記憶體被動元件模組通路JL25:
記憶體/模組25(24提早噴;25-9月噴數倍):
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11/26.宜鼎 (5289-TW) 董事長簡川勝說，每天醒來都在想「要把貨給誰」，這次記憶體缺貨，不像過去一至二季的短週期，而是 AI 引發的結構性需求，明年將面臨 DRAM、NAND FLASH 雙缺局面。群聯 (8299-TW)、威剛(3260-TW) 董事長也全都說這波記憶體大缺貨，是 20-30 年沒見過的，記憶體大行情還在走，現在唯一重點是，還能買什麼？ 11/25.闪迪被纳入标普500指数，今年因“存储大牛市”暴涨;此次调整意味着追踪标普500指数的被动型基金将被迫买入闪迪股票，可能进一步推高股价。同时也标志着存储芯片行业在AI驱动的科技周期中获得市场认可。 存储芯片制造商闪迪将于11月28日交易时段开盘前被纳入标普500指数，取代宏盟集团的席位。这家今年2月从西部数据分拆出来的公司，凭借市值近300亿美元的体量，成为罕见的从标普小盘股600指数直接跃升至标普500指数的案例。 自分拆上市以来，闪迪股价飙升超过四倍，周一收盘价报226.96美元。当日股价单日上涨13.3%，盘后交易再涨8%至245.25美元。这一涨势主要由其闪存及芯片产品的强劲需求推动。 11/24.中國記憶體大廠長鑫存儲日前發表旗下首批，在中國當地自研自製的DDR5和LPDDR5X記憶體產品，邁向新一代DRAM技術的量產階段，將成為三星電子、SK海力士、美光等國際大廠的競争.. 11/23.长鑫存储发布DDR5内存新品，最高速率达8000Mbps:在11月23日开幕的第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储发布了最新的DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域。（界面） 11/21.“存储巨头”闪迪单日暴跌20%，强劲业绩难敌利润与估值双重隐忧 闪迪在科技板块整体抛售、工厂成本担忧以及对NAND闪存涨势能否持续的焦虑等多重压力下，回吐了此前的涨幅。就在几天前，该公司刚刚凭借强劲的第一季度财报和远超预期的第二季度业绩指引获得市场热捧。尽管交出了亮眼的季度业绩并给出了极为乐观的后续指引，存储芯片制造商闪迪（SanDisk）依然遭遇了股价的崩盘。 周四，存储芯片制造商闪迪的股价暴跌约20%。该股在科技板块整体抛售、工厂成本担忧以及对NAND闪存涨势能否持续的焦虑等多重压力下，回吐了此前的涨幅。 11/19.闪存全面大幅涨价 最高涨幅达38.46% 继DRAM大幅涨价后，Flash也全面涨价。据CFM闪存市场最新报价，11月19日，Flash Wafer（闪存晶圆）价格全面上涨，最高涨幅38.46%。 具体来看，1Tb QLC涨25.00%至12.50美元，1Tb TLC涨23.81%至13.00美元，512Gb TLC涨38.46%至9.00美元，256Gb TLC涨14.58%至5.50美元。（上证报） 11/18.記憶體超級週期全面啟動 三星、SK海力士庫存大減 1117.三星前五大客戶洗牌 3Q25季報告揭露Tesla晶圓代工合約:三星電日前公布2025年第3季定期報告，Goog再度入三星前五大銷售客戶名單。此外，2025年7月傳三星與Tesla簽訂165億美元晶圓代工合約，也已正式列入該季報告中。 11/17.AI需求強勁訊號：三星SK海力士庫存見底、股價大漲 11/17.存储芯片疯狂涨价，PC与服务器厂商受伤！大摩：每涨10%，OEM毛利率就下降45-150个基点;摩根士丹利警告，存储芯片价格正因AI需求和供应短缺而史无前例地飙升，DRAM现货两月暴涨260%。戴尔、惠普等因DRAM成本占比高被视为最脆弱群体；苹果凭借其强大的供应链议价能力具更强承压能力；联想PC业务更多面向企业市场，因此更容易转嫁成本。 一场前所未有的存储芯片“超级周期”正席卷全球科技硬件行业，给个人电脑（PC）和服务器制造商的利润前景蒙上阴影。 11/14.大摩分析師Joseph Moore 研判，美光列為首選股價仍有上行空間，將美光目標價從 220 美元大幅調升至 325 美元，維持「增持」評等，理由是市場尚未完全反映記憶體晶片價格飆升帶來的獲利潛力。Moore 同時將美光列為其「首選」個股。Moore 指出，桌上型電腦用記憶體晶片近期價格大幅飆升，在過去一個月內已翻三倍。他強調，這波漲勢與 2018年供給短缺相似，但本次企業的每股盈餘起點更高，預期後續將持續看到盈餘預估上修。他認為，投資人尚未充分將記憶體價格漲帶來的利多納入美光評價。 美光在 DRAM 與快閃記憶體市場占據領導地位，也已成為人工智慧伺服器高頻寬記憶體 (HBM) 的重要供應商。Moore 指出，當前需求大幅超越供給，為公司帶來明顯利多。 美光 (MU-US) 週四以 243.60 美元開盤後不久衝高到 249.50 美元，但隨即遇到賣壓，股價一路回落到 230.16 美元附近才止跌。爾後市場情緒稍微回穩，股價緩步拉升; 美光今年迄今累計上漲已達 170% 以上，遠高於 iShares 半導體 ETF(SOXX) 同期漲幅 (約 39.8%)。 11/14.短缺加劇 傳三星將部分記憶體晶片價格上調高達60% 11/12.内存上行周期“远未结束”！大摩：投资者应持有内存股而非“择时”，警惕“成本急剧上升”的消费电子和PC;大摩称，AI驱动的内存超级周期强度和持久性可能远超市场想象。核心驱动力从价格敏感型传统客户转向对价格不敏感的AI数据中心。近期服务器DRAM报价飙升70%，现货价格涨幅达336%。建议投资者"持有不动"而非择时交易，看好拥有定价权的SK海力士、三星等内存厂商，但警惕下游PC、手机等消费电子领域将面临严重成本压力和利润挤压。 11/12.AI巨头“非买不可”，厂商掌握最大定价权！大摩：本轮内存“超级周期”将远超历史峰值 ;大摩表示，本轮周期由AI数据中心和云服务商主导，这些客户对价格敏感度较低，推理工作负载已成为通用内存需求的主要驱动力，另一方面供应商掌握了史无前例的定价权。大摩认为本轮峰值定价有望超越上一轮高点，内存周期通常持续4-6个季度，盈利增长才是最终的决定性因素，而非历史估值。大摩认为，由AI驱动的新一轮内存“超级周期”已然降临，其强度和逻辑与以往任何周期都截然不同。摩根士丹利在最新的报告中指出，DRAM价格正突破历史高位，开启一轮前所未见的"超级周期"。大摩指出，与以往不同的是，本轮周期由AI数据中心和云服务商主导，这些客户对价格敏感度较低，推理工作负载已成为通用内存需求的主要驱动力。另一方面，最新渠道调研显示，四季度服务器DRAM合约报价飙升近70%，NAND合约价格上涨20-30%，供应商掌握了史无前例的定价权。该行维持对SK海力士和三星电子的增持评级，预计内存价格上涨将推动股价创新高，内存厂商盈利将大幅超预期。 大摩的最新渠道调研显示，DRAM价格前景在短短两周内急剧走强。4季度服务器RDIMM合约报价飙升近70%，远超此前30%的预测。DDR5(16Gb)现货价格更是暴涨336%，从9月的7.50美元飙升至当前的20.90美元。DDR4价格也出现50%的报价涨幅。尽管大部分合约交易将在本月稍晚完成，但客户接受似乎不可避免——他们担心价格进一步上涨且供应受限。 进一步来看，NAND陷入严重缺货的状态： NAND已成为AI计算基础设施和视频存储的关键组件。3D NAND晶圆(TLC和QLC)价格预计环比上涨65-70%，以应对产能受限。近线存储规格正从128TB转向256TB QLC固态硬盘。TrendForce预测，2026年企业级SSD比特位的服务器需求将同比增长近50%。三星2025年上半年的比特位产量受到从V6 176层向321层V8-NAND转型的制约，下半年仅逐步爬坡，导致今年比特位出货量仅增长10%。 价格上涨空间仍大，周期远未见顶 市场往往受制于“恐高”情绪，认为股价创下新高便意味着反转将至。但大摩强调，在本轮由AI驱动的行情中，盈利增长才是最终的决定性因素，而非历史估值： 当前服务器DRAM定价为1美元/Gb，而2018年1季度云超级周期的峰值为1.25美元/Gb。考虑到AI基础设施投资的规模和超大规模客户的动态特性，本轮峰值定价有望超越上一轮高点。内存周期通常持续4-6个季度，盈利正在兑现，但关键问题是与市场预期的对比——市场对通用内存定价的热情明显更高。估值不是未来回报的预测指标 11/11.繼續上漲！群聯 CEO：當前記憶體行情或許一生僅遇一次;據媒體報道，群聯電子 (Phison) 公布的2025年第三季財報，公司單季營收達 181.37 億新台幣，季增1.4%，創歷史新高；毛利58億，也達歷史最佳水平。 在財報電話會議上，群聯總經理 潘建成 指出，當前由AI推理需求驅動的市場行情極為罕見，為其職業生涯「前所未見」，甚至「或許一生只會遇到一次」。潘建成進一步透露，近期所有 NAND 快閃廠商均已啟動漲價，漲幅介於50%至75%間－例如 1Tb TLC 快閃記憶體單位價格從7月的約4.8美元上漲至11月初的10.7美元。 這一趨勢預計將進一步推動第四季度企業級儲存需求的成長。在客戶端方面，群聯主控晶片出貨量較去年同期激增380%，較上季成長72%。然而，台積電6奈米產能的緊張局面可能對未來供應能力形成限制。 關於價格走勢，潘建成表示，目前原廠NAND快閃記憶體業務的毛利率約為 50% 至 60%。他指出，若毛利率升至80%將扼殺整個產業生態，因此身為主控晶片企業，群聯希望上游原廠在定價上保持理性，不過適度的漲價確實有助於原廠擴大產能、提升供應。在此之前，記憶體晶片廠商 SanDisk (閃迪)已於11月將NAND Flash合約價格調高50%，引發市場震動；更早在10月，三星電子率先暫停 DDR5 合約報價，SK海力士與美光迅速跟進，導致DRAM供應鏈出現斷裂風險，部分急需訂單湧向現貨市場，推動DDR5價格在一周內飆升25%。 11/10.記憶體晶片需求火爆！DRAM价预期再上调，AI巨头甚至疯抢2027年产能;全球内存市场在AI服务器需求带动下迎超预期涨价。由于内存供应商优先将产能分配给利润更高的服务器客户，PC和手机制造商正面临供应紧张的局面。 集邦科技上调2025年四季度DRAM涨幅预期，服务器用内存单月涨至300美元以上，云巨头甚至锁定至2027年产能，挤压PC与手机供应，低功耗DRAM涨幅高达38%—43%。高盛看好三星与SK海力士将成为本轮周期最大受益者。据高盛10日发布一份研究报告，市场情报公司集邦科技已再度大幅上调其对2025年第四季度DRAM价格的增长预期。此次调整覆盖了服务器、PC和智能手机等所有主要应用，最新预测数值现已超过了高盛此前的乐观估计。这轮涨价核心驱动力来自数据中心。报告指出，美国的“超大规模”云服务商对AI前景抱有强烈信心，正积极与内存供应商洽谈不仅涵盖2025至2026年、甚至远及2027年的采购量。这种罕见的长期订单商谈，正加剧其他应用领域的供应不确定性，并极大地增强了内存供应商的议价能力。这一趋势对三星电子和SK海力士等主要内存制造商构成了利好。鉴于强化的定价环境和长期需求可见度，高盛在报告中重申了对这两家韩国科技巨头的“买入”评级，认为它们将是本轮上行周期的主要受益者。 集邦科技最新预测显示，2025年第四季度服务器DRAM的价格环比涨幅预计将达到28-33%，远高于此前15-20%的预期。强劲的需求主要源于AI服务器的建设热潮。高盛报告援引集邦科技的评论称，美国云巨头与内存供应商的谈判已进入到2027年的供应量，这为内存厂商提供了罕见的长期业务可见性。10月份的数据已经反映了这一趋势，DDR4 64GB服务器内存模组价格单月上涨28%至300美元，DDR5 64GB模组价格也上涨24%至338美元。 集邦科技因此将第四季度PC DRAM的价格增长预期从18-23%上调至25-30%。报告提到，尽管PC厂商希望增加库存，但供应分配仍存在不确定性，只有部分合作客户能够敲定第四季度的采购量。10月份，DDR5 8GB PC内存模组价格环比上涨25%，其价格已反超DDR4，并享有6%的溢价。面向智能手机的低功耗DRAM市场更为紧张。其第四季度价格环比涨幅预期被大幅上调至38-43%，远高于此前的18-25%区间。由于供应极度紧张，部分供应商甚至已暂时停止报价，凸显了卖方市场的强势地位。 两大巨头获投行看好，NAND市场同步上行;面对全线走强的市场态势，投资机构对内存龙头企业的看法愈发乐观。高盛的报告重申对三星电子和SK海力士的“买入”评级，并指出当前的常规DRAM价格预测已高于该行自身的模型。 与此同时，存储市场另一个关键部分——NAND闪存，也展现出积极态势。集邦科技预计NAND的价格上行周期将持续贯穿整个2026年。报告称，稳固的服务器需求和紧张的供应将抵消消费电子端有限的需求增长，这一观点与高盛的看法一致。这预示着整个存储芯片行业正步入一个全面复苏和增长的通道，为投资者提供了明确的行业风向标。 11/6.韓媒 《BusinessKorea》報導，據業界消息，SK Hynix 與 AI 巨頭輝達談判中佔上風，成功將 第六代 HBM4 價格上調超過 50%，並預期營業利益明年可能突破70兆韓元。此報導刊出後，SK 海力士亦給出官方回應，此消息為不實消息，公司對客戶相關事宜不予置評。HBM4 將搭載於輝達預計於明年下半年推出的新一代 AI 晶片 Rubin。由於 HBM4 採用 2,048 組資料傳輸通道，較前代倍增，並在基底晶片中新增計算效率及能源管理等邏輯製程，製造成本顯著增加，SK 海力士自 HBM4 起更將基底晶片委由台積電代工。價格談判期間，輝達一度對大幅漲價有所保留，並以三星電子與美光 (MU-US) 即將加入供應為背景據以議價，但最終仍接受 SK 海力士所提出的價格。公司人士強調，HBM4 製程進步與投入成本提升，具備調漲理由。完成議價後，SK 海力士向機構投資人表示，明年高利潤率將延續，目前符合輝達規格的產品價格與供應量已確定，即使三星與美光投入 HBM4 市場，也不會對業績造成不利影響。市場推算，HBM4 毛利率約達六成；若維持今年水準，HBM 事業明年將創造約 25 兆韓元營業利益，整體 HBM 業務銷售額可望較今年成長四至五成。 SK海力士HBM4為何能漲價逾50%？ 輝達與SK海力士的HBM4議價中，誰佔了上風？ HBM4相較前代，製造成本增加的原因為何？ SK海力士預估明年整體營業利益上看70兆韓元，主要動能來自哪裡？ 除了SK海力士，還有哪些廠商投入HBM4市場？ AI飆股SK海力士今年暴漲240% 韓交所罕見發布投資警示 南韓晶片巨頭股價狂飆：SK海力士暴漲逾10%、三星電子創歷史新高 AI驅動記憶體晶片超級週期來臨！三星、SK海力士DRAM與HBM業績大幅增長 SK海力士創歷史獲利！全年晶片產能售罄、AI與記憶體需求激增; 11/6.HBM4霸權爭奪戰：美光開發受挫、SK 海力士領跑、三星急追;據南韓媒體報道，美光科技 的HBM4 產品，難以滿足輝達 嚴苛性能和能源效率要求，可能迫使該公司重新設計 HBM4 晶片架構。如果消息屬實，這將導致美光的量產計畫延遲長達 9 個月，HBM4 的上市時間推遲到 2026 年，並使其無法按時完成輝達的訂單。 11/5.AI帶來對記憶體的狂熱需求，SK 海力士股價今年來狂飆240%，引發韓交所 罕見發布「投資警示」(investment caution)3 日晚間發布投資警示，該警示為期一天，理由是股價異常大幅上漲，反映市場對漲勢過熱的擔憂。 SK海力士周二跌 5.3%，近三周最大跌幅。 11/4.受惠DDR4價量雙增，DRAM廠南亞科10月自結營收79.08億元月增18.66%年增262.37%，創50個月以來新高。南亞科前10月累計營收為達444.01億元，較去年同期增長49.3%，為近3年新高。南亞科上月法說會指出，第三季DRAM的平均價格季增4成多，第四季價格還會再漲，公司營運展望正面，比第三季把握度更高，毛利率與獲利將會持續改善，全年是否能轉虧轉盈，還要「繼續努力」，預期明年也會是一個很不錯的一年，近期客戶端對於長單需求熱絡，尤其DDR4供需缺口「有點大」，南亞科DDR4佔比重超過一半。 11/3.記憶體價格噴漲1.7倍 傳大廠暫停 DDR5 合約報價;在AI浪潮推動下，部分記憶體現貨價格在短短1個月內翻倍，集邦科技最新數據，2025年第3季DRAM合約價較去年同期暴漲171.8%。目前已呈現結構性供需失衡，進入賣方市場。傳三星電子率先帶頭，10月DDR5 DRAM暫停合約報價，其他原廠跟進，供應鏈憂爆發「斷糧」危機 ***10/31.