與報價回升，趨勢助益晶豪科報價調升、營運回溫。 展望後市，晶豪科表示，整體市場氛圍正面，現貨價格持續走高、出貨量維持穩定，第四季營運可望持續轉佳，雖然DDR3屬成熟產品，逐漸被新規格取代，但在部分嵌入式應用領域仍具穩定市場需求。 不過在獲利表現上，晶豪科坦言仍受庫存成本壓力影響，第三季庫存成本約落在每顆32至33元，即便以30元售出仍有6%~7%的落差，加上晶圓與測試費用上升，壓力不小。不過隨著記憶體市場轉趨正向，DDR4價格短期不易下滑，利基型DRAM亦將逐步受惠，公司具備調漲空間，漲價效益可望自第四季起顯現。 **10/16.AI伺服器需求不減，被動元件市場迎來轉機。村田製作所預告AI伺服器相關應用將推動MLCC需求倍數成長。根據美國被動元件通路商Surge Components(SPRS-US) 10月15日公布2025年第三季財報，營收年增29%至1,030萬美元，主要受惠於電子產業庫存逐步回歸正常、下游客戶補貨需求回升。毛利為280萬美元，年增14%，但毛利率降至27.7%；歸屬普通股股東的淨利年增6%,EPS達0.08美元。顯示被動元件需求增溫。 九豪(6127)今天率先漲停，九豪為全球第2大電阻陶瓷基板供應商，僅次於日本丸和電子，全球市佔率約27%，主要客戶為台系晶片電阻大廠如國巨、大毅、旺詮、華新科、奇力新與台達電子公司乾坤等等，這些電阻廠即佔有標準型晶片電阻全球高達60%左右的市佔率，九豪則有高達50%以上營收來自國巨集團，營收中75%來自電阻用陶瓷基板。 10/16.DRAM漲勢看不到盡頭　宜鼎董座：每月都有驚喜;工控記憶體模組廠宜鼎2025年營運逐月成長，董事長簡川勝表示，AI需求爆發性成長，不僅帶來DDR4嚴重短缺，也讓這波缺貨潮「一去不回頭」，整體記憶體價格趨勢往上攀高，目前「沒有一家能看到（漲勢）盡頭」，這也是產業界首次出現的現象。 **10/15.環球晶義大利子公司MEMC擴廠案，去年6月中獲歐盟執委會的競爭總署核准，並獲義大利企業暨義大利製造部提供最高1.03億歐元（約新台幣35.82億元）研發補助，打造12吋晶圓廠。 10/14.三星季度利润创2022年来最大，抓住全球AI繁荣机会;三星电子三季度运营利润12.10万亿韩元，这反映了存储芯片需求的激增和全球AI开发的加速，分析师预期9.7万亿韩元。三季度销售86万亿韩元，分析师预期83.58万亿韩元。三星正寻求在未来几年利用预期的人工智能热潮，该公司在最新的高带宽存储芯片方面取得了进展，并获得了AMD等公司的订单。 10/14.「窮人版」AI解方，記憶體大漲才開始　專訪群聯潘健成：會缺十年！「也太誇張了吧，」記憶體大老、旺宏電子總經理盧志遠感嘆。他告訴我，最新一代的標準型DRAM DDR5已經問世兩年，「照理說新一代出來，舊的就要跌價。」 沒想到性能較差的舊款DDR4，從6月開始一路飆到DDR5的兩倍價，是他生平所未遇的特異現象。 這是這波AI革命對供應鏈的最新衝擊。 舉世四大記憶體廠，SK海力士、三星、美光、長鑫存儲不久前相繼宣布停產DDR4，將產能資源移到DDR5，以及AI伺服器所用的高頻寬記憶體（HBM）。但因為不少還在量產的舊款手機、電腦用的仍是DDR4，夕陽產品突然奇貨可居。 台灣兩家二線DRAM廠，主力產品還是DDR4的南亞科、華邦電，頓時股價狂飆，過去一個月股價大漲63%、67%。南亞科9月營收甚年增158%。 10/14.十銓4967:9月合營收19.46億元，年增率為 64%，月增率107.79%。宇瞻8271記憶體產業中，特別專注於工業級記憶體廠商，這使其受惠於工控、車用、醫療、網通等高穩定度需求的市場，受景氣波動的影響相對較小。 10/13.威剛：CSP需求驅動　NAND Flash估缺貨到明年上半年 10/13.南亞科今法說會，第三季自結財報，由於 DRAM 價格與出貨量雙雙走揚，單季稅後淨利約 15.63 億元，EPS約 0.50 元，終止連11 季虧損，營運明顯改善。 10/12.台股本週（10/07~10/09）終場加權指數上漲540.86點、漲幅2 ％收27301.92點。自營本週合計買超107.89億元，觀察買超前十方面，受惠記憶體缺貨漲價潮，指標股南亞科、力積電（6770）、華邦電（都因此受惠，股價單週分別上漲18.67%、11.4%、11.98%，累計掃貨逾1.5萬張，金額上看近12億元。 10/9.OpenAI 星際之門記憶體晶圓需求每月達 90 萬片，AI 撼動傳統記憶體生態;全球人工智慧（AI）運算能力與效率需求急遽攀升的浪潮下，由 ChatGPT 開發商 OpenAI 所規劃的龐大「星際之門」（Stargate）計畫，已成為驅動全球記憶體產品市場結構性變革的核心催化劑。這項耗資巨大的計畫，對記憶體晶片的需求達到前所未有的水準，迫使供應鏈加速創新，並重新定義了從高頻寬記憶體（HBM）到標準動態隨機存取記憶體（DRAM），乃至固態硬碟（SSD）的分工與價值。 10/9.台股今日再創波段新高，電子族群成為領漲主力，其中記憶體族群因威剛、十銓宣布暫停報價，瞬間成為盤面焦點。這項罕見舉動被市場視為供應緊張與價格上調的前兆，帶動買盤迅速湧入。 10/5.OpenAI结盟三星、SKH鎖定每月90萬片DRAM和90萬片HBM晶圓供應;韓國科學技術信息通信部於10/1日宣布，韓政府已與OpenAI簽MOU，雙方將在AI領域全面合作，旨在將韓國打造為全球三大AI強國G3之一及亞太AI中心。 根據協議，韓企如三星和SK集團將參與OpenAI 全球AI數據中心建設及美國「星際之門」項目，該項目由OpenAI、軟銀和甲骨文共同投資高達 5000億美元。韓政府還將與OpenAI合作，促進韓國AI生態系統均衡發展，支持公共部門AI轉型，並推動AI人才培養及初創企業生態系統發展;隨後，三星集團與SK集團也公布與 OpenAI 合作協議,將共同參與OpenAI全球數據中心及「星際之門」項目，並為OpenAI提供每月90萬片DRAM晶圓和HBM晶圓的需求保障。 三星和 SK 海力士合計掌握全球 DRAM 市場的 70% 及 HBM 市場的近 80%，這一消息使得兩家公司股價在當地時間周四飆升，三星電子股價創2021年來最高，收盤漲3.5%，而SKh則飆升近10%，達2000 年來最高點。 10/8.記憶體漲聲響起！大摩看好華邦電、力積電強彈　美光升評「優於大盤」引爆資金潮 記憶體市場再度點火！大摩最新報告:主流記憶體價格全面走強，DDR4與DDR3漲勢正進入新一波高峰，預期第四季漲價幅度將更為明顯。大摩甚直言，這是重新檢視整個記憶體產業估值的「高峰時刻（peak valuations）」，並將國際記憶體巨頭美光（Micron）升評至「優於大盤」。 這股熱浪迅速蔓延至台股市場，南亞科（2408）昨（7）日僅差臨門一腳未攻上漲停，收91.2元，而愛普*（6531）、華邦電（2344）與力積電（6770）則齊鎖漲停板。大摩同時將這三檔推測合理股價調高至435元、50元與30元，等於再度替台系記憶體族群吹響多頭號角，今日各個股的收盤價也成為投資人的觀察關鍵。 大摩強調，記憶體上升循環才剛開始，現在進場「一點都不嫌晚」。報告指出，主流DRAM廠商已暫停對企業客戶報價，暗示價格仍有強勁上行空間；在NAND部分，SanDisk近期甚至與力積電洽談潛在產能合作，雖受限於其與鎧俠（Kioxia）的合資架構，合作機率不高，但這一舉動仍揭示市場供應吃緊的事實。 摩根士丹利預期，傳統DRAM的漲勢將更猛烈，DDR4未來三個季度恐維持10%～15%的供給短缺，而封測產能瓶頸更可能讓缺口擴大。部分規格DDR4合約價甚至可能在本季「翻倍上漲」。大摩指出，目前DDR4報價有效期已縮短至不到一個月，意味價格幾乎每幾週就有調漲壓力；DDR3同樣不遑多讓，預期第四季將有高雙位數的漲幅，NOR部分也將調漲5%～10%。 整體來看，摩根士丹利認為，美光升評只是記憶體復甦浪潮的開端，而台系記憶體族群正迎來「報價翻倍、獲利翻身」的關鍵時刻。 10/2.2日外資連3買今續買超234億元，三大法人買超317.9億元,指數漲395點，收26378點新高，華邦電最大贏家，外資敲3.49萬張霸榜，投信自營商全買，三大法人掃5.19萬張，股價大漲6.5%，收36元，成交量爆46.6萬張大量。 10/2.受惠記憶體價格漲，美光1日股價大漲8.86%，台股記憶體族群今續成為盤面主流，華邦電價量俱揚，帶動轉投資集團封測廠華東8110強勢漲停19.35元 10/2.“存储双雄”三星、SK海力士股价大涨，此前与OpenAI就“星际之门”达成初步供应协议 (報導，南韓晶片製造商三星電子與 SK 海力士周三 (1 日) 宣布，雙方已簽署意向書，將為 OpenAI 的資料中心供應記憶體晶片。此舉象徵著南韓半導體雙雄正式加入這項備受矚目的 AI 基礎設施項目，以滿足其龐大的晶片需求。) 三星股价上涨4.5%，SK海力士股价涨9.7%，均为四月以来的最大盘中涨幅。据合作声明透露，随着星际之门项目在全球扩张，来自OpenAI的总需求可能达到每月90万片晶圆。 韩国两大内存芯片制造商三星电子和SK海力士与OpenAI达成初步供应协议后，股价应声大涨。 10月2日周四，三星股价上涨4.5%，SK海力士股价涨9.7%，创下为四月以来的最大盘中涨幅。 10/1.力積電8月自結稅後淨損4.73億元，每股虧損0.11元，但由於記憶體價格上漲，力積電也代工DRAM、快閃記憶體，月產能約5萬片12吋晶圓，營收比重約3-4成，市場看好記憶體價格上漲，有利力積電記憶體代工業務帶來營運轉機，利多題材帶動股價飆漲。 9/25.研調機構集邦科技（TrendForce）今指出，雲端服務供應商（CSP）廠商將儲存需求快速轉向QLC enterprise SSD，短期內急單大量湧入，造成市場明顯波動，同時，SanDisk率先宣布調漲10%，Micron也因價格與產能配置考量暫停報價，使得供應端氛圍由保守轉為積極，在此外溢效應帶動下，預估第4季NAND Flash各類產品合約價將全面上漲，平均漲幅達5-10%。 