全球記憶體產業正經歷一場由 AI 浪潮所驅動的爆炸性成長。美股儲存類股如美光科技 、希捷科技STX、威騰電子WDC等短時間內漲幅驚人，反映市場高度期待。記憶體模組產品價格持續飆漲，部分現貨價格在一個月內甚至翻倍，引發全球關注。 記憶體價格飆漲比黃金還猛 業界大老：大多頭正要開始。(圖:shutterstock) 據集邦科技最新數據，2025年第三季DRAM 合約價較去年同期漲171.8%。此波記憶體價格漲勢猛烈，甚超越國際現貨黃金同期漲幅，顯示當前市場供需失衡嚴重性。DDR（雙倍資料速率）是記憶體條的核心標準，高階品類高頻寬記憶體（HBM）成為此輪漲價的核心驅動力。 AI 產能結構性轉移HBM成稀缺資;此輪漲價的核心邏輯在於AI運算對高階記憶體晶片強勁需求，導致整體產能發生結構性轉移。自2022年 ChatGPT 問世引爆AI熱潮後，全球晶片製造商便加速將更多產能轉向HBM的生產，以滿足伺服器與 AI 資料中心的需求。 國際研究機構 Yole Group 預計，2025 年主要用於 GPU 生產的 HBM 產品營收將接近翻倍，至約340億美元。預測至2030年，HBM市場將維持33%年複合成長率，屆時其營收將超過 DRAM 市場總營收的五成以上。 製造商策略轉向 DDR4 供應面臨停產 為追求更高的獲利空間，控制全球 DRAM 市場約七成市佔的韓國三星與SK海力士等大廠，正加速朝高階晶片轉型。這些主要製造商已陸續調整策略，計畫在2025年底至2026年初逐步減甚完全停止DDR4顆粒生產，將產能全面轉往利潤更高、技術更先進的DDR5及HBM產品。 此舉直接壓縮DDR4市場供應空間，導致產量減少，市場供不應求。加上先前經銷商為因應漲價趨勢大量囤貨鎖價，進一步加劇了民用市場現貨流通量的短缺。 晶片價格飆升為記憶體製造商帶來豐厚獲利。韓國KB證券預估，三星在7至9月期間，其標準 DRAM業務營業利益率已達40%，HBM業務更高達 60%。 然而，價格壓力也隨之轉嫁至下游產業。英國個人電腦製造商 Raspberry Pi 已宣布調漲價格，指出記憶體成本較一年前漲約120%。手機大廠如小米集團，也公開將不同版本手機間的價差過大，歸因於儲存成本持續且遠超預期上漲。 全面缺貨漲價30多年頭一遭 對於未來展望，全球第二大記憶體模組廠威剛董事長陳立白表示，DRAM、NAND 快閃記憶體、固態硬碟（SSD）和機械硬碟四大儲存類別全面缺貨漲價的局面，是他三十餘年產業生涯中前所未見的。他預言，2025 年第四季才是此輪記憶體大多頭的真正起點與嚴重缺貨的開始，並看好 2026 年產業榮景可期。此番預期為產業鏈帶來樂觀前景，也暗示消費者和下游廠商需提前因應記憶體供應持續吃緊的壓力。 10/30.产能增长要到2027年中后期！野村：这一轮存储周期将是“三重超级周期”;预测自2023年开始的内存超级周期将持续到2027年，并创造史无前例的收入规模 ：这一周期的主要驱动力是AI服务器和传统服务器（用于传统云和AI推理）带来的强劲需求 。与此同时，由于设备交付周期长（6-9个月），即使行业加快现有洁净室的产能爬坡速度，其对2026年供给增长的影响也有限。野村预计，行业范围内有意义的产能和产量增长加速要到2027年中后期才会出现，从而导致供不应求的局面将持续数年。 10/30.AI利好比预期更大！需求爆棚，毛利率超高，“硬盘巨头”希捷科技股价飙升19.1%创新高;AI带动的数据存储需求爆发，推动希捷科技交出超预期财报：季度营收达26.3亿美元、同比增21%，毛利率提前实现40%目标。公司预计下季度营收再创新高，AI驱动的大容量硬盘订单已排至2026年。公司股价飙升近20%，创历史新高，分析师纷纷上调目标价，看好其在AI存储浪潮中的领先地位。AI引发的数据存储需求正以超预期的力度，重塑硬盘驱动器市场格局。受此驱动，硬盘制造商希捷科技凭借远超预期的季度业绩和强劲的未来指引，推动股价周三飙升至史新高。 财报显示，截至9月的财年第一季度，希捷科技调整后每股收益为2.61美元，年增长65%，显著高于FactSet分析师预期的2.40美元。同期销售额增长21%至26.3亿美元，同样超出市场普遍预期25.5亿美元，显示出AI及数据中心市场的需求极为旺盛。摩根士丹利在29日发布研报中表示，这一优异表现得益于更有利的定价、及向高容量硬盘的产品组合转变。数据显示，该季度出货的近线硬盘中，超过80%的容量为24TB或更高。展望未来，希捷预计当前季度的销售额将达27亿美元（区间中值），再次高于分析师预测的26.7亿美元。公司首席执行官Dave Mosley向分析师透露，AI正在深刻改变硬盘需求，其面向云市场的大容量硬盘生产合同订单已基本排至2026年，且到2027年的需求能见度“清晰”。强劲的业绩与乐观的前景迅速点燃了市场热情。希捷股价周三收盘大涨19.1%，报265.62美元，创下历史新高。今年以来，这家数据存储巨头的股价累计涨幅已超过200%。其竞争对手西部数据的股价亦受此提振，在周三上涨了15%。 10/30.SK海力士的“售罄”意味着什么？大摩：向2017-2018“存储超级周期”靠拢，上调DRAM价格预期;SK海力士HBM高带宽内存“售罄”被视为AI驱动下存储市场进入新“超级周期”的信号。摩根士丹利上调其DRAM价格预期至同比+30%，并预计供应紧张将持续至2026年。分析师认为，这一趋势正重演2017-2018年的存储繁荣周期，SK海力士将拥有HBM主导地位与定价权。人工智能浪潮正以超乎预期的速度重塑全球半导体供应链，存储芯片巨头SK海力士传出的最新信号，预示着市场可能正迈向一个由供应短缺和价格飙升定义的新周期。SK海力士三季度业绩创历史新高，运营利润飙升62%，背后是其HBM高带宽内存的全面“售罄”。公司已锁定2026年全部DRAM和NAND客户需求，HBM4将于2025年底出货。 1029AI需求爆發！SK海力士2026年全系列記憶體晶片售罄;SK 海力士公司第三季獲利大增 62%，並表示客戶已經鎖定了他們明年系列記憶體晶片的供貨，顯示全球 AI 基礎設施的建設正在加劇整個產業的需求。由於 HBM 領域的強勁表現，SK 海力士第三季獲利首度突破 10 兆韓元，達到創新高的 11.4 兆韓元（約 80 億美元），略高於分析師平均預期；同期銷售額攀升至 24.45 兆韓元。SK 海力士在聲明中指出，該公司計劃明年擴大產能，且 2026 年 DRAM 與 NAND 全系列產品的訂單已被預訂一空。SK 海力士股價29 日) 上午在首爾交易大漲逾 5%。 現代汽車證券公司分析師 Greg Roh 表示：「除了超大規模企業和追求自主 AI 的國家的需求外，對 HBM 的無限需求可能會持續到明年，OpenAI 的星際之門等大型專案，也將進一步加速 HBM 的需求，這種旺盛需求很可能持續至明年。」這項結果，挑戰了部分投資人的謹慎觀點。這些投資人認為，由於殺手級 AI 應用尚未普及，加上 AI 基礎設施的融資與供應交易存在循環性，目前的市場估值已高得不合理。並警告，OpenAI 和輝達正推動一個日益錯綜複雜的交易網絡，該網絡正人為地支撐著這場價值數兆美元的人工智慧狂熱。 SK 海力士的快速成長，凸顯了 OpenAI 和 Meta 等大型科技公司，正如何大量吞噬（hoovering up）訓練與營運 AI 服務所需的晶片、伺服器及其他設備。SK 海力士作為這波建設狂潮的主要受益者，其股價在 2025 年已翻漲近 3 倍。從長遠來看，許多投資人和科技公司深信 AI 的出現將引發記憶體市場的「超級週期」。此一趨勢尤其適用於製造 AI 加速器以及驅動 ChatGPT 等服務所必需的 HBM。 10/29.旺宏連虧9季董座道歉...外資「砸19億力挺」再抱5萬張 力積電、華邦電持續吸金 10/28.DDR5記憶體早已上市普及，為何DDR4依然漲價不止，究竟是誰在買DDR4記憶體？ 根據摩根士丹利最新報告指出，由於資料中心對網路設備的需求持續強勁，舊款記憶體（如DDR4）的壽命得以延長，加上市場可能低估了DDR4於資料中心交換器中的重要性，此預期將進一步推高平均銷售價格（ASP）。 基於此強勁趨勢，摩根士丹利上調了多家主要記憶體供應商的目標價。 10/28.存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场 10/27.SK 海力士發表 AI 時代新一代 NAND 產品；台股記憶體族群漲翻天 南亞科、華邦電、旺宏飆漲停 南韓記憶體大廠SK海力士（SK hynix）今於美國加州聖荷西「2025 OCP 全球峰會」上正式發表下一代 NAND 快閃記憶體產品策略，並揭示全新「AIN（AI-NAND）Family」產品線。該系列主打為AI運算環境量身打造的高效能儲存解決方案，將從效能（Performance）、頻寬（Bandwidth）與容量（Density）三方面全面優化，搶攻AI時代高速運算與資料儲存需求。 AI 伺服器對 HBM需求增，國際大廠供應商進行產品結構調整，將DDR4、低功耗 DDR4 轉向生產 HBM、DDR5/ 低功耗 DDR5，使 DDR4 與低功耗 DDR4 供給量減，記憶體供不應求消息續發酵，帶動當天台股記憶體類股價如南亞科、華邦電、旺宏、力積電、威剛群聯紛跳空漲停。 SK 海力士三大產品線鎖定高效能、高容量與高頻寬應用;副社長金千成在峰會高階主管論壇表示，AIN Family 旨回應 AI推理市場爆發性成長，協助客戶快速、高效處理龐大數據流。 產品之一 AIN P（Performance）針對大型 AI 推論環境設計，透過重新設計NAND與控制器架構，降低運算與儲存間的瓶頸，大幅提升處理速度與能源效率。公司預計於 2026 年底推出樣品，鎖定高階 AI 伺服器、雲端運算市場。 另一產品 AIN D（Density）則著重於以低功耗、低成本實現海量資料儲存，適用於 AI 訓練與資料備份環境。該產品可將現有基於 QLC（四層單元）架構的 SSD 容量，從 TB（太位元組）級擴展至 PB（拍位元組）級，兼顧 SSD 速度與 HDD 成本效益，打造中階層級的儲存解決方案，預計將成為資料中心的重要補位產品。 第三款產品 AIN B（Bandwidth）採用名為「HBF（High Bandwidth Flash）」的技術，透過堆疊 NAND 晶片以擴增頻寬，類似於 HBM（高頻寬記憶體）的堆疊架構。此技術結合 NAND 的大容量與低成本特性，以及 HBM 的高速傳輸優勢，用以解決生成式 AI 與大型語言模型（LLM）訓練所面臨的記憶體容量瓶頸。SK海力士:正積極探索 AIN B與HBM 共同部署的應用架構，以強化 AI 伺服器的整體運算效能。 10/27.大摩調高台股多檔記憶體個股目標價 另外，台股記憶體族群持續強勢爆發。摩根士丹利10/26日公布報告指出，網路需求可能會延長 DDR4使用壽命，進而推高平均售價，故調高各供應商的目標價，首選股仍為華邦電，同時調升南亞科、華邦電、旺宏的目標價，並將力積電的評價改為「加碼」;華邦從 110 元調升至 130 元；華邦電預估 Q4 毛利率可望再度攀升，目標價也從先前的 50 元提高至 65 元，漲幅近 30％，並且維持「加碼」評等。 大摩還指出，旺宏受惠於日系遊戲機推升 ROM（唯讀記憶體）需求，加上主流 NAND 退出 MLC NAND，明年Q2可望開始生產MLC 128Gb 晶粒，因此將目標價從29元調升至40元；力積電則被認為受惠DDR4/DDR3景氣週期延長，可能有意外表現，故上調至「加碼」評級，目標價 35 元。10/27日這些被點名的個股皆氣勢如虹，強拉漲停，而且力積電以超過34.63萬張成交張數高居台股成交量之冠。 10/22.隨著 AI 應用爆發，高效能的儲存裝置需求湧現，金寶(2312)為全球SSD(固態硬碟)主力代工廠之一，受惠需求爆發，法人指出，金寶泰國廠SSD已取得大型客戶認證進入量產，將成為公司後續重要的成長動能。 近期 AI 應用爆發使得雲端伺服器、資料中心急需高容量、高效能的儲存裝置，SSD 的核心元件為 NAND 快閃記憶體，觀察近期NAND報價持續上揚，顯示SSD需求強勁。根據市場報告指出，由於 AI 訓練需求與雲端服務供應商資本支出顯著增加，再加上從HDD(傳統硬碟)逐步向 SSD 的替換趨勢，驅動了 SSD 市場需求。預估從 2025 年起到 2030 年 SSD 市場將以約 15-17% 的年複合成長率增長。 金寶的泰國第16廠SSD已取得大型客戶認證並順利量產，未來將加速放量。SSD應用廣泛，從筆電、桌機到伺服器，逐步取代傳統硬碟，將成為公司重要的成長動能。 10/21.華邦電9月自結7財報:營收79億元，月增12.94%，年增9.52%，一舉創3年3個月來新高，稅後淨利達11.69 億元，年增317.3%，Eps0.26 元，單月獲利已接近第二季整季虧損金額，單月顯現在記憶體產業供需反轉下，獲利也跟著明顯改善。預計在 DDR4 DDR3漲勢不斷下，後市營運看旺。 10/21.業務涵蓋「利基型記憶體代工」部分。報導指出，其代工記憶體（如 DRAM、SLC Flash）營收比重約為三至四成。一線大廠退出 8G DDR4 市場、SLC NAND Flash 供應減少，使得備貨需求提升、投片成長。在記憶體漲價環境下，公司可望藉由調整產能、優化產品組合來提升效益。因此，力積電 (6770-TW) 雖然在主流晶圓代工（如邏輯 IC）可能未處於領先，但在記憶體／利基型記憶體代工這塊，有機會從價格與需求回溫中受益。整體而言，記憶體（尤其部分利基型產品）正在進入價格上漲／景氣改善階段，對供應鏈廠商是個利多題材。 若記憶體價格與需求確實回升，作為代工廠，有可能享受「價格上漲 × 產能利用提升」的雙重利好。技術與應用轉型（如 GaN、3D 堆疊記憶體／模組）若進展順利，可提升公司未來競爭力及定位。法人買盤活躍、題材熱度高，短期股價或許有動能。 風險:雖有記憶體題材，但公司目前仍連虧多季，獲利轉正尚未實現。訂單能見度仍低（特別傳統邏輯 IC、驅動 IC、影像感測器市場需求疲弱）可能影響整體營運。記憶體漲價雖有初步跡象，但整體景氣是否回升、價格是否持續上漲仍有不確定性。公司產能利用率與成本結構改善需時間，技術轉型（如 3D 堆疊）需要投入與時間才能看到效益。 10/20.台股華邦電擴充產能、製程升級 斥20億元向科林研發購買機台,華邦電今公告，自今年 2月起至今日為止，向Lrcx(科林研發) 購買一批營業用機器設備，累計交易金額達新台幣 20.14 億元，以支應生產擴充與製程升級需求。 華邦電近期因應DDR4供不應求，加上 Flash 市況升溫，正積極推動製程升級與產能擴充，如高雄廠從20奈米升級至16 奈米，以及台中廠 Flash 產能增加，詳細支出金額將待月底董事會討論，初估明年資本支出達百億元以上，確切金額將在董事會後公布。 10/18.面對記憶體市場供不應求的現況，華邦電將啟動新一波擴產計畫。總經理陳沛銘今表示，目前公司月產能約1.5萬片、滿載可達2.7萬片，董事會將於本月底討論高雄廠新投資案，若順利通過，設備交期約9至12個月，最快明年第三至第四季可完成擴充。雖然還未通過預算，但以公司上一季董事會通過Flash的擴產計劃來看，5千片在台中廠生產約花費6、70億元，而以DRAM來說，在高雄廠每5千片約要30～40億元，等於若明年擴產1萬片產能，資本支出會到百億以上。不過確切金額將等待董事會後公告。 技術上，華邦電16奈米製程進展順利，相較20奈米可提升晶粒產出30%至35%，目前已送樣驗證8GB產品，預計明年第一季末至第二季啟動量產，首波產品為8Gb DRAM。以DRAM投片週期約120天以上計算，屬高難度製程。另，針對邊緣AI應用的CUBE產品，陳沛銘透露，開發進度優於預期，預計明年下半年取得訂單、後年起開始貢獻營收，開發時程領先同業約三年。 10/17記憶體品牌十銓科技旗下電競品牌 T-FORCE 今（17）日宣布，推出新一代儲存裝置 T-FORCE Z54E PCIe 5.0 固態硬碟，能提升資料讀取速度，並提供 1TB、2TB 與 4TB 三種容量選擇 10/17.記憶體廠晶豪科(3006)9月營收達13.08億元，月增16.7%、年增5.96%，為2024年3月以來高點。累計前三季營收97.68億元，年減5.44%；第三季營收35.77億元，季增8.8%、年增4.82%，為歷年同期第三高，顯示記憶體需求回溫帶動營運走揚。 近期DDR3也因受惠於電視、機上盒與網通設備等消費性電子主晶片多僅支援DDR3與DDR4，加上DDR4價格先前大漲，市場轉向採購DDR3替代，帶動需求與報價回升，趨勢助益晶豪科報價調升、營運回溫。 展望後市，晶豪科表示，整體市場氛圍正面，現貨價格持續走高、出貨量維持穩定，第四季營運可望持續轉佳，雖然DDR3屬成熟產品，逐漸被新規格取代，但在部分嵌入式應用領域仍具穩定市場需求。 不過在獲利表現上，晶豪科坦言仍受庫存成本壓力影響，第三季庫存成本約落在每顆32至33元，即便以30元售出仍有6%~7%的落差，加上晶圓與測試費用上升，壓力不小。不過隨著記憶體市場轉趨正向，DDR4價格短期不易下滑，利基型DRAM亦將逐步受惠，公司具備調漲空間，漲價效益可望自第四季起顯現。 **10/16.AI伺服器需求不減，被動元件市場迎來轉機。村田製作所預告AI伺服器相關應用將推動MLCC需求倍數成長。根據美國被動元件通路商Surge Components(SPRS-US) 10月15日公布2025年第三季財報，營收年增29%至1,030萬美元，主要受惠於電子產業庫存逐步回歸正常、下游客戶補貨需求回升。毛利為280萬美元，年增14%，但毛利率降至27.7%；歸屬普通股股東的淨利年增6%,EPS達0.08美元。顯示被動元件需求增溫。 九豪(6127)今天率先漲停，九豪為全球第2大電阻陶瓷基板供應商，僅次於日本丸和電子，全球市佔率約27%，主要客戶為台系晶片電阻大廠如國巨、大毅、旺詮、華新科、奇力新與台達電子公司乾坤等等，這些電阻廠即佔有標準型晶片電阻全球高達60%左右的市佔率，九豪則有高達50%以上營收來自國巨集團，營收中75%來自電阻用陶瓷基板。 10/16.DRAM漲勢看不到盡頭 宜鼎董座：每月都有驚喜;工控記憶體模組廠宜鼎2025年營運逐月成長，董事長簡川勝表示，AI需求爆發性成長，不僅帶來DDR4嚴重短缺，也讓這波缺貨潮「一去不回頭」，整體記憶體價格趨勢往上攀高，目前「沒有一家能看到（漲勢）盡頭」，這也是產業界首次出現的現象。 10/14.三星季度利润创2022年来最大，抓住全球AI繁荣机会;三星电子三季度运营利润12.10万亿韩元，这反映了存储芯片需求的激增和全球AI开发的加速，分析师预期9.7万亿韩元。三季度销售86万亿韩元，分析师预期83.58万亿韩元。三星正寻求在未来几年利用预期的人工智能热潮，该公司在最新的高带宽存储芯片方面取得了进展，并获得了AMD等公司的订单。 10/14.「窮人版」AI解方，記憶體大漲才開始 專訪群聯潘健成：會缺十年！「也太誇張了吧，」記憶體大老、旺宏電子總經理盧志遠感嘆。他告訴我，最新一代的標準型DRAM DDR5已經問世兩年，「照理說新一代出來，舊的就要跌價。」 沒想到性能較差的舊款DDR4，從6月開始一路飆到DDR5的兩倍價，是他生平所未遇的特異現象。 這是這波AI革命對供應鏈的最新衝擊。 舉世四大記憶體廠，SK海力士、三星、美光、長鑫存儲不久前相繼宣布停產DDR4，將產能資源移到DDR5，以及AI伺服器所用的高頻寬記憶體（HBM）。但因為不少還在量產的舊款手機、電腦用的仍是DDR4，夕陽產品突然奇貨可居。 台灣兩家二線DRAM廠，主力產品還是DDR4的南亞科、華邦電，頓時股價狂飆，過去一個月股價大漲63%、67%。南亞科9月營收甚年增158%。 10/14.十銓4967:9月合營收19.46億元，年增率為 64%，月增率107.79%。宇瞻8271記憶體產業中，特別專注於工業級記憶體廠商，這使其受惠於工控、車用、醫療、網通等高穩定度需求的市場，受景氣波動的影響相對較小。 10/13.威剛：CSP需求驅動 NAND Flash估缺貨到明年上半年 10/13.南亞科今法說會，第三季自結財報，由於 DRAM 價格與出貨量雙雙走揚，單季稅後淨利約 15.63 億元，EPS約 0.50 元，終止連11 季虧損，營運明顯改善。 10/12.台股本週（10/07~10/09）終場加權指數上漲540.86點、漲幅2 ％收27301.92點。自營本週合計買超107.89億元，觀察買超前十方面，受惠記憶體缺貨漲價潮，指標股南亞科、力積電（6770）、華邦電（都因此受惠，股價單週分別上漲18.67%、11.4%、11.98%，累計掃貨逾1.5萬張，金額上看近12億元。 10/9.OpenAI 星際之門記憶體晶圓需求每月達 90 萬片，AI 撼動傳統記憶體生態;全球人工智慧（AI）運算能力與效率需求急遽攀升的浪潮下，由 ChatGPT 開發商 OpenAI 所規劃的龐大「星際之門」（Stargate）計畫，已成為驅動全球記憶體產品市場結構性變革的核心催化劑。這項耗資巨大的計畫，對記憶體晶片的需求達到前所未有的水準，迫使供應鏈加速創新，並重新定義了從高頻寬記憶體（HBM）到標準動態隨機存取記憶體（DRAM），乃至固態硬碟（SSD）的分工與價值。 10/9.台股今日再創波段新高，電子族群成為領漲主力，其中記憶體族群因威剛、十銓宣布暫停報價，瞬間成為盤面焦點。這項罕見舉動被市場視為供應緊張與價格上調的前兆，帶動買盤迅速湧入。 10/5.OpenAI结盟三星、SKH鎖定每月90萬片DRAM和90萬片HBM晶圓供應;韓國科學技術信息通信部於10/1日宣布，韓政府已與OpenAI簽MOU，雙方將在AI領域全面合作，旨在將韓國打造為全球三大AI強國G3之一及亞太AI中心。 根據協議，韓企如三星和SK集團將參與OpenAI 全球AI數據中心建設及美國「星際之門」項目，該項目由OpenAI、軟銀和甲骨文共同投資高達 5000億美元。韓政府還將與OpenAI合作，促進韓國AI生態系統均衡發展，支持公共部門AI轉型，並推動AI人才培養及初創企業生態系統發展;隨後，三星集團與SK集團也公布與 OpenAI 合作協議,將共同參與OpenAI全球數據中心及「星際之門」項目，並為OpenAI提供每月90萬片DRAM晶圓和HBM晶圓的需求保障。 三星和 SK 海力士合計掌握全球 DRAM 市場的 70% 及 HBM 市場的近 80%，這一消息使得兩家公司股價在當地時間周四飆升，三星電子股價創2021年來最高，收盤漲3.5%，而SKh則飆升近10%，達2000 年來最高點。 10/8.記憶體漲聲響起！大摩看好華邦電、力積電強彈 美光升評「優於大盤」引爆資金潮 記憶體市場再度點火！大摩最新報告:主流記憶體價格全面走強，DDR4與DDR3漲勢正進入新一波高峰，預期第四季漲價幅度將更為明顯。大摩甚直言，這是重新檢視整個記憶體產業估值的「高峰時刻（peak valuations）」，並將國際記憶體巨頭美光（Micron）升評至「優於大盤」。 這股熱浪迅速蔓延至台股市場，南亞科（2408）昨（7）日僅差臨門一腳未攻上漲停，收91.2元，而愛普*（6531）、華邦電（2344）與力積電（6770）則齊鎖漲停板。大摩同時將這三檔推測合理股價調高至435元、50元與30元，等於再度替台系記憶體族群吹響多頭號角，今日各個股的收盤價也成為投資人的觀察關鍵。 大摩強調，記憶體上升循環才剛開始，現在進場「一點都不嫌晚」。報告指出，主流DRAM廠商已暫停對企業客戶報價，暗示價格仍有強勁上行空間；在NAND部分，SanDisk近期甚至與力積電洽談潛在產能合作，雖受限於其與鎧俠（Kioxia）的合資架構，合作機率不高，但這一舉動仍揭示市場供應吃緊的事實。 摩根士丹利預期，傳統DRAM的漲勢將更猛烈，DDR4未來三個季度恐維持10%～15%的供給短缺，而封測產能瓶頸更可能讓缺口擴大。部分規格DDR4合約價甚至可能在本季「翻倍上漲」。大摩指出，目前DDR4報價有效期已縮短至不到一個月，意味價格幾乎每幾週就有調漲壓力；DDR3同樣不遑多讓，預期第四季將有高雙位數的漲幅，NOR部分也將調漲5%～10%。 整體來看，摩根士丹利認為，美光升評只是記憶體復甦浪潮的開端，而台系記憶體族群正迎來「報價翻倍、獲利翻身」的關鍵時刻。 10/2.2日外資連3買今續買超234億元，三大法人買超317.9億元,指數漲395點，收26378點新高，華邦電最大贏家，外資敲3.49萬張霸榜，投信自營商全買，三大法人掃5.19萬張，股價大漲6.5%，收36元，成交量爆46.6萬張大量。 10/2.受惠記憶體價格漲，美光1日股價大漲8.86%，台股記憶體族群今續成為盤面主流，華邦電價量俱揚，帶動轉投資集團封測廠華東8110強勢漲停19.35元 10/2.“存储双雄”三星、SK海力士股价大涨，此前与OpenAI就“星际之门”达成初步供应协议 (報導，南韓晶片製造商三星電子與 SK 海力士周三 (1 日) 宣布，雙方已簽署意向書，將為 OpenAI 的資料中心供應記憶體晶片。此舉象徵著南韓半導體雙雄正式加入這項備受矚目的 AI 基礎設施項目，以滿足其龐大的晶片需求。) 三星股价上涨4.5%，SK海力士股价涨9.7%，均为四月以来的最大盘中涨幅。据合作声明透露，随着星际之门项目在全球扩张，来自OpenAI的总需求可能达到每月90万片晶圆。 韩国两大内存芯片制造商三星电子和SK海力士与OpenAI达成初步供应协议后，股价应声大涨。 10月2日周四，三星股价上涨4.5%，SK海力士股价涨9.7%，创下为四月以来的最大盘中涨幅。 10/1.力積電8月自結稅後淨損4.73億元，每股虧損0.11元，但由於記憶體價格上漲，力積電也代工DRAM、快閃記憶體，月產能約5萬片12吋晶圓，營收比重約3-4成，市場看好記憶體價格上漲，有利力積電記憶體代工業務帶來營運轉機，利多題材帶動股價飆漲。 9/25.研調機構集邦科技（TrendForce）今指出，雲端服務供應商（CSP）廠商將儲存需求快速轉向QLC enterprise SSD，短期內急單大量湧入，造成市場明顯波動，同時，SanDisk率先宣布調漲10%，Micron也因價格與產能配置考量暫停報價，使得供應端氛圍由保守轉為積極，在此外溢效應帶動下，預估第4季NAND Flash各類產品合約價將全面上漲，平均漲幅達5-10%。 TrendForce表示，消費市場需求上半年提前拉貨，下半年旺季未能如預期發揮效應，市場原本普遍預估第四季價格將進入盤整，但沒想到HDD供給短缺與過長交期，使CSP廠商將儲存需求快速轉向QLC enterprise SSD，外溢效應帶動帶動價格上漲。 9/24.研調機構集邦科技最新調查指出，三大DRAM原廠續優先分配先進製程產能給高階伺服器（server）DRAM和高頻寬記憶體HBM，排擠PC、mobile和consumer應用的產能，同時受各終端產品需求分化影響，第4季舊製程DRAM價格漲幅仍可觀，新世代產品漲勢相對溫和；預估整體一般型DRAM價將季增8-13%，若加計HBM，漲幅將擴大至13-18%。TrendForce表示，第4季PC促銷、鋪貨動能預計趨緩的情況下，PC代工廠（OEM）的整機出貨量將隨之減少，預料主要OEM的DRAM位元採購量將呈季減。此外，因三大原廠積極轉移產能至server DDR5，PC DDR5、PC DDR4供應規模皆受限，因此，第4季整體PC DRAM價格將持續小幅上漲。 9/22.韓國經濟日報報導，人工智慧（AI）榮景引領記憶體的超級週期，摩根士丹利（大摩）預期該產業今年迎來「暖冬」，並將對半導體產業的評級從「中性」上調至「具吸引力」。業界消息人士指出，三星電子近期已通知主要客戶，第4季DRAM的價格將上漲15%至30%，NAND快閃記憶體價格也將調漲5%至10%。 9/22.“火上浇油”！继大摩等看好传统存储前景后，内存巨头集体宣布涨价！报道称三星大幅上调内存和闪存价:DRAM涨幅高达30%，NAND闪存价涨5-10%，原因是供应紧张和云端企业需求激增。美光和闪迪等此前也宣布类似涨价措施，其中美光涨幅达20-30%并暂停接受新订单，闪迪宣布NAND闪存产品涨价10%。这表明整个内存行业正面临供需失衡压力。。据韩国媒体Newdaily报道，三星将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%，eMMC和UFC等NAND闪存产品价格上涨5-10%。供应紧张主要源于老产品减产和大型云服务商需求增长。此轮涨价反映出内存行业正经历结构性转变。厂商将重心转向AI PC和下一代智能手机等新兴市场，导致传统产品供应收缩。摩根士丹利预计，随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。供应紧张的根本原因在于产业重心转移。随着AI PC和新一代智能手机采用LPDDR5/X标准，厂商减少了老产品生产，但新标准产能尚未跟上需求增长。DDR4内存价格已暴涨50%，使DDR5成为更具成本效益的PC解决方案。 内存价格上涨将直接影响消费电子和企业采购成本。三星作为全球最大内存厂商之一，其定价策略通常引领行业走向，市场担忧供应紧张可能持续至2025年。 HBM需求挤压传统产品供应:高带宽内存（HBM）需求激增成为推高价格的关键因素。各大DRAM厂商纷纷转向AI赛道，优先为英伟达、AMD等AI加速器供应最新产品。这种优先级调整导致消费级DRAM供应更加紧张。三星目前占据32.7%的DRAM市场份额和32.9%的NAND市场份额。公司正努力获得英伟达支持以推广其HBM产品，同时加速LPDDR6 DRAM开发，首批设计预计今年晚些时候推出。此前摩根士丹利在研报中表示，HBM"溢价神话"面临挑战，2026年将出现激烈竞争和定价压力。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块，大摩特别看好传统DRAM的投资价值。DRAM 和 NAND 的供需结构趋紧，似乎增强了涨价的必要性。花旗集团预测，明年 DRAM 和 NAND 闪存的供应将分别短缺 1.8% 和 4%。摩根士丹利也预测，明年 NAND 的供应将短缺高达 8%。 9/21.繼美光上周暫停報價並預告全面調漲後，三星本周也傳出通知客戶，第四季 DRAM 產品包括 LPDDR4X、LPDDR5/5X 合約價將調漲 15-30%，NAND (eMMC/UFS) 價格也將調漲 5-10%；業界看好，隨著美光、三星陸續調漲，下游客戶在預期心理驅動下，恐追高補貨，將進一步推升記憶體漲價盛況。 9/18.記憶體漲價潮帶動營收動能，南亞科、華邦電市場持續看俏營運;記憶體市場迎來漲價潮，記憶體概念股挾著漲價優勢人氣噴發！週四(9/18)華邦電(2344)、力積電(6770)、旺宏(2337)攻上漲停，並以超過40萬及30萬張成交量，奪下冠亞軍，南亞科(2408)、旺宏(2337)也飆出大量。根據投顧最新報告，同步給予華邦電、南亞科「買進」評級，南亞科直接喊上80元，給出「強力買進」評級，讓資深股民直呼「怎麼一家比一家高」。不畏台股昨（17）日重摔近200點，因美光傳漲DRAM價格20%~30%，並暫停1周報價，激勵DRAM雙雄逆勢強彈，單日漲幅都逾5%，除華邦電來到29.4元進逼30元整數大關，南亞科更一舉突破70元收73.3元，續創新高。雖然DARM雙雄股價連日急噴，但法人卻還沒下車跡象，仍持續上調目標價，根據群益投顧最新報告，同步給予雙雄「買進」評級，除華邦電給予32.21元目標價，南亞科更喊上79.8元，除群益投顧的目標價距8字頭僅只差一小步，華南投顧更直接喊上80元，給出「強力買進」評級，讓資深股民直呼「怎麼一家比一家高」 9/16.近期記憶體市場傳來振奮消息，DDR4 合約價格的漲勢遠超乎市場原先預期，並且在伺服器需求上修的帶動下，此一漲勢有望延續至 2026 年第二季。這一趨勢為國內記憶體大廠南亞科帶來顯著的獲利成長動能，其營收與每股盈餘（EPS）預估值均獲得大幅上修，因此凱基證券維持「買入」投資頻等，目標價上調至新台幣 77 元。 9/14.記憶體市場近期因供需急遽變化，NAND 與 DRAM 市場同步轉旺。美光近期傳調漲 DRAM 價格20%~30%，並自 9/12日起暫停一周報價，顯示需求遠超預期。業界也已證實，並看好美光開出漲價第一槍後，市場將掀起新一波搶貨潮，漲勢將從 DDR4 擴大延燒至 DDR5。 9/12.台股今漲258.9點1.03%收25,474點。美光即將9月23日公布財報，受惠於AI應用快速成長，花旗分析師預期記憶體需求將急速增加，甚2026年可能出現供不應求，激勵美光股價大漲逾7%。台股記憶體族群全面走強，力積電盤中一度衝18.9元漲停，華邦電和南亞科成交熱絡，三檔成交張數都破18萬張，躍居市場焦點。 隨著電子業傳統旺季到來，法人看好記憶體價格第四季仍可望季增20%至50%，其中DDR4因減產與停產，供不應求情況已逐漸確立，南亞科與華邦電被點名為主要受惠者。今華邦電以將逾27萬張居成交量之冠收25.45元漲約1.8%；力積電成交約20萬張居次收17.95元漲4.36%；南亞科則成交約18.6萬張排第三收57.40元，漲1.6%。 8/21.