TrendForce表示，消費市場需求上半年提前拉貨，下半年旺季未能如預期發揮效應，市場原本普遍預估第四季價格將進入盤整，但沒想到HDD供給短缺與過長交期，使CSP廠商將儲存需求快速轉向QLC enterprise SSD，外溢效應帶動帶動價格上漲。 9/24.研調機構集邦科技最新調查指出，三大DRAM原廠續優先分配先進製程產能給高階伺服器（server）DRAM和高頻寬記憶體HBM，排擠PC、mobile和consumer應用的產能，同時受各終端產品需求分化影響，第4季舊製程DRAM價格漲幅仍可觀，新世代產品漲勢相對溫和；預估整體一般型DRAM價將季增8-13%，若加計HBM，漲幅將擴大至13-18%。TrendForce表示，第4季PC促銷、鋪貨動能預計趨緩的情況下，PC代工廠（OEM）的整機出貨量將隨之減少，預料主要OEM的DRAM位元採購量將呈季減。此外，因三大原廠積極轉移產能至server DDR5，PC DDR5、PC DDR4供應規模皆受限，因此，第4季整體PC DRAM價格將持續小幅上漲。 9/22.韓國經濟日報報導，人工智慧（AI）榮景引領記憶體的超級週期，摩根士丹利（大摩）預期該產業今年迎來「暖冬」，並將對半導體產業的評級從「中性」上調至「具吸引力」。業界消息人士指出，三星電子近期已通知主要客戶，第4季DRAM的價格將上漲15%至30%，NAND快閃記憶體價格也將調漲5%至10%。 9/22.“火上浇油”！继大摩等看好传统存储前景后，内存巨头集体宣布涨价！报道称三星大幅上调内存和闪存价:DRAM涨幅高达30%，NAND闪存价涨5-10%，原因是供应紧张和云端企业需求激增。美光和闪迪等此前也宣布类似涨价措施，其中美光涨幅达20-30%并暂停接受新订单，闪迪宣布NAND闪存产品涨价10%。这表明整个内存行业正面临供需失衡压力。。据韩国媒体Newdaily报道，三星将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%，eMMC和UFC等NAND闪存产品价格上涨5-10%。供应紧张主要源于老产品减产和大型云服务商需求增长。此轮涨价反映出内存行业正经历结构性转变。厂商将重心转向AI PC和下一代智能手机等新兴市场，导致传统产品供应收缩。摩根士丹利预计，随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。供应紧张的根本原因在于产业重心转移。随着AI PC和新一代智能手机采用LPDDR5/X标准，厂商减少了老产品生产，但新标准产能尚未跟上需求增长。DDR4内存价格已暴涨50%，使DDR5成为更具成本效益的PC解决方案。 内存价格上涨将直接影响消费电子和企业采购成本。三星作为全球最大内存厂商之一，其定价策略通常引领行业走向，市场担忧供应紧张可能持续至2025年。 HBM需求挤压传统产品供应:高带宽内存（HBM）需求激增成为推高价格的关键因素。各大DRAM厂商纷纷转向AI赛道，优先为英伟达、AMD等AI加速器供应最新产品。这种优先级调整导致消费级DRAM供应更加紧张。三星目前占据32.7%的DRAM市场份额和32.9%的NAND市场份额。公司正努力获得英伟达支持以推广其HBM产品，同时加速LPDDR6 DRAM开发，首批设计预计今年晚些时候推出。此前摩根士丹利在研报中表示，HBM"溢价神话"面临挑战，2026年将出现激烈竞争和定价压力。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块，大摩特别看好传统DRAM的投资价值。DRAM 和 NAND 的供需结构趋紧，似乎增强了涨价的必要性。花旗集团预测，明年 DRAM 和 NAND 闪存的供应将分别短缺 1.8% 和 4%。摩根士丹利也预测，明年 NAND 的供应将短缺高达 8%。 9/21.繼美光上周暫停報價並預告全面調漲後，三星本周也傳出通知客戶，第四季 DRAM 產品包括 LPDDR4X、LPDDR5/5X 合約價將調漲 15-30%，NAND (eMMC/UFS) 價格也將調漲 5-10%；業界看好，隨著美光、三星陸續調漲，下游客戶在預期心理驅動下，恐追高補貨，將進一步推升記憶體漲價盛況。 9/18.記憶體漲價潮帶動營收動能，南亞科、華邦電市場持續看俏營運;記憶體市場迎來漲價潮，記憶體概念股挾著漲價優勢人氣噴發！週四(9/18)華邦電(2344)、力積電(6770)、旺宏(2337)攻上漲停，並以超過40萬及30萬張成交量，奪下冠亞軍，南亞科(2408)、旺宏(2337)也飆出大量。根據投顧最新報告，同步給予華邦電、南亞科「買進」評級，南亞科直接喊上80元，給出「強力買進」評級，讓資深股民直呼「怎麼一家比一家高」。不畏台股昨（17）日重摔近200點，因美光傳漲DRAM價格20%~30%，並暫停1周報價，激勵DRAM雙雄逆勢強彈，單日漲幅都逾5%，除華邦電來到29.4元進逼30元整數大關，南亞科更一舉突破70元收73.3元，續創新高。