韓媒傳出，三星電第六代高頻寬記憶體「HBM4」樣本已獲得輝達驗證通過，預計8月底便可進入最終的預生產階段，若測試順利，則最快今年底能開始量產。 8/19.HBM，挑战加倍;HBM因其3D堆叠技术成为AI时代的关键组件，SK海力士凭借HBM3E技术独占鳌头，市场份额和销售额超越三星。面对SK海力士的强势崛起，三星重启了Z-NAND技术，而其他厂商也在探索X-HBM、堆叠式DRAM等替代方案，并发展存算一体等新架构，以降低对HBM的依赖。 高带宽内存（HBM）作为下一代动态随机存取存储器（DRAM）技术，其核心创新在于独特的 3D 堆叠结构 —— 通过先进封装技术将多个 DRAM 芯片（通常为 4 层、8 层甚至 12 层）垂直堆叠。这种结构使 HBM 的带宽（数据传输速率）远高于 GDDR 等传统内存解决方案。 8/14.大摩警告内存市场转变：看空HBM“溢价神话”，看多传统存储“周期归来”;大摩称，HBM"溢价神话"面临挑战，2026年将出现激烈竞争和定价压力，SK海力士在英伟达市场份额预计从85-90%降至50%以上。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块，大摩特别看好传统DRAM的投资价值。 8/11.集邦科技（TrendForce）最新調查，2025年下半年DDR4市場處於持續供不應求與價格強勢上漲態勢，由於供應商先滿足伺服器需求的DDR4，排擠其他應用的供給，因而造成消費端的DDR4價格大幅上漲，根據rendForce調查，7月消費性DDR4合約價飄漲逾60%~85%，因此TrendForce大幅上修第3季消費性DDR4合約價季增85%~90%。 8/11.盘前涨近5%！DRAM价格改善推动盈利提升，美光科技大幅上调2025财年第四季度业绩指引，营收预期上调至111—113亿美元，毛利率指引提升至44％至45％，此前预计41％至43％。此外，美光科技还预计，第四季度调整后每股收益2.78美元至2.92美元。美光上调了第四财季收入、利润、毛利率和运营费用预期，理由是DRAM“定价有所改善”公司特别提及DRAM定价条件的改善，这一变化通常反映出存储器市场供需平衡的改善。DRAM定价改善为整个存储芯片行业创造了更有利的定价环境，可能预示着历来具有周期性特征的存储芯片定价正进入积极周期。 8/7.美國總統川普擬對半導體課徵100%關稅，南韓SBS電視台報導，南韓對美首席貿易談判代表、產業通商資源部通商交涉本部長呂翰九（Yeo Han-koo）呂翰九表示，三星電子（Samsung）和SK海力士（SK hynix）的晶片不適用美國的100%半導體關稅。 7/31.三星電子第二季財報不如預期，其中晶片部門單季獲利4000億韓元（約台幣94.68億），年減94％。為了挽救低迷的業務，傳出三星暗示下調 HBM3E（第 5 代高頻寬記憶體）的價格，外界研判此舉可能希望吸引輝達的興趣，因為目前為止，三星HBM尚未獲得輝達認證。 《Wccftech》報導，就三星及其HBM業務而言，迄今為止，這家韓國巨頭的處境面臨挑戰，因為該公司仍未獲得輝達的訂單。為此，三星似乎採取更積極的策略，並在最近的第二季財報電話會議上披露HBM價格受影響，聲稱HBM供應已超過需求，降價可能是三星吸引客戶興趣的一種方式。 7/24.创历史新高并超预期。SK海力士刚交二季度成绩单，其营收和营业利润不仅双创史新高，更是轻松碾压分析师的一致预期。 Q2财報：营收222.3万亿韩元（161.7亿美元），年增长35%创史新高，更是轻松超越分析师预期205.6万亿韩元；营业利润92.1万亿韩元，年暴涨69%，创史新高并超预期。 核心业务：凭借高带宽内存HBM技术领导地位，首次在全球DRAM市场份额上超越三星，并在整体存储器市场与三星并驾齐驱。 客户关系：英伟达等AI芯片巨头的核心供应商，受益于AI服务器强劲需求，定价能力显著增强。 市场前景：公司预计2025年剩余时间需求大幅修正可能性较低，但面临三星和美光加速追赶的竞争压力。 SK海力士凭借其技术前瞻性，牢据HBM市场的领导地位，成为了英伟达等AI巨头不可或缺的供应商。亮眼的二季度财报表明在当前这场由AI驱动的芯片军备竞赛中，手握核心武器的供应商，正在享受前所未有的超额利润。今年以来SK海力士韩国股价已经累计上涨57%。 7/16.DDR4价格倒挂调查：HBM芯片如何引爆“过时”内存涨价潮？分析师认为，当前三星、SK海力士正处在制程转换期，并且“产能优先保障生产Server DRAM及HBM，导致PC DRAM及mobile DRAM的位元产出受限”。供给端因HBM而收缩，需求端又未同步下降，这种“供需错配”是DDR4此轮涨价行情的直接原因。一款按照技术迭代规律本应逐步淡出主流市场的半导体产品——DDR4内存（第四代双倍数据速率内存），近期却在存储芯片现货市场呈现出反常的价格走势。 7/8.南韓三星電子（Samsung Electronics）週二（8日）公佈初步報告，預計第2季營業利潤將年減56％，遠超出分析師的預期，背後最大的原因是AI（人工智慧）晶片在美國和中國的銷售放緩。《路透》報導，三星預計4月到6月期間營業利潤為4.6兆韓元（約新台幣1070.8億元），遠不及LSEG SmartEstimate預測的6.2兆韓元（約新台幣1443.3億元）。這一數字將是三星近6季以來最低，低於去年同期的10.4兆韓元（約新台幣2421.1億元）和上季的6.7兆韓元（約新台幣1559.7億元）。 7/7.分析预计，三星电子在今年4月至6月期间实现运营利润6.3万亿韩元（约合46.2亿美元），这将是该公司六个季度以来的最低收益，主要原因是向英伟达供应先进内存芯片的延迟。 7/6.據韓國金融投資協會6日數據顯示，三星電子受到半導體部門拖累，普通股在上月占韓國主要指數Kospi的比重為14.53%，寫2016年3月最低。三星普通股加上優先股權重為16.17%，創2016年2月以來新低。 《韓國先驅報》報導，南韓主要指數Kospi重回3000點大關，三星電子卻因晶片部門拖累，在Kospi的市值權重跌至逾9年新低。 7/3.動態隨機存取記憶體DRAM市況好轉，南亞科6月營收突破新台幣40億元關卡，達40.74億元，創35個月來新高，月增22.23%，年增21.14%。第2季營收逐月攀高，季營收突破100億元大關，達105.26億元，季增46.44%；累計前6月營收177.14億元，年減8.8%。據市調機構集邦科技調查，5月DDR4顆粒合約價上漲2位數，6月在工控類模組廠積極尋購貨源激勵下，6月DDR4顆粒合約價再漲2位數。集邦並預期，第3季DDR4供給將持續緊張，合約價有機會進一步上漲。 6/24.晶片巨頭SK海力士:24日下午2點，股價報27.8萬韓元日漲7%,市值首超過200兆韓元(台幣4.3兆元)達到202.4兆韓元, 次於三星電（市值355.8兆韓元，約台幣7.7兆元）後韓國第二大上市公司。 SK海力士與輝達和台積電等主要合作夥伴的密切聯繫，得益在高階高頻寬記憶體（HBM）市場領先地位，股價一直呈穩定上升趨勢。該公司計劃於今年下半年開始量產其第六代HBM4晶片。美國總統川普宣布以色列和伊朗同意停火結束衝突後，股市上漲，投資人紛湧入半導體股，推動韓股飆漲。KOSPI盤中交易中突破3100點大關，為近4年來首次。 7/2.比台積晚1年 三星1.4奈米製程延至2029年量產 6/20.記憶體模組大廠威剛（3260）指出，受惠DDR4需求爆增，公司訂單應接不暇，因客戶下大單排隊等出貨的意願大增，目前公司海內外廠產能擠爆，預估第三季DDR4合約價喊達30~40%的漲價幅度，威剛在庫存充沛且採購貨源無虞的支持下，營運表現將呈跳躍式發展，挑戰歷史高檔可期。 5/15.DRAM芯片，“甜蜜点”已至;短短一周，DRAM市场已有两则涨价消息传出，分别为SK海力士与三星电子。除了价格变化，DRAM市场的竞争格局开始分层。三星、SK海力士和美光等主要DRAM制造商逐步计划在2025年下半年终止DDR3和DDR4内存的生产。4月，存储芯片似乎迎来行业的转折点。 5/13.記憶體價格谷底翻揚市場需求回，威剛Q1:二大獲利指標躍升;威剛Q1財報:營收99.08億元毛利率13.77%，營業利益4.2億元季增93%，稅前淨利季增105.6%至7.4億元，稅後淨利5.5億元季增48%，歸母業主利益5.3億元，季增逾7成，加權平均股數,每股盈餘1.72元。 威剛:第一季DRAM模組占整體營收比達56.5%，SSD:30.55%，記憶卡、隨身碟與其他產品占比12.98%。 威剛表示，記憶體供需轉趨健康，DRAM與NAND Flash現貨價自2月開始止跌反彈，公司備妥生產量能與充足的庫存，全力滿足客戶需求回溫。展望本季，威剛預期，隨著兩大記憶體價格續看漲，客戶備貨動能將延續一整季，工廠也從3月起已連續數個月加班生產，產能滿載的情況有機會一路延續至7月。 5/13.三星電子傳出與客戶達成DRAM漲價的共識，DDR4漲幅將達兩位數，DDR5漲個位數，SK海力士也將調漲DRAM價格,華邦電 南亞科 股價暴漲 5/5.記憶體价跌势结束，在2025年Q1和接下来Q2，价格开始企稳反弹。海力士DRAM消费级颗粒（Memory Chip/Die）价格已涨约12%。另外，SanDisk:3月6日向渠道发布闪存Flash Memory价上调通知：“我们将从4月1日开始实施价格上涨。这些涨幅将超过10%，并适用于所有面向渠道和消费者客户的产品”；5/3日:市场调查公司DRAMeXchange市调:用于PC通用DRAM DDR4 8Gb 产品固定交易价较3月涨22.22% 5/1.三星電近公布第1季財報後，放棄對本季提出業績展望，並警告美國的.關稅政策可能衝擊智慧手機在內主力產品的需求，半導體業務今年也面臨更大不確定性。《財聯社》報導，三星表示，受關稅壓力影響，預計半導體業務將全年面臨較大不確定性，而智慧型手機出貨量將在第2季面臨風險 第1季財報:營收79兆韓元（約新台幣1.7兆元），年增10％；淨利為8.22兆韓元（約新台幣1847億元），年同成長21.7％；營業利益6.7兆韓元（約新台幣1506億元），年增1.2％。 晶片部門銷售額降17％至25兆韓元，營業淨利為1.1兆韓元年滑42％；營收降至25.1兆韓元。 報導指出，儘管三星獲利能力略有提升，但這並不是值得投資者歡呼，因為利潤成長的原因是消費者擔心美國關稅，紛提前搶購智慧型手機和晶片，這也意味三星今年剩餘幾個月產品需求可能受抑制。 對此三星也坦承，全球貿易緊張局勢「使得預測未來業績變得困難」，如果不確定性消失，預計下半年業績將會改善。三星還提醒，因部分客戶提前拉貨，可能導致今年下半年需求下滑。而近期全世界貿易情勢緊張，加上經濟成長趨緩，造成總體經濟不確定性增加，故難以預測未來的業務表現，所以三星決定不發財測。 3月美國總統川普宣布將對中國商品徵收高額關稅，同時美國對華出售人工智慧（AI）晶片的限制也愈發嚴格，三星表示，這可能會抑制中國市場對三星生產的一些電子元件的需求，例如晶片和智慧型手機顯示器。中國是三星電子最大的市場。 此外，川普先前還宣布將向包括南韓、越南等多個國家徵收所謂的「對等關稅」，這些國家都是三星智慧型手機和顯示器的重要生產地，儘管這些互惠關稅已被暫時推遲，但仍可能動搖三星供應鏈的穩定性。 4/30.手机和芯片销售强劲，三星一季度营收79.1万亿韩元，增长10%创历史新高，大超预期; 芯片业务同比增长，公司表示将加速HBM芯片的迭代和量产。手机业务销售额同比增长10%，该公司将这一增长归功于其最新推出的Galaxy S25智能手机系列，该系列在前几款机型的基础上增强了AI功能。 受益于AI需求带动芯片业务反弹，三星一季度业绩超预期，营收创历史新高，同比增长10%，营业利润也超出市场预期。 2025年一季度财报:营收79万亿韩元年增10%季增4%;运营利润6.7万亿韩元，同比仅微增0.1万亿韩元，环比增长0.2万亿韩元，超过分析师普遍预期的6.4万亿韩元。 核心业务表现：DX (Device eXperience)营收51.7万亿韩元年增9%季增28%。DS (Device Solutions): 营收25.1万亿韩元，年降9%，季降17%，存储芯片业务面临挑战。 4/24.“AI内存芯片王者”得益于全球AI领域竞争及客户在关税征收前抢进口，SK海力士Q1营业利润7.44万亿韩元（约合52亿美元）,超预期增158%, 预期6.6万亿韩元，营收增长42%，但关税风险下的风险仍在逼近。摩根士丹利分析师Shawn Kim表示，在更大影响因素下，财报季并不重要。关税对内存的真正影响就像一座冰山，大多数危险都隐藏在水面之下，且仍在逼近。，这是该公司第二好季度业绩，上一季度营收和营业利润均创史新高。作为英伟达重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。SK海力士表示，12层HBM3E芯片的销售额预计将在第二季度增长，占HBM3E总营收的一半以上。该芯片是目前市场上与Nvidia(GPU)使用的最先进的HBM芯片。SK海力士也警告称，宏观经济的不确定性将导致下半年需求波动。但该公司仍预测HBM的需求将在2025年翻一番，理由是该公司提前一年与客户达成了供应协议。 自今年年初来，SK海力士股价仅涨約4%。对关税引发全球经济衰退担忧，及DeepSeek低成本模型引发重新评估，削弱其股价在过去两年涨逾一倍势头。分析表示，如關稅戰导致全球经济衰退，所有包含芯片产品终端需求都面临暴跌风险, 隨担忧加剧，本月SK海力士看跌押注创史新高，4月，对SK海力士股票卖空金额已达1.5万亿韩元(约10亿美元)，有望创月度纪录。与此同时，海外机构投资者本月净卖超2.9万亿韩元SK海力士股票，同创纪录。 4/23.关税和AI担忧加剧，SK海力士看跌押注创历史新高,SK海力士4月卖空金额高达约10亿美元，创月度纪录。同时本月海外机构净卖出该公司股票超过2.9万亿韩元，同样创纪录。分析称，韩国政府3月31日解除卖空禁令，加上投资者对AI主题热情减退、美国发起贸易战等因素，导致空头情绪高涨。 4/21.南亞科嗨翻天！外資狂掃1.6萬張 爆量連拉2根漲停 4/15.应对关税冲击，韩国政府宣布将对半导体行业支持计划提高到33万亿韩元(约232.5亿美元)，较去年公布26万亿韩元支持计划增加约四分之一；将对芯片行业金融援助计划从之前17万亿韩元提高到20万亿韩元。 4/10.美國總統川普對等關稅引發全球動盪，科技業也飽受其害，根據四位知情人士稱，美國記憶體晶片製造商美光科技已告知美國客戶，公司計劃從週三（9日）開始對部分產品收取附加費，以應對川普的新關稅。美光公司的海外製造基地主要位於亞洲，包括中國、台灣、日本、馬來西亞和新加坡。 4/7.南韓科技大廠三星電子（Samsung Electronics）將於週二（8日）公佈財報，在人工智慧（AI）晶片銷售疲軟以及晶圓代工業務不振的情況下，今年第1季利潤預計將下滑21％。《路透》報導，三星聯席執行長韓宗熙（Han Jong-hee）在3月下旬因心臟病驟逝，這家全球最大的記憶體晶片製造商高層再次被迫改組，並將於週二公佈Q1初步收益 3/27.美光宣布將全面調漲記憶體 族群股價逆勢上揚 3/25.美光宣布用于英伟达新品的HBM3E及SOCAMM已量产出货】美光宣布其用于英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra的SOCAMM内存模组，以及针对英伟达HGX B300 NVL16及GB300 NVL72平台打造的HBM3E 12H 36GB已量产出货。 318.品安8088(記憶體模組)連5漲,累漲逾45％ 3/7.劉德音出任美光董事 台積電樂見他續展半導體長才;劉德音於去年年中退休後，動態持續引起關注，前陣子與母校美國加州大學柏克萊分校正式成立「科技競爭力與產業政策中心」，以智庫型態研究如何提升半導體先進技術研發與製造競爭力。近期則是擔任美光科技董事，這也是他退休後，首度出任國際半導體大廠董事職 3/7.記憶體模組廠創見2451，決議配發現金股利6.1元，創近9年新高，以昨收盤價87.9元計算，現金殖利率約6.94%，帶動今股價漲停達96.6元;2024年度財報，全年營收100.83億元，年減3.93%；毛利30.7％，年增1.7個百分點；稅後淨利23.14億元年增16.6%；eps5.39元 2/27.記憶體模組廠威剛3260，27日於東京正式與日本大型綜合商社伊藤忠商事（ITOCHU Corporation）及旗下子公司伊藤忠Retail Link，簽訂合作契約，雙方強強聯手，將可共同開拓日本記憶體市場商機。 2/27.因應全球稅務及集團資金規劃，國巨去年第四季一次性所得稅費用12.1億元，致單季eps約減2.36元，全年EPS為38.13元；對今年首季看法，國巨:營收約與去年第四季相當，不過毛利率可上揚1.5至3百分點。去年Q4財報:營收300億元、季減5.5%年增9.7%，稅後淨利36.46億元、季減35.5%年減23%，單季EPS為7.1元； 全年財報:營收1216.7億元、年增13%，稅後淨利193.6億元年增11%，EPS為38.13 元。國巨:全年毛利率34.4%年增0.9百分點，營業利益率19.2%年增0.2個百分點。 國巨認為，展望未來儘管地緣政治緊張局勢加劇，國際衝突持續存在，客戶端庫存仍持續朝健康水位發展，不過公司將密切關注市場供需動態，並對 AI 應用的營運動能與未來展望保持樂觀；同時，國巨線上法說時也認為，今年首季營收約與去年第四季相當，不過毛利率將會提升 2/26.IC通路商文曄3036 昨法說會釋出去年獲利創新高，今年第一季也淡季不淡，全年仍將續成長，帶動今股價衝高漲停達114元，去年第四季稅後淨利25.4億元，eps2.27元；受惠併購效益，全年營收約為9594億元，年成長61%，稅後淨利約91.1億元、年成長127%，營收與獲利同創新高，以加權平均EPS約新台幣8.13元。 ***2/22.力成(封測廠):記憶體量縮價跌、需求不振，力成去年9.09元，創近4年來新低，決議配發現金股利7元，連續3年皆配7元，昨收盤價133元計現金殖利率約5.26%;配發率達77% 2/14.受到AI效應持續發酵，被動元件電感大廠三集瑞-KY（6862）指出，針對AI伺服器、備用電力系統等，至少有5-7項新品開發項目，包含TLVR電感產品預計2月起小量出貨，看好2025年營運持續走高 2/11.英國金融時報導，中國領先的記憶體晶片生產商長鑫存儲，正以「滾雪球」成長，威脅南韓晶片業的主導地位。 據深圳顧問公司前瞻的數據，總部位於中國東部安徽省合肥市的長鑫存儲在全球900億美元DRAM記憶體市場的市占，從2020年的接近零上升至去年的5%，分析師預測該公司的成長可能會迅速「滾雪球」成長。長鑫存儲的崛起正威脅韓國晶片製造商三星、SK海力士，以及美國競爭對手美光在該領域的傳統主導地位，到2023年，這三家公司合計佔據Dram收入的96%。 2//7.記憶體模組廠十銓科技（4967）今公布1月營收16.4億元，月增40.65%、年增83.35%，創近5個月以來新高，主要受惠於品牌效益，工控產品及B2B專案客戶所帶來的穩定成長動能。 1/31.三星电芯片业务季度利润逊预期,存储芯片获进展:彭博:据悉英伟达批准三星的8层HBM3E人工智能存储芯片;预计2025年整体存储芯片市场需求将从第二季度开始复苏，第一季度芯片收益仍将疲弱，因soc上市延迟;2024年:资本支出53.6万亿韩元，半导体资本支出46.3万亿韩元。 三星电第四季度財報:销售额75.79万亿韩元,营业利润6.49万亿韩元;净利7.58万亿韩元，预估7.05万亿韩元;芯片销售额30.1万亿韩元，预估29.49万亿韩元;关键芯片部门营业利润2.9万亿韩元（21亿美元），低于分析师平均预测4.78万亿韩元，上季营业利润3.86万亿韩元;消费性电子营收14.4万亿韩元，预估14.82万亿韩元; 1/23.SK海力士受益于作为英伟达的主要供应商，高带宽内存（HBM）销售强劲，韩国SK海力士四季度(10月至12月)收入和运营利润双双创历史新高，当季利润首次超越“老大哥”三星。四季度:营收创高年增12%到19.77万亿韩元预计今年HBM销售额将增长100%以上;营业利润8.1万亿韩元，利润首超三星！双创史最高纪录。HBM在四季度总体DRAM收入的占比超过40%，预计2025年销售额增长100%以上；16层HBM4预计2026年下半年出货。 1/15.逆轉！群聯前董座潘健成涉財報不實 高院解任董事職務 1/13.中企挖角兇猛 韓媒：長鑫存儲35％工程師來自韓國 1/13.南亞科財報會:去年第四季因DRAM平均售價季減11-13%，銷售量季減7-9%，造成南亞科去年第四季營收與獲利雙雙衰退，第四季單季稅後虧損15.74億元，每股稅後虧損0.51元，去年全年每股虧損1.64元。展望今年市況，南亞科預估，DRAM市場可能在上半年觸底，有機會在第二季開始復甦，由於區域經濟受刺激方案可望改善，消費型需求可望自第二季開始擺脫疲弱轉好復甦。AI持續挹注雲端資料中心伺服器DRAM需求，邊緣AI運算將逐步發展於終端應用（例如: AI PC 、AI 手機 、AI機器人等各種智慧電子産品），至於一般型PC、手機及消費型電子產品需求改善幅度有限
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11/26.宜鼎 (5289-TW) 董事長簡川勝說，每天醒來都在想「要把貨給誰」，這次記憶體缺貨，不像過去一至二季的短週期，而是 AI 引發的結構性需求，明年將面臨 DRAM、NAND FLASH 雙缺局面。群聯 (8299-TW)、威剛(3260-TW) 董事長也全都說這波記憶體大缺貨，是 20-30 年沒見過的，記憶體大行情還在走，現在唯一重點是，還能買什麼？ 11/25.闪迪被纳入标普500指数，今年因“存储大牛市”暴涨;此次调整意味着追踪标普500指数的被动型基金将被迫买入闪迪股票，可能进一步推高股价。同时也标志着存储芯片行业在AI驱动的科技周期中获得市场认可。 存储芯片制造商闪迪将于11月28日交易时段开盘前被纳入标普500指数，取代宏盟集团的席位。这家今年2月从西部数据分拆出来的公司，凭借市值近300亿美元的体量，成为罕见的从标普小盘股600指数直接跃升至标普500指数的案例。 自分拆上市以来，闪迪股价飙升超过四倍，周一收盘价报226.96美元。当日股价单日上涨13.3%，盘后交易再涨8%至245.25美元。这一涨势主要由其闪存及芯片产品的强劲需求推动。 11/24.中國記憶體大廠長鑫存儲日前發表旗下首批，在中國當地自研自製的DDR5和LPDDR5X記憶體產品，邁向新一代DRAM技術的量產階段，將成為三星電子、SK海力士、美光等國際大廠的競争.. 11/23.长鑫存储发布DDR5内存新品，最高速率达8000Mbps:在11月23日开幕的第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储发布了最新的DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域。（界面） 11/21.“存储巨头”闪迪单日暴跌20%，强劲业绩难敌利润与估值双重隐忧 闪迪在科技板块整体抛售、工厂成本担忧以及对NAND闪存涨势能否持续的焦虑等多重压力下，回吐了此前的涨幅。就在几天前，该公司刚刚凭借强劲的第一季度财报和远超预期的第二季度业绩指引获得市场热捧。尽管交出了亮眼的季度业绩并给出了极为乐观的后续指引，存储芯片制造商闪迪（SanDisk）依然遭遇了股价的崩盘。 周四，存储芯片制造商闪迪的股价暴跌约20%。该股在科技板块整体抛售、工厂成本担忧以及对NAND闪存涨势能否持续的焦虑等多重压力下，回吐了此前的涨幅。 11/19.闪存全面大幅涨价 最高涨幅达38.46% 继DRAM大幅涨价后，Flash也全面涨价。据CFM闪存市场最新报价，11月19日，Flash Wafer（闪存晶圆）价格全面上涨，最高涨幅38.46%。 具体来看，1Tb QLC涨25.00%至12.50美元，1Tb TLC涨23.81%至13.00美元，512Gb TLC涨38.46%至9.00美元，256Gb TLC涨14.58%至5.50美元。（上证报） 11/18.記憶體超級週期全面啟動 三星、SK海力士庫存大減 1117.三星前五大客戶洗牌 3Q25季報告揭露Tesla晶圓代工合約:三星電日前公布2025年第3季定期報告，Goog再度入三星前五大銷售客戶名單。此外，2025年7月傳三星與Tesla簽訂165億美元晶圓代工合約，也已正式列入該季報告中。 11/17.AI需求強勁訊號：三星SK海力士庫存見底、股價大漲 11/17.存储芯片疯狂涨价，PC与服务器厂商受伤！大摩：每涨10%，OEM毛利率就下降45-150个基点;摩根士丹利警告，存储芯片价格正因AI需求和供应短缺而史无前例地飙升，DRAM现货两月暴涨260%。戴尔、惠普等因DRAM成本占比高被视为最脆弱群体；苹果凭借其强大的供应链议价能力具更强承压能力；联想PC业务更多面向企业市场，因此更容易转嫁成本。 一场前所未有的存储芯片“超级周期”正席卷全球科技硬件行业，给个人电脑（PC）和服务器制造商的利润前景蒙上阴影。 11/14.大摩分析師Joseph Moore 研判，美光列為首選股價仍有上行空間，將美光目標價從 220 美元大幅調升至 325 美元，維持「增持」評等，理由是市場尚未完全反映記憶體晶片價格飆升帶來的獲利潛力。Moore 同時將美光列為其「首選」個股。Moore 指出，桌上型電腦用記憶體晶片近期價格大幅飆升，在過去一個月內已翻三倍。他強調，這波漲勢與 2018年供給短缺相似，但本次企業的每股盈餘起點更高，預期後續將持續看到盈餘預估上修。他認為，投資人尚未充分將記憶體價格漲帶來的利多納入美光評價。 美光在 DRAM 與快閃記憶體市場占據領導地位，也已成為人工智慧伺服器高頻寬記憶體 (HBM) 的重要供應商。Moore 指出，當前需求大幅超越供給，為公司帶來明顯利多。 美光 (MU-US) 週四以 243.60 美元開盤後不久衝高到 249.50 美元，但隨即遇到賣壓，股價一路回落到 230.16 美元附近才止跌。爾後市場情緒稍微回穩，股價緩步拉升; 美光今年迄今累計上漲已達 170% 以上，遠高於 iShares 半導體 ETF(SOXX) 同期漲幅 (約 39.8%)。 11/14.短缺加劇 傳三星將部分記憶體晶片價格上調高達60% 11/12.内存上行周期“远未结束”！大摩：投资者应持有内存股而非“择时”，警惕“成本急剧上升”的消费电子和PC;大摩称，AI驱动的内存超级周期强度和持久性可能远超市场想象。核心驱动力从价格敏感型传统客户转向对价格不敏感的AI数据中心。近期服务器DRAM报价飙升70%，现货价格涨幅达336%。建议投资者"持有不动"而非择时交易，看好拥有定价权的SK海力士、三星等内存厂商，但警惕下游PC、手机等消费电子领域将面临严重成本压力和利润挤压。 11/12.AI巨头“非买不可”，厂商掌握最大定价权！大摩：本轮内存“超级周期”将远超历史峰值 ;大摩表示，本轮周期由AI数据中心和云服务商主导，这些客户对价格敏感度较低，推理工作负载已成为通用内存需求的主要驱动力，另一方面供应商掌握了史无前例的定价权。大摩认为本轮峰值定价有望超越上一轮高点，内存周期通常持续4-6个季度，盈利增长才是最终的决定性因素，而非历史估值。大摩认为，由AI驱动的新一轮内存“超级周期”已然降临，其强度和逻辑与以往任何周期都截然不同。摩根士丹利在最新的报告中指出，DRAM价格正突破历史高位，开启一轮前所未见的"超级周期"。大摩指出，与以往不同的是，本轮周期由AI数据中心和云服务商主导，这些客户对价格敏感度较低，推理工作负载已成为通用内存需求的主要驱动力。另一方面，最新渠道调研显示，四季度服务器DRAM合约报价飙升近70%，NAND合约价格上涨20-30%，供应商掌握了史无前例的定价权。该行维持对SK海力士和三星电子的增持评级，预计内存价格上涨将推动股价创新高，内存厂商盈利将大幅超预期。 大摩的最新渠道调研显示，DRAM价格前景在短短两周内急剧走强。4季度服务器RDIMM合约报价飙升近70%，远超此前30%的预测。DDR5(16Gb)现货价格更是暴涨336%，从9月的7.50美元飙升至当前的20.90美元。DDR4价格也出现50%的报价涨幅。尽管大部分合约交易将在本月稍晚完成，但客户接受似乎不可避免——他们担心价格进一步上涨且供应受限。 进一步来看，NAND陷入严重缺货的状态： NAND已成为AI计算基础设施和视频存储的关键组件。3D NAND晶圆(TLC和QLC)价格预计环比上涨65-70%，以应对产能受限。近线存储规格正从128TB转向256TB QLC固态硬盘。TrendForce预测，2026年企业级SSD比特位的服务器需求将同比增长近50%。三星2025年上半年的比特位产量受到从V6 176层向321层V8-NAND转型的制约，下半年仅逐步爬坡，导致今年比特位出货量仅增长10%。 价格上涨空间仍大，周期远未见顶 市场往往受制于“恐高”情绪，认为股价创下新高便意味着反转将至。但大摩强调，在本轮由AI驱动的行情中，盈利增长才是最终的决定性因素，而非历史估值： 当前服务器DRAM定价为1美元/Gb，而2018年1季度云超级周期的峰值为1.25美元/Gb。考虑到AI基础设施投资的规模和超大规模客户的动态特性，本轮峰值定价有望超越上一轮高点。内存周期通常持续4-6个季度，盈利正在兑现，但关键问题是与市场预期的对比——市场对通用内存定价的热情明显更高。估值不是未来回报的预测指标 11/11.繼續上漲！群聯 CEO：當前記憶體行情或許一生僅遇一次;據媒體報道，群聯電子 (Phison) 公布的2025年第三季財報，公司單季營收達 181.37 億新台幣，季增1.4%，創歷史新高；毛利58億，也達歷史最佳水平。 在財報電話會議上，群聯總經理 潘建成 指出，當前由AI推理需求驅動的市場行情極為罕見，為其職業生涯「前所未見」，甚至「或許一生只會遇到一次」。潘建成進一步透露，近期所有 NAND 快閃廠商均已啟動漲價，漲幅介於50%至75%間－例如 1Tb TLC 快閃記憶體單位價格從7月的約4.8美元上漲至11月初的10.7美元。 這一趨勢預計將進一步推動第四季度企業級儲存需求的成長。在客戶端方面，群聯主控晶片出貨量較去年同期激增380%，較上季成長72%。然而，台積電6奈米產能的緊張局面可能對未來供應能力形成限制。 關於價格走勢，潘建成表示，目前原廠NAND快閃記憶體業務的毛利率約為 50% 至 60%。他指出，若毛利率升至80%將扼殺整個產業生態，因此身為主控晶片企業，群聯希望上游原廠在定價上保持理性，不過適度的漲價確實有助於原廠擴大產能、提升供應。在此之前，記憶體晶片廠商 SanDisk (閃迪)已於11月將NAND Flash合約價格調高50%，引發市場震動；更早在10月，三星電子率先暫停 DDR5 合約報價，SK海力士與美光迅速跟進，導致DRAM供應鏈出現斷裂風險，部分急需訂單湧向現貨市場，推動DDR5價格在一周內飆升25%。 11/10.記憶體晶片需求火爆！DRAM价预期再上调，AI巨头甚至疯抢2027年产能;全球内存市场在AI服务器需求带动下迎超预期涨价。由于内存供应商优先将产能分配给利润更高的服务器客户，PC和手机制造商正面临供应紧张的局面。 集邦科技上调2025年四季度DRAM涨幅预期，服务器用内存单月涨至300美元以上，云巨头甚至锁定至2027年产能，挤压PC与手机供应，低功耗DRAM涨幅高达38%—43%。高盛看好三星与SK海力士将成为本轮周期最大受益者。据高盛10日发布一份研究报告，市场情报公司集邦科技已再度大幅上调其对2025年第四季度DRAM价格的增长预期。此次调整覆盖了服务器、PC和智能手机等所有主要应用，最新预测数值现已超过了高盛此前的乐观估计。这轮涨价核心驱动力来自数据中心。报告指出，美国的“超大规模”云服务商对AI前景抱有强烈信心，正积极与内存供应商洽谈不仅涵盖2025至2026年、甚至远及2027年的采购量。这种罕见的长期订单商谈，正加剧其他应用领域的供应不确定性，并极大地增强了内存供应商的议价能力。这一趋势对三星电子和SK海力士等主要内存制造商构成了利好。鉴于强化的定价环境和长期需求可见度，高盛在报告中重申了对这两家韩国科技巨头的“买入”评级，认为它们将是本轮上行周期的主要受益者。 集邦科技最新预测显示，2025年第四季度服务器DRAM的价格环比涨幅预计将达到28-33%，远高于此前15-20%的预期。强劲的需求主要源于AI服务器的建设热潮。高盛报告援引集邦科技的评论称，美国云巨头与内存供应商的谈判已进入到2027年的供应量，这为内存厂商提供了罕见的长期业务可见性。10月份的数据已经反映了这一趋势，DDR4 64GB服务器内存模组价格单月上涨28%至300美元，DDR5 64GB模组价格也上涨24%至338美元。 集邦科技因此将第四季度PC DRAM的价格增长预期从18-23%上调至25-30%。报告提到，尽管PC厂商希望增加库存，但供应分配仍存在不确定性，只有部分合作客户能够敲定第四季度的采购量。10月份，DDR5 8GB PC内存模组价格环比上涨25%，其价格已反超DDR4，并享有6%的溢价。