雖然DARM雙雄股價連日急噴，但法人卻還沒下車跡象，仍持續上調目標價，根據群益投顧最新報告，同步給予雙雄「買進」評級，除華邦電給予32.21元目標價，南亞科更喊上79.8元，除群益投顧的目標價距8字頭僅只差一小步，華南投顧更直接喊上80元，給出「強力買進」評級，讓資深股民直呼「怎麼一家比一家高」 9/16.近期記憶體市場傳來振奮消息，DDR4 合約價格的漲勢遠超乎市場原先預期，並且在伺服器需求上修的帶動下，此一漲勢有望延續至 2026 年第二季。這一趨勢為國內記憶體大廠南亞科帶來顯著的獲利成長動能，其營收與每股盈餘（EPS）預估值均獲得大幅上修，因此凱基證券維持「買入」投資頻等，目標價上調至新台幣 77 元。 9/14.記憶體市場近期因供需急遽變化，NAND 與 DRAM 市場同步轉旺。美光近期傳調漲 DRAM 價格20%~30%，並自 9/12日起暫停一周報價，顯示需求遠超預期。業界也已證實，並看好美光開出漲價第一槍後，市場將掀起新一波搶貨潮，漲勢將從 DDR4 擴大延燒至 DDR5。 9/12.台股今漲258.9點1.03%收25,474點。美光即將9月23日公布財報，受惠於AI應用快速成長，花旗分析師預期記憶體需求將急速增加，甚2026年可能出現供不應求，激勵美光股價大漲逾7%。台股記憶體族群全面走強，力積電盤中一度衝18.9元漲停，華邦電和南亞科成交熱絡，三檔成交張數都破18萬張，躍居市場焦點。 隨著電子業傳統旺季到來，法人看好記憶體價格第四季仍可望季增20%至50%，其中DDR4因減產與停產，供不應求情況已逐漸確立，南亞科與華邦電被點名為主要受惠者。今華邦電以將逾27萬張居成交量之冠收25.45元漲約1.8%；力積電成交約20萬張居次收17.95元漲4.36%；南亞科則成交約18.6萬張排第三收57.40元，漲1.6%。 8/21.韓媒傳出，三星電第六代高頻寬記憶體「HBM4」樣本已獲得輝達驗證通過，預計8月底便可進入最終的預生產階段，若測試順利，則最快今年底能開始量產。 8/19.HBM，挑战加倍;HBM因其3D堆叠技术成为AI时代的关键组件，SK海力士凭借HBM3E技术独占鳌头，市场份额和销售额超越三星。面对SK海力士的强势崛起，三星重启了Z-NAND技术，而其他厂商也在探索X-HBM、堆叠式DRAM等替代方案，并发展存算一体等新架构，以降低对HBM的依赖。 高带宽内存（HBM）作为下一代动态随机存取存储器（DRAM）技术，其核心创新在于独特的 3D 堆叠结构 —— 通过先进封装技术将多个 DRAM 芯片（通常为 4 层、8 层甚至 12 层）垂直堆叠。这种结构使 HBM 的带宽（数据传输速率）远高于 GDDR 等传统内存解决方案。 8/14.大摩警告内存市场转变：看空HBM“溢价神话”，看多传统存储“周期归来”;大摩称，HBM"溢价神话"面临挑战，2026年将出现激烈竞争和定价压力，SK海力士在英伟达市场份额预计从85-90%降至50%以上。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块，大摩特别看好传统DRAM的投资价值。 8/11.集邦科技（TrendForce）最新調查，2025年下半年DDR4市場處於持續供不應求與價格強勢上漲態勢，由於供應商先滿足伺服器需求的DDR4，排擠其他應用的供給，因而造成消費端的DDR4價格大幅上漲，根據rendForce調查，7月消費性DDR4合約價飄漲逾60%~85%，因此TrendForce大幅上修第3季消費性DDR4合約價季增85%~90%。 8/11.盘前涨近5%！DRAM价格改善推动盈利提升，美光科技大幅上调2025财年第四季度业绩指引，营收预期上调至111—113亿美元，毛利率指引提升至44％至45％，此前预计41％至43％。此外，美光科技还预计，第四季度调整后每股收益2.78美元至2.92美元。美光上调了第四财季收入、利润、毛利率和运营费用预期，理由是DRAM“定价有所改善”公司特别提及DRAM定价条件的改善，这一变化通常反映出存储器市场供需平衡的改善。DRAM定价改善为整个存储芯片行业创造了更有利的定价环境，可能预示着历来具有周期性特征的存储芯片定价正进入积极周期。 8/7.美國總統川普擬對半導體課徵100%關稅，南韓SBS電視台報導，南韓對美首席貿易談判代表、產業通商資源部通商交涉本部長呂翰九（Yeo Han-koo）呂翰九表示，三星電子（Samsung）和SK海力士（SK hynix）的晶片不適用美國的100%半導體關稅。 7/31.三星電子第二季財報不如預期，其中晶片部門單季獲利4000億韓元（約台幣94.68億），年減94％。為了挽救低迷的業務，傳出三星暗示下調 HBM3E（第 5 代高頻寬記憶體）的價格，外界研判此舉可能希望吸引輝達的興趣，因為目前為止，三星HBM尚未獲得輝達認證。 《Wccftech》報導，就三星及其HBM業務而言，迄今為止，這家韓國巨頭的處境面臨挑戰，因為該公司仍未獲得輝達的訂單。為此，三星似乎採取更積極的策略，並在最近的第二季財報電話會議上披露HBM價格受影響，聲稱HBM供應已超過需求，降價可能是三星吸引客戶興趣的一種方式。 7/24.创历史新高并超预期。SK海力士刚交二季度成绩单，其营收和营业利润不仅双创史新高，更是轻松碾压分析师的一致预期。 Q2财報：营收222.3万亿韩元（161.7亿美元），年增长35%创史新高，更是轻松超越分析师预期205.6万亿韩元；营业利润92.1万亿韩元，年暴涨69%，创史新高并超预期。 核心业务：凭借高带宽内存HBM技术领导地位，首次在全球DRAM市场份额上超越三星，并在整体存储器市场与三星并驾齐驱。 客户关系：英伟达等AI芯片巨头的核心供应商，受益于AI服务器强劲需求，定价能力显著增强。 市场前景：公司预计2025年剩余时间需求大幅修正可能性较低，但面临三星和美光加速追赶的竞争压力。 SK海力士凭借其技术前瞻性，牢据HBM市场的领导地位，成为了英伟达等AI巨头不可或缺的供应商。亮眼的二季度财报表明在当前这场由AI驱动的芯片军备竞赛中，手握核心武器的供应商，正在享受前所未有的超额利润。今年以来SK海力士韩国股价已经累计上涨57%。 7/16.DDR4价格倒挂调查：HBM芯片如何引爆“过时”内存涨价潮？分析师认为，当前三星、SK海力士正处在制程转换期，并且“产能优先保障生产Server DRAM及HBM，导致PC DRAM及mobile DRAM的位元产出受限”。供给端因HBM而收缩，需求端又未同步下降，这种“供需错配”是DDR4此轮涨价行情的直接原因。一款按照技术迭代规律本应逐步淡出主流市场的半导体产品——DDR4内存（第四代双倍数据速率内存），近期却在存储芯片现货市场呈现出反常的价格走势。 7/8.南韓三星電子（Samsung Electronics）週二（8日）公佈初步報告，預計第2季營業利潤將年減56％，遠超出分析師的預期，背後最大的原因是AI（人工智慧）晶片在美國和中國的銷售放緩。《路透》報導，三星預計4月到6月期間營業利潤為4.6兆韓元（約新台幣1070.8億元），遠不及LSEG SmartEstimate預測的6.2兆韓元（約新台幣1443.3億元）。這一數字將是三星近6季以來最低，低於去年同期的10.4兆韓元（約新台幣2421.1億元）和上季的6.7兆韓元（約新台幣1559.7億元）。 7/7.分析预计，三星电子在今年4月至6月期间实现运营利润6.3万亿韩元（约合46.2亿美元），这将是该公司六个季度以来的最低收益，主要原因是向英伟达供应先进内存芯片的延迟。 7/6.據韓國金融投資協會6日數據顯示，三星電子受到半導體部門拖累，普通股在上月占韓國主要指數Kospi的比重為14.53%，寫2016年3月最低。三星普通股加上優先股權重為16.17%，創2016年2月以來新低。 《韓國先驅報》報導，南韓主要指數Kospi重回3000點大關，三星電子卻因晶片部門拖累，在Kospi的市值權重跌至逾9年新低。 7/3.動態隨機存取記憶體DRAM市況好轉，南亞科6月營收突破新台幣40億元關卡，達40.74億元，創35個月來新高，月增22.23%，年增21.14%。第2季營收逐月攀高，季營收突破100億元大關，達105.26億元，季增46.44%；累計前6月營收177.14億元，年減8.8%。據市調機構集邦科技調查，5月DDR4顆粒合約價上漲2位數，6月在工控類模組廠積極尋購貨源激勵下，6月DDR4顆粒合約價再漲2位數。集邦並預期，第3季DDR4供給將持續緊張，合約價有機會進一步上漲。 6/24.晶片巨頭SK海力士:24日下午2點，股價報27.8萬韓元日漲7%,市值首超過200兆韓元(台幣4.3兆元)達到202.4兆韓元, 次於三星電（市值355.8兆韓元，約台幣7.7兆元）後韓國第二大上市公司。 SK海力士與輝達和台積電等主要合作夥伴的密切聯繫，得益在高階高頻寬記憶體（HBM）市場領先地位，股價一直呈穩定上升趨勢。該公司計劃於今年下半年開始量產其第六代HBM4晶片。美國總統川普宣布以色列和伊朗同意停火結束衝突後，股市上漲，投資人紛湧入半導體股，推動韓股飆漲。KOSPI盤中交易中突破3100點大關，為近4年來首次。 7/2.比台積晚1年　三星1.4奈米製程延至2029年量產 6/20.記憶體模組大廠威剛（3260）指出，受惠DDR4需求爆增，公司訂單應接不暇，因客戶下大單排隊等出貨的意願大增，目前公司海內外廠產能擠爆，預估第三季DDR4合約價喊達30~40%的漲價幅度，威剛在庫存充沛且採購貨源無虞的支持下，營運表現將呈跳躍式發展，挑戰歷史高檔可期。 5/15.DRAM芯片，“甜蜜点”已至;短短一周，DRAM市场已有两则涨价消息传出，分别为SK海力士与三星电子。除了价格变化，DRAM市场的竞争格局开始分层。三星、SK海力士和美光等主要DRAM制造商逐步计划在2025年下半年终止DDR3和DDR4内存的生产。4月，存储芯片似乎迎来行业的转折点。 5/13.