面向智能手机的低功耗DRAM市场更为紧张。其第四季度价格环比涨幅预期被大幅上调至38-43%，远高于此前的18-25%区间。由于供应极度紧张，部分供应商甚至已暂时停止报价，凸显了卖方市场的强势地位。 两大巨头获投行看好，NAND市场同步上行;面对全线走强的市场态势，投资机构对内存龙头企业的看法愈发乐观。高盛的报告重申对三星电子和SK海力士的“买入”评级，并指出当前的常规DRAM价格预测已高于该行自身的模型。 与此同时，存储市场另一个关键部分——NAND闪存，也展现出积极态势。集邦科技预计NAND的价格上行周期将持续贯穿整个2026年。报告称，稳固的服务器需求和紧张的供应将抵消消费电子端有限的需求增长，这一观点与高盛的看法一致。这预示着整个存储芯片行业正步入一个全面复苏和增长的通道，为投资者提供了明确的行业风向标。 11/6.韓媒 《BusinessKorea》報導，據業界消息，SK Hynix 與 AI 巨頭輝達談判中佔上風，成功將 第六代 HBM4 價格上調超過 50%，並預期營業利益明年可能突破70兆韓元。此報導刊出後，SK 海力士亦給出官方回應，此消息為不實消息，公司對客戶相關事宜不予置評。HBM4 將搭載於輝達預計於明年下半年推出的新一代 AI 晶片 Rubin。由於 HBM4 採用 2,048 組資料傳輸通道，較前代倍增，並在基底晶片中新增計算效率及能源管理等邏輯製程，製造成本顯著增加，SK 海力士自 HBM4 起更將基底晶片委由台積電代工。價格談判期間，輝達一度對大幅漲價有所保留，並以三星電子與美光 (MU-US) 即將加入供應為背景據以議價，但最終仍接受 SK 海力士所提出的價格。公司人士強調，HBM4 製程進步與投入成本提升，具備調漲理由。完成議價後，SK 海力士向機構投資人表示，明年高利潤率將延續，目前符合輝達規格的產品價格與供應量已確定，即使三星與美光投入 HBM4 市場，也不會對業績造成不利影響。市場推算，HBM4 毛利率約達六成；若維持今年水準，HBM 事業明年將創造約 25 兆韓元營業利益，整體 HBM 業務銷售額可望較今年成長四至五成。 SK海力士HBM4為何能漲價逾50%？ 輝達與SK海力士的HBM4議價中，誰佔了上風？ HBM4相較前代，製造成本增加的原因為何？ SK海力士預估明年整體營業利益上看70兆韓元，主要動能來自哪裡？ 除了SK海力士，還有哪些廠商投入HBM4市場？ AI飆股SK海力士今年暴漲240% 韓交所罕見發布投資警示 南韓晶片巨頭股價狂飆：SK海力士暴漲逾10%、三星電子創歷史新高 AI驅動記憶體晶片超級週期來臨！三星、SK海力士DRAM與HBM業績大幅增長 SK海力士創歷史獲利！全年晶片產能售罄、AI與記憶體需求激增; 11/6.HBM4霸權爭奪戰：美光開發受挫、SK 海力士領跑、三星急追;據南韓媒體報道，美光科技 的HBM4 產品，難以滿足輝達 嚴苛性能和能源效率要求，可能迫使該公司重新設計 HBM4 晶片架構。如果消息屬實，這將導致美光的量產計畫延遲長達 9 個月，HBM4 的上市時間推遲到 2026 年，並使其無法按時完成輝達的訂單。 11/5.AI帶來對記憶體的狂熱需求，SK 海力士股價今年來狂飆240%，引發韓交所 罕見發布「投資警示」(investment caution)3 日晚間發布投資警示，該警示為期一天，理由是股價異常大幅上漲，反映市場對漲勢過熱的擔憂。 SK海力士周二跌 5.3%，近三周最大跌幅。 11/4.受惠DDR4價量雙增，DRAM廠南亞科10月自結營收79.08億元月增18.66%年增262.37%，創50個月以來新高。南亞科前10月累計營收為達444.01億元，較去年同期增長49.3%，為近3年新高。南亞科上月法說會指出，第三季DRAM的平均價格季增4成多，第四季價格還會再漲，公司營運展望正面，比第三季把握度更高，毛利率與獲利將會持續改善，全年是否能轉虧轉盈，還要「繼續努力」，預期明年也會是一個很不錯的一年，近期客戶端對於長單需求熱絡，尤其DDR4供需缺口「有點大」，南亞科DDR4佔比重超過一半。 11/3.記憶體價格噴漲1.7倍 傳大廠暫停 DDR5 合約報價;在AI浪潮推動下，部分記憶體現貨價格在短短1個月內翻倍，集邦科技最新數據，2025年第3季DRAM合約價較去年同期暴漲171.8%。目前已呈現結構性供需失衡，進入賣方市場。傳三星電子率先帶頭，10月DDR5 DRAM暫停合約報價，其他原廠跟進，供應鏈憂爆發「斷糧」危機 ***10/31.全球記憶體產業正經歷一場由 AI 浪潮所驅動的爆炸性成長。美股儲存類股如美光科技 、希捷科技STX、威騰電子WDC等短時間內漲幅驚人，反映市場高度期待。記憶體模組產品價格持續飆漲，部分現貨價格在一個月內甚至翻倍，引發全球關注。 記憶體價格飆漲比黃金還猛 業界大老：大多頭正要開始。(圖:shutterstock) 據集邦科技最新數據，2025年第三季DRAM 合約價較去年同期漲171.8%。此波記憶體價格漲勢猛烈，甚超越國際現貨黃金同期漲幅，顯示當前市場供需失衡嚴重性。DDR（雙倍資料速率）是記憶體條的核心標準，高階品類高頻寬記憶體（HBM）成為此輪漲價的核心驅動力。 AI 產能結構性轉移HBM成稀缺資;此輪漲價的核心邏輯在於AI運算對高階記憶體晶片強勁需求，導致整體產能發生結構性轉移。自2022年 ChatGPT 問世引爆AI熱潮後，全球晶片製造商便加速將更多產能轉向HBM的生產，以滿足伺服器與 AI 資料中心的需求。 國際研究機構 Yole Group 預計，2025 年主要用於 GPU 生產的 HBM 產品營收將接近翻倍，至約340億美元。預測至2030年，HBM市場將維持33%年複合成長率，屆時其營收將超過 DRAM 市場總營收的五成以上。 製造商策略轉向 DDR4 供應面臨停產 為追求更高的獲利空間，控制全球 DRAM 市場約七成市佔的韓國三星與SK海力士等大廠，正加速朝高階晶片轉型。這些主要製造商已陸續調整策略，計畫在2025年底至2026年初逐步減甚完全停止DDR4顆粒生產，將產能全面轉往利潤更高、技術更先進的DDR5及HBM產品。 此舉直接壓縮DDR4市場供應空間，導致產量減少，市場供不應求。加上先前經銷商為因應漲價趨勢大量囤貨鎖價，進一步加劇了民用市場現貨流通量的短缺。 晶片價格飆升為記憶體製造商帶來豐厚獲利。韓國KB證券預估，三星在7至9月期間，其標準 DRAM業務營業利益率已達40%，HBM業務更高達 60%。 然而，價格壓力也隨之轉嫁至下游產業。英國個人電腦製造商 Raspberry Pi 已宣布調漲價格，指出記憶體成本較一年前漲約120%。手機大廠如小米集團，也公開將不同版本手機間的價差過大，歸因於儲存成本持續且遠超預期上漲。 全面缺貨漲價30多年頭一遭 對於未來展望，全球第二大記憶體模組廠威剛董事長陳立白表示，DRAM、NAND 快閃記憶體、固態硬碟（SSD）和機械硬碟四大儲存類別全面缺貨漲價的局面，是他三十餘年產業生涯中前所未見的。他預言，2025 年第四季才是此輪記憶體大多頭的真正起點與嚴重缺貨的開始，並看好 2026 年產業榮景可期。此番預期為產業鏈帶來樂觀前景，也暗示消費者和下游廠商需提前因應記憶體供應持續吃緊的壓力。 10/30.产能增长要到2027年中后期！野村：这一轮存储周期将是“三重超级周期”;预测自2023年开始的内存超级周期将持续到2027年，并创造史无前例的收入规模 ：这一周期的主要驱动力是AI服务器和传统服务器（用于传统云和AI推理）带来的强劲需求 。与此同时，由于设备交付周期长（6-9个月），即使行业加快现有洁净室的产能爬坡速度，其对2026年供给增长的影响也有限。野村预计，行业范围内有意义的产能和产量增长加速要到2027年中后期才会出现，从而导致供不应求的局面将持续数年。 10/30.AI利好比预期更大！需求爆棚，毛利率超高，“硬盘巨头”希捷科技股价飙升19.1%创新高;AI带动的数据存储需求爆发，推动希捷科技交出超预期财报：季度营收达26.3亿美元、同比增21%，毛利率提前实现40%目标。公司预计下季度营收再创新高，AI驱动的大容量硬盘订单已排至2026年。公司股价飙升近20%，创历史新高，分析师纷纷上调目标价，看好其在AI存储浪潮中的领先地位。AI引发的数据存储需求正以超预期的力度，重塑硬盘驱动器市场格局。受此驱动，硬盘制造商希捷科技凭借远超预期的季度业绩和强劲的未来指引，推动股价周三飙升至史新高。 财报显示，截至9月的财年第一季度，希捷科技调整后每股收益为2.61美元，年增长65%，显著高于FactSet分析师预期的2.40美元。同期销售额增长21%至26.3亿美元，同样超出市场普遍预期25.5亿美元，显示出AI及数据中心市场的需求极为旺盛。摩根士丹利在29日发布研报中表示，这一优异表现得益于更有利的定价、及向高容量硬盘的产品组合转变。数据显示，该季度出货的近线硬盘中，超过80%的容量为24TB或更高。展望未来，希捷预计当前季度的销售额将达27亿美元（区间中值），再次高于分析师预测的26.7亿美元。公司首席执行官Dave Mosley向分析师透露，AI正在深刻改变硬盘需求，其面向云市场的大容量硬盘生产合同订单已基本排至2026年，且到2027年的需求能见度“清晰”。强劲的业绩与乐观的前景迅速点燃了市场热情。希捷股价周三收盘大涨19.1%，报265.62美元，创下历史新高。今年以来，这家数据存储巨头的股价累计涨幅已超过200%。其竞争对手西部数据的股价亦受此提振，在周三上涨了15%。 10/30.SK海力士的“售罄”意味着什么？大摩：向2017-2018“存储超级周期”靠拢，上调DRAM价格预期;SK海力士HBM高带宽内存“售罄”被视为AI驱动下存储市场进入新“超级周期”的信号。摩根士丹利上调其DRAM价格预期至同比+30%，并预计供应紧张将持续至2026年。分析师认为，这一趋势正重演2017-2018年的存储繁荣周期，SK海力士将拥有HBM主导地位与定价权。人工智能浪潮正以超乎预期的速度重塑全球半导体供应链，存储芯片巨头SK海力士传出的最新信号，预示着市场可能正迈向一个由供应短缺和价格飙升定义的新周期。SK海力士三季度业绩创历史新高，运营利润飙升62%，背后是其HBM高带宽内存的全面“售罄”。公司已锁定2026年全部DRAM和NAND客户需求，HBM4将于2025年底出货。 1029AI需求爆發！SK海力士2026年全系列記憶體晶片售罄;SK 海力士公司第三季獲利大增 62%，並表示客戶已經鎖定了他們明年系列記憶體晶片的供貨，顯示全球 AI 基礎設施的建設正在加劇整個產業的需求。由於 HBM 領域的強勁表現，SK 海力士第三季獲利首度突破 10 兆韓元，達到創新高的 11.4 兆韓元（約 80 億美元），略高於分析師平均預期；同期銷售額攀升至 24.45 兆韓元。SK 海力士在聲明中指出，該公司計劃明年擴大產能，且 2026 年 DRAM 與 NAND 全系列產品的訂單已被預訂一空。SK 海力士股價29 日) 上午在首爾交易大漲逾 5%。 現代汽車證券公司分析師 Greg Roh 表示：「除了超大規模企業和追求自主 AI 的國家的需求外，對 HBM 的無限需求可能會持續到明年，OpenAI 的星際之門等大型專案，也將進一步加速 HBM 的需求，這種旺盛需求很可能持續至明年。」這項結果，挑戰了部分投資人的謹慎觀點。這些投資人認為，由於殺手級 AI 應用尚未普及，加上 AI 基礎設施的融資與供應交易存在循環性，目前的市場估值已高得不合理。並警告，OpenAI 和輝達正推動一個日益錯綜複雜的交易網絡，該網絡正人為地支撐著這場價值數兆美元的人工智慧狂熱。 SK 海力士的快速成長，凸顯了 OpenAI 和 Meta 等大型科技公司，正如何大量吞噬（hoovering up）訓練與營運 AI 服務所需的晶片、伺服器及其他設備。SK 海力士作為這波建設狂潮的主要受益者，其股價在 2025 年已翻漲近 3 倍。從長遠來看，許多投資人和科技公司深信 AI 的出現將引發記憶體市場的「超級週期」。此一趨勢尤其適用於製造 AI 加速器以及驅動 ChatGPT 等服務所必需的 HBM。 10/29.旺宏連虧9季董座道歉...外資「砸19億力挺」再抱5萬張 力積電、華邦電持續吸金 10/28.DDR5記憶體早已上市普及，為何DDR4依然漲價不止，究竟是誰在買DDR4記憶體？ 根據摩根士丹利最新報告指出，由於資料中心對網路設備的需求持續強勁，舊款記憶體（如DDR4）的壽命得以延長，加上市場可能低估了DDR4於資料中心交換器中的重要性，此預期將進一步推高平均銷售價格（ASP）。 基於此強勁趨勢，摩根士丹利上調了多家主要記憶體供應商的目標價。 10/28.存储龙头三星电子或针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场 10/27.SK 海力士發表 AI 時代新一代 NAND 產品；台股記憶體族群漲翻天 南亞科、華邦電、旺宏飆漲停 南韓記憶體大廠SK海力士（SK hynix）今於美國加州聖荷西「2025 OCP 全球峰會」上正式發表下一代 NAND 快閃記憶體產品策略，並揭示全新「AIN（AI-NAND）Family」產品線。該系列主打為AI運算環境量身打造的高效能儲存解決方案，將從效能（Performance）、頻寬（Bandwidth）與容量（Density）三方面全面優化，搶攻AI時代高速運算與資料儲存需求。 AI 伺服器對 HBM需求增，國際大廠供應商進行產品結構調整，將DDR4、低功耗 DDR4 轉向生產 HBM、DDR5/ 低功耗 DDR5，使 DDR4 與低功耗 DDR4 供給量減，記憶體供不應求消息續發酵，帶動當天台股記憶體類股價如南亞科、華邦電、旺宏、力積電、威剛群聯紛跳空漲停。 SK 海力士三大產品線鎖定高效能、高容量與高頻寬應用;副社長金千成在峰會高階主管論壇表示，AIN Family 旨回應 AI推理市場爆發性成長，協助客戶快速、高效處理龐大數據流。 產品之一 AIN P（Performance）針對大型 AI 推論環境設計，透過重新設計NAND與控制器架構，降低運算與儲存間的瓶頸，大幅提升處理速度與能源效率。公司預計於 2026 年底推出樣品，鎖定高階 AI 伺服器、雲端運算市場。 另一產品 AIN D（Density）則著重於以低功耗、低成本實現海量資料儲存，適用於 AI 訓練與資料備份環境。該產品可將現有基於 QLC（四層單元）架構的 SSD 容量，從 TB（太位元組）級擴展至 PB（拍位元組）級，兼顧 SSD 速度與 HDD 成本效益，打造中階層級的儲存解決方案，預計將成為資料中心的重要補位產品。 第三款產品 AIN B（Bandwidth）採用名為「HBF（High Bandwidth Flash）」的技術，透過堆疊 NAND 晶片以擴增頻寬，類似於 HBM（高頻寬記憶體）的堆疊架構。此技術結合 NAND 的大容量與低成本特性，以及 HBM 的高速傳輸優勢，用以解決生成式 AI 與大型語言模型（LLM）訓練所面臨的記憶體容量瓶頸。SK海力士:正積極探索 AIN B與HBM 共同部署的應用架構，以強化 AI 伺服器的整體運算效能。 10/27.大摩調高台股多檔記憶體個股目標價 另外，台股記憶體族群持續強勢爆發。摩根士丹利10/26日公布報告指出，網路需求可能會延長 DDR4使用壽命，進而推高平均售價，故調高各供應商的目標價，首選股仍為華邦電，同時調升南亞科、華邦電、旺宏的目標價，並將力積電的評價改為「加碼」;華邦從 110 元調升至 130 元；華邦電預估 Q4 毛利率可望再度攀升，目標價也從先前的 50 元提高至 65 元，漲幅近 30％，並且維持「加碼」評等。 大摩還指出，旺宏受惠於日系遊戲機推升 ROM（唯讀記憶體）需求，加上主流 NAND 退出 MLC NAND，明年Q2可望開始生產MLC 128Gb 晶粒，因此將目標價從29元調升至40元；力積電則被認為受惠DDR4/DDR3景氣週期延長，可能有意外表現，故上調至「加碼」評級，目標價 35 元。10/27日這些被點名的個股皆氣勢如虹，強拉漲停，而且力積電以超過34.63萬張成交張數高居台股成交量之冠。 10/22.隨著 AI 應用爆發，高效能的儲存裝置需求湧現，金寶(2312)為全球SSD(固態硬碟)主力代工廠之一，受惠需求爆發，法人指出，金寶泰國廠SSD已取得大型客戶認證進入量產，將成為公司後續重要的成長動能。 近期 AI 應用爆發使得雲端伺服器、資料中心急需高容量、高效能的儲存裝置，SSD 的核心元件為 NAND 快閃記憶體，觀察近期NAND報價持續上揚，顯示SSD需求強勁。