記憶體價格谷底翻揚市場需求回，威剛Q1:二大獲利指標躍升;威剛Q1財報:營收99.08億元毛利率13.77%，營業利益4.2億元季增93%，稅前淨利季增105.6%至7.4億元，稅後淨利5.5億元季增48%，歸母業主利益5.3億元，季增逾7成，加權平均股數,每股盈餘1.72元。 威剛:第一季DRAM模組占整體營收比達56.5%，SSD:30.55%，記憶卡、隨身碟與其他產品占比12.98%。 威剛表示，記憶體供需轉趨健康，DRAM與NAND Flash現貨價自2月開始止跌反彈，公司備妥生產量能與充足的庫存，全力滿足客戶需求回溫。展望本季，威剛預期，隨著兩大記憶體價格續看漲，客戶備貨動能將延續一整季，工廠也從3月起已連續數個月加班生產，產能滿載的情況有機會一路延續至7月。 5/13.三星電子傳出與客戶達成DRAM漲價的共識，DDR4漲幅將達兩位數，DDR5漲個位數，SK海力士也將調漲DRAM價格,華邦電 南亞科 股價暴漲 5/5.記憶體价跌势结束，在2025年Q1和接下来Q2，价格开始企稳反弹。海力士DRAM消费级颗粒（Memory Chip/Die）价格已涨约12%。另外，SanDisk:3月6日向渠道发布闪存Flash Memory价上调通知：“我们将从4月1日开始实施价格上涨。这些涨幅将超过10%，并适用于所有面向渠道和消费者客户的产品”；5/3日:市场调查公司DRAMeXchange市调:用于PC通用DRAM DDR4 8Gb 产品固定交易价较3月涨22.22% 5/1.三星電近公布第1季財報後，放棄對本季提出業績展望，並警告美國的.關稅政策可能衝擊智慧手機在內主力產品的需求，半導體業務今年也面臨更大不確定性。《財聯社》報導，三星表示，受關稅壓力影響，預計半導體業務將全年面臨較大不確定性，而智慧型手機出貨量將在第2季面臨風險 第1季財報:營收79兆韓元（約新台幣1.7兆元），年增10％；淨利為8.22兆韓元（約新台幣1847億元），年同成長21.7％；營業利益6.7兆韓元（約新台幣1506億元），年增1.2％。 晶片部門銷售額降17％至25兆韓元，營業淨利為1.1兆韓元年滑42％；營收降至25.1兆韓元。 報導指出，儘管三星獲利能力略有提升，但這並不是值得投資者歡呼，因為利潤成長的原因是消費者擔心美國關稅，紛提前搶購智慧型手機和晶片，這也意味三星今年剩餘幾個月產品需求可能受抑制。 對此三星也坦承，全球貿易緊張局勢「使得預測未來業績變得困難」，如果不確定性消失，預計下半年業績將會改善。三星還提醒，因部分客戶提前拉貨，可能導致今年下半年需求下滑。而近期全世界貿易情勢緊張，加上經濟成長趨緩，造成總體經濟不確定性增加，故難以預測未來的業務表現，所以三星決定不發財測。 3月美國總統川普宣布將對中國商品徵收高額關稅，同時美國對華出售人工智慧（AI）晶片的限制也愈發嚴格，三星表示，這可能會抑制中國市場對三星生產的一些電子元件的需求，例如晶片和智慧型手機顯示器。中國是三星電子最大的市場。 此外，川普先前還宣布將向包括南韓、越南等多個國家徵收所謂的「對等關稅」，這些國家都是三星智慧型手機和顯示器的重要生產地，儘管這些互惠關稅已被暫時推遲，但仍可能動搖三星供應鏈的穩定性。 4/30.手机和芯片销售强劲，三星一季度营收79.1万亿韩元，增长10%创历史新高，大超预期; 芯片业务同比增长，公司表示将加速HBM芯片的迭代和量产。手机业务销售额同比增长10%，该公司将这一增长归功于其最新推出的Galaxy S25智能手机系列，该系列在前几款机型的基础上增强了AI功能。 受益于AI需求带动芯片业务反弹，三星一季度业绩超预期，营收创历史新高，同比增长10%，营业利润也超出市场预期。 2025年一季度财报:营收79万亿韩元年增10%季增4%;运营利润6.7万亿韩元，同比仅微增0.1万亿韩元，环比增长0.2万亿韩元，超过分析师普遍预期的6.4万亿韩元。 核心业务表现：DX (Device eXperience)营收51.7万亿韩元年增9%季增28%。DS (Device Solutions): 营收25.1万亿韩元，年降9%，季降17%，存储芯片业务面临挑战。 4/24.“AI内存芯片王者”得益于全球AI领域竞争及客户在关税征收前抢进口，SK海力士Q1营业利润7.44万亿韩元（约合52亿美元）,超预期增158%, 预期6.6万亿韩元，营收增长42%，但关税风险下的风险仍在逼近。摩根士丹利分析师Shawn Kim表示，在更大影响因素下，财报季并不重要。关税对内存的真正影响就像一座冰山，大多数危险都隐藏在水面之下，且仍在逼近。，这是该公司第二好季度业绩，上一季度营收和营业利润均创史新高。作为英伟达重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。SK海力士表示，12层HBM3E芯片的销售额预计将在第二季度增长，占HBM3E总营收的一半以上。该芯片是目前市场上与Nvidia(GPU)使用的最先进的HBM芯片。SK海力士也警告称，宏观经济的不确定性将导致下半年需求波动。但该公司仍预测HBM的需求将在2025年翻一番，理由是该公司提前一年与客户达成了供应协议。 自今年年初来，SK海力士股价仅涨約4%。对关税引发全球经济衰退担忧，及DeepSeek低成本模型引发重新评估，削弱其股价在过去两年涨逾一倍势头。分析表示，如關稅戰导致全球经济衰退，所有包含芯片产品终端需求都面临暴跌风险, 隨担忧加剧，本月SK海力士看跌押注创史新高，4月，对SK海力士股票卖空金额已达1.5万亿韩元(约10亿美元)，有望创月度纪录。与此同时，海外机构投资者本月净卖超2.9万亿韩元SK海力士股票，同创纪录。 4/23.关税和AI担忧加剧，SK海力士看跌押注创历史新高,SK海力士4月卖空金额高达约10亿美元，创月度纪录。同时本月海外机构净卖出该公司股票超过2.9万亿韩元，同样创纪录。分析称，韩国政府3月31日解除卖空禁令，加上投资者对AI主题热情减退、美国发起贸易战等因素，导致空头情绪高涨。 4/21.南亞科嗨翻天！外資狂掃1.6萬張 爆量連拉2根漲停 4/15.应对关税冲击，韩国政府宣布将对半导体行业支持计划提高到33万亿韩元(约232.5亿美元)，较去年公布26万亿韩元支持计划增加约四分之一；将对芯片行业金融援助计划从之前17万亿韩元提高到20万亿韩元。 4/10.美國總統川普對等關稅引發全球動盪，科技業也飽受其害，根據四位知情人士稱，美國記憶體晶片製造商美光科技已告知美國客戶，公司計劃從週三（9日）開始對部分產品收取附加費，以應對川普的新關稅。美光公司的海外製造基地主要位於亞洲，包括中國、台灣、日本、馬來西亞和新加坡。 4/7.南韓科技大廠三星電子（Samsung Electronics）將於週二（8日）公佈財報，在人工智慧（AI）晶片銷售疲軟以及晶圓代工業務不振的情況下，今年第1季利潤預計將下滑21％。《路透》報導，三星聯席執行長韓宗熙（Han Jong-hee）在3月下旬因心臟病驟逝，這家全球最大的記憶體晶片製造商高層再次被迫改組，並將於週二公佈Q1初步收益 3/27.美光宣布將全面調漲記憶體 族群股價逆勢上揚 3/25.美光宣布用于英伟达新品的HBM3E及SOCAMM已量产出货】美光宣布其用于英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra的SOCAMM内存模组，以及针对英伟达HGX B300 NVL16及GB300 NVL72平台打造的HBM3E 12H 36GB已量产出货。 318.品安8088(記憶體模組)連5漲,累漲逾45％ 3/7.劉德音出任美光董事 台積電樂見他續展半導體長才;劉德音於去年年中退休後，動態持續引起關注，前陣子與母校美國加州大學柏克萊分校正式成立「科技競爭力與產業政策中心」，以智庫型態研究如何提升半導體先進技術研發與製造競爭力。近期則是擔任美光科技董事，這也是他退休後，首度出任國際半導體大廠董事職 3/7.記憶體模組廠創見2451，決議配發現金股利6.1元，創近9年新高，以昨收盤價87.9元計算，現金殖利率約6.94%，帶動今股價漲停達96.6元;2024年度財報，全年營收100.83億元，年減3.93%；毛利30.7％，年增1.7個百分點；稅後淨利23.14億元年增16.6%；eps5.39元 2/27.記憶體模組廠威剛3260，27日於東京正式與日本大型綜合商社伊藤忠商事（ITOCHU Corporation）及旗下子公司伊藤忠Retail Link，簽訂合作契約，雙方強強聯手，將可共同開拓日本記憶體市場商機。 2/27.因應全球稅務及集團資金規劃，國巨去年第四季一次性所得稅費用12.1億元，致單季eps約減2.36元，全年EPS為38.13元；對今年首季看法，國巨:營收約與去年第四季相當，不過毛利率可上揚1.5至3百分點。去年Q4財報:營收300億元、季減5.5%年增9.7%，稅後淨利36.46億元、季減35.5%年減23%，單季EPS為7.1元； 全年財報:營收1216.7億元、年增13%，稅後淨利193.6億元年增11%，EPS為38.13 元。國巨:全年毛利率34.4%年增0.9百分點，營業利益率19.2%年增0.2個百分點。 國巨認為，展望未來儘管地緣政治緊張局勢加劇，國際衝突持續存在，客戶端庫存仍持續朝健康水位發展，不過公司將密切關注市場供需動態，並對 AI 應用的營運動能與未來展望保持樂觀；同時，國巨線上法說時也認為，今年首季營收約與去年第四季相當，不過毛利率將會提升 2/26.IC通路商文曄3036 昨法說會釋出去年獲利創新高，今年第一季也淡季不淡，全年仍將續成長，帶動今股價衝高漲停達114元，去年第四季稅後淨利25.4億元，eps2.27元；受惠併購效益，全年營收約為9594億元，年成長61%，稅後淨利約91.1億元、年成長127%，營收與獲利同創新高，以加權平均EPS約新台幣8.13元。 ***2/22.力成(封測廠):記憶體量縮價跌、需求不振，力成去年9.09元，創近4年來新低，決議配發現金股利7元，連續3年皆配7元，昨收盤價133元計現金殖利率約5.26%;配發率達77% 2/14.