根據市場報告指出，由於 AI 訓練需求與雲端服務供應商資本支出顯著增加，再加上從HDD(傳統硬碟)逐步向 SSD 的替換趨勢，驅動了 SSD 市場需求。預估從 2025 年起到 2030 年 SSD 市場將以約 15-17% 的年複合成長率增長。 金寶的泰國第16廠SSD已取得大型客戶認證並順利量產，未來將加速放量。SSD應用廣泛，從筆電、桌機到伺服器，逐步取代傳統硬碟，將成為公司重要的成長動能。 10/21.華邦電9月自結7財報:營收79億元，月增12.94%，年增9.52%，一舉創3年3個月來新高，稅後淨利達11.69 億元，年增317.3%，Eps0.26 元，單月獲利已接近第二季整季虧損金額，單月顯現在記憶體產業供需反轉下，獲利也跟著明顯改善。預計在 DDR4 DDR3漲勢不斷下，後市營運看旺。 10/21.業務涵蓋「利基型記憶體代工」部分。報導指出，其代工記憶體（如 DRAM、SLC Flash）營收比重約為三至四成。一線大廠退出 8G DDR4 市場、SLC NAND Flash 供應減少，使得備貨需求提升、投片成長。在記憶體漲價環境下，公司可望藉由調整產能、優化產品組合來提升效益。因此，力積電 (6770-TW) 雖然在主流晶圓代工（如邏輯 IC）可能未處於領先，但在記憶體／利基型記憶體代工這塊，有機會從價格與需求回溫中受益。整體而言，記憶體（尤其部分利基型產品）正在進入價格上漲／景氣改善階段，對供應鏈廠商是個利多題材。 若記憶體價格與需求確實回升，作為代工廠，有可能享受「價格上漲 × 產能利用提升」的雙重利好。技術與應用轉型（如 GaN、3D 堆疊記憶體／模組）若進展順利，可提升公司未來競爭力及定位。法人買盤活躍、題材熱度高，短期股價或許有動能。 風險:雖有記憶體題材，但公司目前仍連虧多季，獲利轉正尚未實現。訂單能見度仍低（特別傳統邏輯 IC、驅動 IC、影像感測器市場需求疲弱）可能影響整體營運。記憶體漲價雖有初步跡象，但整體景氣是否回升、價格是否持續上漲仍有不確定性。公司產能利用率與成本結構改善需時間，技術轉型（如 3D 堆疊）需要投入與時間才能看到效益。 10/20.台股華邦電擴充產能、製程升級 斥20億元向科林研發購買機台,華邦電今公告，自今年 2月起至今日為止，向Lrcx(科林研發) 購買一批營業用機器設備，累計交易金額達新台幣 20.14 億元，以支應生產擴充與製程升級需求。 華邦電近期因應DDR4供不應求，加上 Flash 市況升溫，正積極推動製程升級與產能擴充，如高雄廠從20奈米升級至16 奈米，以及台中廠 Flash 產能增加，詳細支出金額將待月底董事會討論，初估明年資本支出達百億元以上，確切金額將在董事會後公布。 10/18.面對記憶體市場供不應求的現況，華邦電將啟動新一波擴產計畫。總經理陳沛銘今表示，目前公司月產能約1.5萬片、滿載可達2.7萬片，董事會將於本月底討論高雄廠新投資案，若順利通過，設備交期約9至12個月，最快明年第三至第四季可完成擴充。雖然還未通過預算，但以公司上一季董事會通過Flash的擴產計劃來看，5千片在台中廠生產約花費6、70億元，而以DRAM來說，在高雄廠每5千片約要30～40億元，等於若明年擴產1萬片產能，資本支出會到百億以上。不過確切金額將等待董事會後公告。 技術上，華邦電16奈米製程進展順利，相較20奈米可提升晶粒產出30%至35%，目前已送樣驗證8GB產品，預計明年第一季末至第二季啟動量產，首波產品為8Gb DRAM。以DRAM投片週期約120天以上計算，屬高難度製程。另，針對邊緣AI應用的CUBE產品，陳沛銘透露，開發進度優於預期，預計明年下半年取得訂單、後年起開始貢獻營收，開發時程領先同業約三年。 10/17記憶體品牌十銓科技旗下電競品牌 T-FORCE 今（17）日宣布，推出新一代儲存裝置 T-FORCE Z54E PCIe 5.0 固態硬碟，能提升資料讀取速度，並提供 1TB、2TB 與 4TB 三種容量選擇 10/17.記憶體廠晶豪科(3006)9月營收達13.08億元，月增16.7%、年增5.96%，為2024年3月以來高點。累計前三季營收97.68億元，年減5.44%；第三季營收35.77億元，季增8.8%、年增4.82%，為歷年同期第三高，顯示記憶體需求回溫帶動營運走揚。 近期DDR3也因受惠於電視、機上盒與網通設備等消費性電子主晶片多僅支援DDR3與DDR4，加上DDR4價格先前大漲，市場轉向採購DDR3替代，帶動需求與報價回升，趨勢助益晶豪科報價調升、營運回溫。 展望後市，晶豪科表示，整體市場氛圍正面，現貨價格持續走高、出貨量維持穩定，第四季營運可望持續轉佳，雖然DDR3屬成熟產品，逐漸被新規格取代，但在部分嵌入式應用領域仍具穩定市場需求。 不過在獲利表現上，晶豪科坦言仍受庫存成本壓力影響，第三季庫存成本約落在每顆32至33元，即便以30元售出仍有6%~7%的落差，加上晶圓與測試費用上升，壓力不小。不過隨著記憶體市場轉趨正向，DDR4價格短期不易下滑，利基型DRAM亦將逐步受惠，公司具備調漲空間，漲價效益可望自第四季起顯現。 **10/16.AI伺服器需求不減，被動元件市場迎來轉機。村田製作所預告AI伺服器相關應用將推動MLCC需求倍數成長。根據美國被動元件通路商Surge Components(SPRS-US) 10月15日公布2025年第三季財報，營收年增29%至1,030萬美元，主要受惠於電子產業庫存逐步回歸正常、下游客戶補貨需求回升。毛利為280萬美元，年增14%，但毛利率降至27.7%；歸屬普通股股東的淨利年增6%,EPS達0.08美元。顯示被動元件需求增溫。 九豪(6127)今天率先漲停，九豪為全球第2大電阻陶瓷基板供應商，僅次於日本丸和電子，全球市佔率約27%，主要客戶為台系晶片電阻大廠如國巨、大毅、旺詮、華新科、奇力新與台達電子公司乾坤等等，這些電阻廠即佔有標準型晶片電阻全球高達60%左右的市佔率，九豪則有高達50%以上營收來自國巨集團，營收中75%來自電阻用陶瓷基板。 10/16.DRAM漲勢看不到盡頭 宜鼎董座：每月都有驚喜;工控記憶體模組廠宜鼎2025年營運逐月成長，董事長簡川勝表示，AI需求爆發性成長，不僅帶來DDR4嚴重短缺，也讓這波缺貨潮「一去不回頭」，整體記憶體價格趨勢往上攀高，目前「沒有一家能看到（漲勢）盡頭」，這也是產業界首次出現的現象。 10/14.三星季度利润创2022年来最大，抓住全球AI繁荣机会;三星电子三季度运营利润12.10万亿韩元，这反映了存储芯片需求的激增和全球AI开发的加速，分析师预期9.7万亿韩元。三季度销售86万亿韩元，分析师预期83.58万亿韩元。三星正寻求在未来几年利用预期的人工智能热潮，该公司在最新的高带宽存储芯片方面取得了进展，并获得了AMD等公司的订单。 10/14.「窮人版」AI解方，記憶體大漲才開始 專訪群聯潘健成：會缺十年！「也太誇張了吧，」記憶體大老、旺宏電子總經理盧志遠感嘆。他告訴我，最新一代的標準型DRAM DDR5已經問世兩年，「照理說新一代出來，舊的就要跌價。」 沒想到性能較差的舊款DDR4，從6月開始一路飆到DDR5的兩倍價，是他生平所未遇的特異現象。 這是這波AI革命對供應鏈的最新衝擊。 舉世四大記憶體廠，SK海力士、三星、美光、長鑫存儲不久前相繼宣布停產DDR4，將產能資源移到DDR5，以及AI伺服器所用的高頻寬記憶體（HBM）。但因為不少還在量產的舊款手機、電腦用的仍是DDR4，夕陽產品突然奇貨可居。 台灣兩家二線DRAM廠，主力產品還是DDR4的南亞科、華邦電，頓時股價狂飆，過去一個月股價大漲63%、67%。南亞科9月營收甚年增158%。 10/14.十銓4967:9月合營收19.46億元，年增率為 64%，月增率107.79%。宇瞻8271記憶體產業中，特別專注於工業級記憶體廠商，這使其受惠於工控、車用、醫療、網通等高穩定度需求的市場，受景氣波動的影響相對較小。 10/13.威剛：CSP需求驅動 NAND Flash估缺貨到明年上半年 10/13.南亞科今法說會，第三季自結財報，由於 DRAM 價格與出貨量雙雙走揚，單季稅後淨利約 15.63 億元，EPS約 0.50 元，終止連11 季虧損，營運明顯改善。 10/12.台股本週（10/07~10/09）終場加權指數上漲540.86點、漲幅2 ％收27301.92點。自營本週合計買超107.89億元，觀察買超前十方面，受惠記憶體缺貨漲價潮，指標股南亞科、力積電（6770）、華邦電（都因此受惠，股價單週分別上漲18.67%、11.4%、11.98%，累計掃貨逾1.5萬張，金額上看近12億元。 10/9.OpenAI 星際之門記憶體晶圓需求每月達 90 萬片，AI 撼動傳統記憶體生態;全球人工智慧（AI）運算能力與效率需求急遽攀升的浪潮下，由 ChatGPT 開發商 OpenAI 所規劃的龐大「星際之門」（Stargate）計畫，已成為驅動全球記憶體產品市場結構性變革的核心催化劑。這項耗資巨大的計畫，對記憶體晶片的需求達到前所未有的水準，迫使供應鏈加速創新，並重新定義了從高頻寬記憶體（HBM）到標準動態隨機存取記憶體（DRAM），乃至固態硬碟（SSD）的分工與價值。 10/9.台股今日再創波段新高，電子族群成為領漲主力，其中記憶體族群因威剛、十銓宣布暫停報價，瞬間成為盤面焦點。這項罕見舉動被市場視為供應緊張與價格上調的前兆，帶動買盤迅速湧入。 10/5.OpenAI结盟三星、SKH鎖定每月90萬片DRAM和90萬片HBM晶圓供應;韓國科學技術信息通信部於10/1日宣布，韓政府已與OpenAI簽MOU，雙方將在AI領域全面合作，旨在將韓國打造為全球三大AI強國G3之一及亞太AI中心。 根據協議，韓企如三星和SK集團將參與OpenAI 全球AI數據中心建設及美國「星際之門」項目，該項目由OpenAI、軟銀和甲骨文共同投資高達 5000億美元。韓政府還將與OpenAI合作，促進韓國AI生態系統均衡發展，支持公共部門AI轉型，並推動AI人才培養及初創企業生態系統發展;隨後，三星集團與SK集團也公布與 OpenAI 合作協議,將共同參與OpenAI全球數據中心及「星際之門」項目，並為OpenAI提供每月90萬片DRAM晶圓和HBM晶圓的需求保障。 三星和 SK 海力士合計掌握全球 DRAM 市場的 70% 及 HBM 市場的近 80%，這一消息使得兩家公司股價在當地時間周四飆升，三星電子股價創2021年來最高，收盤漲3.5%，而SKh則飆升近10%，達2000 年來最高點。 10/8.記憶體漲聲響起！大摩看好華邦電、力積電強彈 美光升評「優於大盤」引爆資金潮 記憶體市場再度點火！大摩最新報告:主流記憶體價格全面走強，DDR4與DDR3漲勢正進入新一波高峰，預期第四季漲價幅度將更為明顯。大摩甚直言，這是重新檢視整個記憶體產業估值的「高峰時刻（peak valuations）」，並將國際記憶體巨頭美光（Micron）升評至「優於大盤」。 這股熱浪迅速蔓延至台股市場，南亞科（2408）昨（7）日僅差臨門一腳未攻上漲停，收91.2元，而愛普*（6531）、華邦電（2344）與力積電（6770）則齊鎖漲停板。大摩同時將這三檔推測合理股價調高至435元、50元與30元，等於再度替台系記憶體族群吹響多頭號角，今日各個股的收盤價也成為投資人的觀察關鍵。 大摩強調，記憶體上升循環才剛開始，現在進場「一點都不嫌晚」。報告指出，主流DRAM廠商已暫停對企業客戶報價，暗示價格仍有強勁上行空間；在NAND部分，SanDisk近期甚至與力積電洽談潛在產能合作，雖受限於其與鎧俠（Kioxia）的合資架構，合作機率不高，但這一舉動仍揭示市場供應吃緊的事實。 摩根士丹利預期，傳統DRAM的漲勢將更猛烈，DDR4未來三個季度恐維持10%～15%的供給短缺，而封測產能瓶頸更可能讓缺口擴大。部分規格DDR4合約價甚至可能在本季「翻倍上漲」。大摩指出，目前DDR4報價有效期已縮短至不到一個月，意味價格幾乎每幾週就有調漲壓力；DDR3同樣不遑多讓，預期第四季將有高雙位數的漲幅，NOR部分也將調漲5%～10%。 整體來看，摩根士丹利認為，美光升評只是記憶體復甦浪潮的開端，而台系記憶體族群正迎來「報價翻倍、獲利翻身」的關鍵時刻。 10/2.2日外資連3買今續買超234億元，三大法人買超317.9億元,指數漲395點，收26378點新高，華邦電最大贏家，外資敲3.49萬張霸榜，投信自營商全買，三大法人掃5.19萬張，股價大漲6.5%，收36元，成交量爆46.6萬張大量。 10/2.受惠記憶體價格漲，美光1日股價大漲8.86%，台股記憶體族群今續成為盤面主流，華邦電價量俱揚，帶動轉投資集團封測廠華東8110強勢漲停19.35元 10/2.“存储双雄”三星、SK海力士股价大涨，此前与OpenAI就“星际之门”达成初步供应协议 (報導，南韓晶片製造商三星電子與 SK 海力士周三 (1 日) 宣布，雙方已簽署意向書，將為 OpenAI 的資料中心供應記憶體晶片。此舉象徵著南韓半導體雙雄正式加入這項備受矚目的 AI 基礎設施項目，以滿足其龐大的晶片需求。) 三星股价上涨4.5%，SK海力士股价涨9.7%，均为四月以来的最大盘中涨幅。据合作声明透露，随着星际之门项目在全球扩张，来自OpenAI的总需求可能达到每月90万片晶圆。 韩国两大内存芯片制造商三星电子和SK海力士与OpenAI达成初步供应协议后，股价应声大涨。 10月2日周四，三星股价上涨4.5%，SK海力士股价涨9.7%，创下为四月以来的最大盘中涨幅。 10/1.力積電8月自結稅後淨損4.73億元，每股虧損0.11元，但由於記憶體價格上漲，力積電也代工DRAM、快閃記憶體，月產能約5萬片12吋晶圓，營收比重約3-4成，市場看好記憶體價格上漲，有利力積電記憶體代工業務帶來營運轉機，利多題材帶動股價飆漲。 9/25.研調機構集邦科技（TrendForce）今指出，雲端服務供應商（CSP）廠商將儲存需求快速轉向QLC enterprise SSD，短期內急單大量湧入，造成市場明顯波動，同時，SanDisk率先宣布調漲10%，Micron也因價格與產能配置考量暫停報價，使得供應端氛圍由保守轉為積極，在此外溢效應帶動下，預估第4季NAND Flash各類產品合約價將全面上漲，平均漲幅達5-10%。 TrendForce表示，消費市場需求上半年提前拉貨，下半年旺季未能如預期發揮效應，市場原本普遍預估第四季價格將進入盤整，但沒想到HDD供給短缺與過長交期，使CSP廠商將儲存需求快速轉向QLC enterprise SSD，外溢效應帶動帶動價格上漲。 9/24.研調機構集邦科技最新調查指出，三大DRAM原廠續優先分配先進製程產能給高階伺服器（server）DRAM和高頻寬記憶體HBM，排擠PC、mobile和consumer應用的產能，同時受各終端產品需求分化影響，第4季舊製程DRAM價格漲幅仍可觀，新世代產品漲勢相對溫和；預估整體一般型DRAM價將季增8-13%，若加計HBM，漲幅將擴大至13-18%。TrendForce表示，第4季PC促銷、鋪貨動能預計趨緩的情況下，PC代工廠（OEM）的整機出貨量將隨之減少，預料主要OEM的DRAM位元採購量將呈季減。此外，因三大原廠積極轉移產能至server DDR5，PC DDR5、PC DDR4供應規模皆受限，因此，第4季整體PC DRAM價格將持續小幅上漲。 9/22.韓國經濟日報報導，人工智慧（AI）榮景引領記憶體的超級週期，摩根士丹利（大摩）預期該產業今年迎來「暖冬」，並將對半導體產業的評級從「中性」上調至「具吸引力」。業界消息人士指出，三星電子近期已通知主要客戶，第4季DRAM的價格將上漲15%至30%，NAND快閃記憶體價格也將調漲5%至10%。 9/22.“火上浇油”！继大摩等看好传统存储前景后，内存巨头集体宣布涨价！报道称三星大幅上调内存和闪存价:DRAM涨幅高达30%，NAND闪存价涨5-10%，原因是供应紧张和云端企业需求激增。美光和闪迪等此前也宣布类似涨价措施，其中美光涨幅达20-30%并暂停接受新订单，闪迪宣布NAND闪存产品涨价10%。这表明整个内存行业正面临供需失衡压力。。据韩国媒体Newdaily报道，三星将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%，eMMC和UFC等NAND闪存产品价格上涨5-10%。供应紧张主要源于老产品减产和大型云服务商需求增长。此轮涨价反映出内存行业正经历结构性转变。厂商将重心转向AI PC和下一代智能手机等新兴市场，导致传统产品供应收缩。摩根士丹利预计，随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。