針對美國總統川普祭出關稅戰，並傳出將調整晶片法案補助，矽晶圓大廠環球晶（6488）董事長徐秀蘭今表示，公司早已全球佈局，並已在美國投資建廠，課徵關稅對環球晶影響相對較輕。至於晶片法案補助，目前補助計畫與獲補助金額沒有改變，環球晶仍會按投資計畫進行，將會達成條件後送件申請補助，若法案有被修改補助內容，公司會重新評估後續投資。 2/14.穩懋(砷化鎵)Q4財報會:產能利用率剩下35%，單季稅後淨損3.52億元,eps:虧0.83元；去年全年:營收174.58億元、年增10%，毛利率23.2%，稅後盈餘7.68億元、EPS:1.81元。因受手機及Wi-Fi無線通訊網路兩大應用熄火，再加子公司持中國客戶上市股票，因股價波動影響毛利率表現;前瞻首季:由於3個廠歲修，加首季原是傳統淡季，估計首季營收季減少約4-5%（mid-singel digit ），毛利率預估約16-19%（high-teens） ；穩懋也預期，去年第四季下滑產品如Cellular PA及WiFi PA可止跌回升，基礎建設部分持平，Optics（光學）則因備貨旺季已過首季將衰退，但長線仍舊看好。 2/14.受到AI效應持續發酵，被動元件電感大廠三集瑞-KY（6862）指出，針對AI伺服器、備用電力系統等，至少有5-7項新品開發項目，包含TLVR電感產品預計2月起小量出貨，看好2025年營運持續走高 2/11.英國金融時報導，中國領先的記憶體晶片生產商長鑫存儲，正以「滾雪球」成長，威脅南韓晶片業的主導地位。 據深圳顧問公司前瞻的數據，總部位於中國東部安徽省合肥市的長鑫存儲在全球900億美元DRAM記憶體市場的市占，從2020年的接近零上升至去年的5%，分析師預測該公司的成長可能會迅速「滾雪球」成長。長鑫存儲的崛起正威脅韓國晶片製造商三星、SK海力士，以及美國競爭對手美光在該領域的傳統主導地位，到2023年，這三家公司合計佔據Dram收入的96%。 2//7.記憶體模組廠十銓科技（4967）今公布1月營收16.4億元，月增40.65%、年增83.35%，創近5個月以來新高，主要受惠於品牌效益，工控產品及B2B專案客戶所帶來的穩定成長動能。 2/6.Skyworks財務長Kris Sennesael坦言，iPhone 17 (預計今年秋季問世)改向兩家供應商採購射頻元件，將使蘋果對Skyworks需求減20~25%。股價應聲崩跌25%, Skyworks:去年10-12月期間創造10億美元營收中，蘋果貢獻了72%。此外，85%的蘋果相關營收來自iPhone。 1/31.三星电芯片业务季度利润逊预期,存储芯片获进展:彭博:据悉英伟达批准三星的8层HBM3E人工智能存储芯片;预计2025年整体存储芯片市场需求将从第二季度开始复苏，第一季度芯片收益仍将疲弱，因soc上市延迟;2024年:资本支出53.6万亿韩元，半导体资本支出46.3万亿韩元。 三星电第四季度財報:销售额75.79万亿韩元,营业利润6.49万亿韩元;净利7.58万亿韩元，预估7.05万亿韩元;芯片销售额30.1万亿韩元，预估29.49万亿韩元;关键芯片部门营业利润2.9万亿韩元（21亿美元），低于分析师平均预测4.78万亿韩元，上季营业利润3.86万亿韩元;消费性电子营收14.4万亿韩元，预估14.82万亿韩元; 1/23.SK海力士受益于作为英伟达的主要供应商，高带宽内存（HBM）销售强劲，韩国SK海力士四季度(10月至12月)收入和运营利润双双创历史新高，当季利润首次超越“老大哥”三星。四季度:营收创高年增12%到19.77万亿韩元预计今年HBM销售额将增长100%以上;营业利润8.1万亿韩元，利润首超三星！双创史最高纪录。HBM在四季度总体DRAM收入的占比超过40%，预计2025年销售额增长100%以上；16层HBM4预计2026年下半年出货。 1/15.逆轉！群聯前董座潘健成涉財報不實 高院解任董事職務 1/13.中企挖角兇猛 韓媒：長鑫存儲35％工程師來自韓國 1/13.南亞科財報會:去年第四季因DRAM平均售價季減11-13%，銷售量季減7-9%，造成南亞科去年第四季營收與獲利雙雙衰退，第四季單季稅後虧損15.74億元，每股稅後虧損0.51元，去年全年每股虧損1.64元。展望今年市況，南亞科預估，DRAM市場可能在上半年觸底，有機會在第二季開始復甦，由於區域經濟受刺激方案可望改善，消費型需求可望自第二季開始擺脫疲弱轉好復甦。AI持續挹注雲端資料中心伺服器DRAM需求，邊緣AI運算將逐步發展於終端應用（例如: AI PC 、AI 手機 、AI機器人等各種智慧電子産品），至於一般型PC、手機及消費型電子產品需求改善幅度有限 25-1/9.環球晶12月營收54.9億元月增7.3%、年減14.65 %；第四季營收163.4億元季增3%、年減2.5%；2024年全年營收626.26億元，年減11.36 %。12月營收、第四季、下半年營收，皆為史同期第三高，全年營收也達歷第三高。
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