供应紧张的根本原因在于产业重心转移。随着AI PC和新一代智能手机采用LPDDR5/X标准，厂商减少了老产品生产，但新标准产能尚未跟上需求增长。DDR4内存价格已暴涨50%，使DDR5成为更具成本效益的PC解决方案。 内存价格上涨将直接影响消费电子和企业采购成本。三星作为全球最大内存厂商之一，其定价策略通常引领行业走向，市场担忧供应紧张可能持续至2025年。 HBM需求挤压传统产品供应:高带宽内存（HBM）需求激增成为推高价格的关键因素。各大DRAM厂商纷纷转向AI赛道，优先为英伟达、AMD等AI加速器供应最新产品。这种优先级调整导致消费级DRAM供应更加紧张。三星目前占据32.7%的DRAM市场份额和32.9%的NAND市场份额。公司正努力获得英伟达支持以推广其HBM产品，同时加速LPDDR6 DRAM开发，首批设计预计今年晚些时候推出。此前摩根士丹利在研报中表示，HBM"溢价神话"面临挑战，2026年将出现激烈竞争和定价压力。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块，大摩特别看好传统DRAM的投资价值。DRAM 和 NAND 的供需结构趋紧，似乎增强了涨价的必要性。花旗集团预测，明年 DRAM 和 NAND 闪存的供应将分别短缺 1.8% 和 4%。摩根士丹利也预测，明年 NAND 的供应将短缺高达 8%。 9/21.繼美光上周暫停報價並預告全面調漲後，三星本周也傳出通知客戶，第四季 DRAM 產品包括 LPDDR4X、LPDDR5/5X 合約價將調漲 15-30%，NAND (eMMC/UFS) 價格也將調漲 5-10%；業界看好，隨著美光、三星陸續調漲，下游客戶在預期心理驅動下，恐追高補貨，將進一步推升記憶體漲價盛況。 9/18.記憶體漲價潮帶動營收動能，南亞科、華邦電市場持續看俏營運;記憶體市場迎來漲價潮，記憶體概念股挾著漲價優勢人氣噴發！週四(9/18)華邦電(2344)、力積電(6770)、旺宏(2337)攻上漲停，並以超過40萬及30萬張成交量，奪下冠亞軍，南亞科(2408)、旺宏(2337)也飆出大量。根據投顧最新報告，同步給予華邦電、南亞科「買進」評級，南亞科直接喊上80元，給出「強力買進」評級，讓資深股民直呼「怎麼一家比一家高」。不畏台股昨（17）日重摔近200點，因美光傳漲DRAM價格20%~30%，並暫停1周報價，激勵DRAM雙雄逆勢強彈，單日漲幅都逾5%，除華邦電來到29.4元進逼30元整數大關，南亞科更一舉突破70元收73.3元，續創新高。雖然DARM雙雄股價連日急噴，但法人卻還沒下車跡象，仍持續上調目標價，根據群益投顧最新報告，同步給予雙雄「買進」評級，除華邦電給予32.21元目標價，南亞科更喊上79.8元，除群益投顧的目標價距8字頭僅只差一小步，華南投顧更直接喊上80元，給出「強力買進」評級，讓資深股民直呼「怎麼一家比一家高」 9/16.近期記憶體市場傳來振奮消息，DDR4 合約價格的漲勢遠超乎市場原先預期，並且在伺服器需求上修的帶動下，此一漲勢有望延續至 2026 年第二季。這一趨勢為國內記憶體大廠南亞科帶來顯著的獲利成長動能，其營收與每股盈餘（EPS）預估值均獲得大幅上修，因此凱基證券維持「買入」投資頻等，目標價上調至新台幣 77 元。 9/14.記憶體市場近期因供需急遽變化，NAND 與 DRAM 市場同步轉旺。美光近期傳調漲 DRAM 價格20%~30%，並自 9/12日起暫停一周報價，顯示需求遠超預期。業界也已證實，並看好美光開出漲價第一槍後，市場將掀起新一波搶貨潮，漲勢將從 DDR4 擴大延燒至 DDR5。 9/12.台股今漲258.9點1.03%收25,474點。美光即將9月23日公布財報，受惠於AI應用快速成長，花旗分析師預期記憶體需求將急速增加，甚2026年可能出現供不應求，激勵美光股價大漲逾7%。台股記憶體族群全面走強，力積電盤中一度衝18.9元漲停，華邦電和南亞科成交熱絡，三檔成交張數都破18萬張，躍居市場焦點。 隨著電子業傳統旺季到來，法人看好記憶體價格第四季仍可望季增20%至50%，其中DDR4因減產與停產，供不應求情況已逐漸確立，南亞科與華邦電被點名為主要受惠者。今華邦電以將逾27萬張居成交量之冠收25.45元漲約1.8%；力積電成交約20萬張居次收17.95元漲4.36%；南亞科則成交約18.6萬張排第三收57.40元，漲1.6%。 8/21.韓媒傳出，三星電第六代高頻寬記憶體「HBM4」樣本已獲得輝達驗證通過，預計8月底便可進入最終的預生產階段，若測試順利，則最快今年底能開始量產。 8/19.HBM，挑战加倍;HBM因其3D堆叠技术成为AI时代的关键组件，SK海力士凭借HBM3E技术独占鳌头，市场份额和销售额超越三星。面对SK海力士的强势崛起，三星重启了Z-NAND技术，而其他厂商也在探索X-HBM、堆叠式DRAM等替代方案，并发展存算一体等新架构，以降低对HBM的依赖。 高带宽内存（HBM）作为下一代动态随机存取存储器（DRAM）技术，其核心创新在于独特的 3D 堆叠结构 —— 通过先进封装技术将多个 DRAM 芯片（通常为 4 层、8 层甚至 12 层）垂直堆叠。这种结构使 HBM 的带宽（数据传输速率）远高于 GDDR 等传统内存解决方案。 8/14.大摩警告内存市场转变：看空HBM“溢价神话”，看多传统存储“周期归来”;大摩称，HBM"溢价神话"面临挑战，2026年将出现激烈竞争和定价压力，SK海力士在英伟达市场份额预计从85-90%降至50%以上。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块，大摩特别看好传统DRAM的投资价值。 8/11.集邦科技（TrendForce）最新調查，2025年下半年DDR4市場處於持續供不應求與價格強勢上漲態勢，由於供應商先滿足伺服器需求的DDR4，排擠其他應用的供給，因而造成消費端的DDR4價格大幅上漲，根據rendForce調查，7月消費性DDR4合約價飄漲逾60%~85%，因此TrendForce大幅上修第3季消費性DDR4合約價季增85%~90%。 8/11.盘前涨近5%！DRAM价格改善推动盈利提升，美光科技大幅上调2025财年第四季度业绩指引，营收预期上调至111—113亿美元，毛利率指引提升至44％至45％，此前预计41％至43％。此外，美光科技还预计，第四季度调整后每股收益2.78美元至2.92美元。美光上调了第四财季收入、利润、毛利率和运营费用预期，理由是DRAM“定价有所改善”公司特别提及DRAM定价条件的改善，这一变化通常反映出存储器市场供需平衡的改善。DRAM定价改善为整个存储芯片行业创造了更有利的定价环境，可能预示着历来具有周期性特征的存储芯片定价正进入积极周期。 8/7.美國總統川普擬對半導體課徵100%關稅，南韓SBS電視台報導，南韓對美首席貿易談判代表、產業通商資源部通商交涉本部長呂翰九（Yeo Han-koo）呂翰九表示，三星電子（Samsung）和SK海力士（SK hynix）的晶片不適用美國的100%半導體關稅。 7/31.三星電子第二季財報不如預期，其中晶片部門單季獲利4000億韓元（約台幣94.68億），年減94％。為了挽救低迷的業務，傳出三星暗示下調 HBM3E（第 5 代高頻寬記憶體）的價格，外界研判此舉可能希望吸引輝達的興趣，因為目前為止，三星HBM尚未獲得輝達認證。 《Wccftech》報導，就三星及其HBM業務而言，迄今為止，這家韓國巨頭的處境面臨挑戰，因為該公司仍未獲得輝達的訂單。為此，三星似乎採取更積極的策略，並在最近的第二季財報電話會議上披露HBM價格受影響，聲稱HBM供應已超過需求，降價可能是三星吸引客戶興趣的一種方式。 7/24.创历史新高并超预期。SK海力士刚交二季度成绩单，其营收和营业利润不仅双创史新高，更是轻松碾压分析师的一致预期。 Q2财報：营收222.3万亿韩元（161.7亿美元），年增长35%创史新高，更是轻松超越分析师预期205.6万亿韩元；营业利润92.1万亿韩元，年暴涨69%，创史新高并超预期。 核心业务：凭借高带宽内存HBM技术领导地位，首次在全球DRAM市场份额上超越三星，并在整体存储器市场与三星并驾齐驱。 客户关系：英伟达等AI芯片巨头的核心供应商，受益于AI服务器强劲需求，定价能力显著增强。 市场前景：公司预计2025年剩余时间需求大幅修正可能性较低，但面临三星和美光加速追赶的竞争压力。 SK海力士凭借其技术前瞻性，牢据HBM市场的领导地位，成为了英伟达等AI巨头不可或缺的供应商。亮眼的二季度财报表明在当前这场由AI驱动的芯片军备竞赛中，手握核心武器的供应商，正在享受前所未有的超额利润。今年以来SK海力士韩国股价已经累计上涨57%。 7/16.DDR4价格倒挂调查：HBM芯片如何引爆“过时”内存涨价潮？分析师认为，当前三星、SK海力士正处在制程转换期，并且“产能优先保障生产Server DRAM及HBM，导致PC DRAM及mobile DRAM的位元产出受限”。供给端因HBM而收缩，需求端又未同步下降，这种“供需错配”是DDR4此轮涨价行情的直接原因。一款按照技术迭代规律本应逐步淡出主流市场的半导体产品——DDR4内存（第四代双倍数据速率内存），近期却在存储芯片现货市场呈现出反常的价格走势。 7/8.南韓三星電子（Samsung Electronics）週二（8日）公佈初步報告，預計第2季營業利潤將年減56％，遠超出分析師的預期，背後最大的原因是AI（人工智慧）晶片在美國和中國的銷售放緩。《路透》報導，三星預計4月到6月期間營業利潤為4.6兆韓元（約新台幣1070.8億元），遠不及LSEG SmartEstimate預測的6.2兆韓元（約新台幣1443.3億元）。這一數字將是三星近6季以來最低，低於去年同期的10.4兆韓元（約新台幣2421.1億元）和上季的6.7兆韓元（約新台幣1559.7億元）。 7/7.分析预计，三星电子在今年4月至6月期间实现运营利润6.3万亿韩元（约合46.2亿美元），这将是该公司六个季度以来的最低收益，主要原因是向英伟达供应先进内存芯片的延迟。 7/6.據韓國金融投資協會6日數據顯示，三星電子受到半導體部門拖累，普通股在上月占韓國主要指數Kospi的比重為14.53%，寫2016年3月最低。三星普通股加上優先股權重為16.17%，創2016年2月以來新低。 《韓國先驅報》報導，南韓主要指數Kospi重回3000點大關，三星電子卻因晶片部門拖累，在Kospi的市值權重跌至逾9年新低。 7/3.動態隨機存取記憶體DRAM市況好轉，南亞科6月營收突破新台幣40億元關卡，達40.74億元，創35個月來新高，月增22.23%，年增21.14%。第2季營收逐月攀高，季營收突破100億元大關，達105.26億元，季增46.44%；累計前6月營收177.14億元，年減8.8%。據市調機構集邦科技調查，5月DDR4顆粒合約價上漲2位數，6月在工控類模組廠積極尋購貨源激勵下，6月DDR4顆粒合約價再漲2位數。集邦並預期，第3季DDR4供給將持續緊張，合約價有機會進一步上漲。 6/24.晶片巨頭SK海力士:24日下午2點，股價報27.8萬韓元日漲7%,市值首超過200兆韓元(台幣4.3兆元)達到202.4兆韓元, 次於三星電（市值355.8兆韓元，約台幣7.7兆元）後韓國第二大上市公司。 SK海力士與輝達和台積電等主要合作夥伴的密切聯繫，得益在高階高頻寬記憶體（HBM）市場領先地位，股價一直呈穩定上升趨勢。該公司計劃於今年下半年開始量產其第六代HBM4晶片。美國總統川普宣布以色列和伊朗同意停火結束衝突後，股市上漲，投資人紛湧入半導體股，推動韓股飆漲。KOSPI盤中交易中突破3100點大關，為近4年來首次。 7/2.比台積晚1年 三星1.4奈米製程延至2029年量產 6/20.記憶體模組大廠威剛（3260）指出，受惠DDR4需求爆增，公司訂單應接不暇，因客戶下大單排隊等出貨的意願大增，目前公司海內外廠產能擠爆，預估第三季DDR4合約價喊達30~40%的漲價幅度，威剛在庫存充沛且採購貨源無虞的支持下，營運表現將呈跳躍式發展，挑戰歷史高檔可期。 5/15.DRAM芯片，“甜蜜点”已至;短短一周，DRAM市场已有两则涨价消息传出，分别为SK海力士与三星电子。除了价格变化，DRAM市场的竞争格局开始分层。三星、SK海力士和美光等主要DRAM制造商逐步计划在2025年下半年终止DDR3和DDR4内存的生产。4月，存储芯片似乎迎来行业的转折点。 5/13.記憶體價格谷底翻揚市場需求回，威剛Q1:二大獲利指標躍升;威剛Q1財報:營收99.08億元毛利率13.77%，營業利益4.2億元季增93%，稅前淨利季增105.6%至7.4億元，稅後淨利5.5億元季增48%，歸母業主利益5.3億元，季增逾7成，加權平均股數,每股盈餘1.72元。 威剛:第一季DRAM模組占整體營收比達56.5%，SSD:30.55%，記憶卡、隨身碟與其他產品占比12.98%。 威剛表示，記憶體供需轉趨健康，DRAM與NAND Flash現貨價自2月開始止跌反彈，公司備妥生產量能與充足的庫存，全力滿足客戶需求回溫。展望本季，威剛預期，隨著兩大記憶體價格續看漲，客戶備貨動能將延續一整季，工廠也從3月起已連續數個月加班生產，產能滿載的情況有機會一路延續至7月。 5/13.三星電子傳出與客戶達成DRAM漲價的共識，DDR4漲幅將達兩位數，DDR5漲個位數，SK海力士也將調漲DRAM價格,華邦電 南亞科 股價暴漲 5/5.記憶體价跌势结束，在2025年Q1和接下来Q2，价格开始企稳反弹。海力士DRAM消费级颗粒（Memory Chip/Die）价格已涨约12%。另外，SanDisk:3月6日向渠道发布闪存Flash Memory价上调通知：“我们将从4月1日开始实施价格上涨。这些涨幅将超过10%，并适用于所有面向渠道和消费者客户的产品”；5/3日:市场调查公司DRAMeXchange市调:用于PC通用DRAM DDR4 8Gb 产品固定交易价较3月涨22.22% 5/1.三星電近公布第1季財報後，放棄對本季提出業績展望，並警告美國的.關稅政策可能衝擊智慧手機在內主力產品的需求，半導體業務今年也面臨更大不確定性。《財聯社》報導，三星表示，受關稅壓力影響，預計半導體業務將全年面臨較大不確定性，而智慧型手機出貨量將在第2季面臨風險 第1季財報:營收79兆韓元（約新台幣1.7兆元），年增10％；淨利為8.22兆韓元（約新台幣1847億元），年同成長21.7％；營業利益6.7兆韓元（約新台幣1506億元），年增1.2％。 晶片部門銷售額降17％至25兆韓元，營業淨利為1.1兆韓元年滑42％；營收降至25.1兆韓元。 報導指出，儘管三星獲利能力略有提升，但這並不是值得投資者歡呼，因為利潤成長的原因是消費者擔心美國關稅，紛提前搶購智慧型手機和晶片，這也意味三星今年剩餘幾個月產品需求可能受抑制。 對此三星也坦承，全球貿易緊張局勢「使得預測未來業績變得困難」，如果不確定性消失，預計下半年業績將會改善。三星還提醒，因部分客戶提前拉貨，可能導致今年下半年需求下滑。而近期全世界貿易情勢緊張，加上經濟成長趨緩，造成總體經濟不確定性增加，故難以預測未來的業務表現，所以三星決定不發財測。 3月美國總統川普宣布將對中國商品徵收高額關稅，同時美國對華出售人工智慧（AI）晶片的限制也愈發嚴格，三星表示，這可能會抑制中國市場對三星生產的一些電子元件的需求，例如晶片和智慧型手機顯示器。中國是三星電子最大的市場。 此外，川普先前還宣布將向包括南韓、越南等多個國家徵收所謂的「對等關稅」，這些國家都是三星智慧型手機和顯示器的重要生產地，儘管這些互惠關稅已被暫時推遲，但仍可能動搖三星供應鏈的穩定性。 4/30.手机和芯片销售强劲，三星一季度营收79.1万亿韩元，增长10%创历史新高，大超预期; 芯片业务同比增长，公司表示将加速HBM芯片的迭代和量产。手机业务销售额同比增长10%，该公司将这一增长归功于其最新推出的Galaxy S25智能手机系列，该系列在前几款机型的基础上增强了AI功能。 受益于AI需求带动芯片业务反弹，三星一季度业绩超预期，营收创历史新高，同比增长10%，营业利润也超出市场预期。 2025年一季度财报:营收79万亿韩元年增10%季增4%;运营利润6.7万亿韩元，同比仅微增0.1万亿韩元，环比增长0.2万亿韩元，超过分析师普遍预期的6.4万亿韩元。 核心业务表现：DX (Device eXperience)营收51.7万亿韩元年增9%季增28%。DS (Device Solutions): 营收25.1万亿韩元，年降9%，季降17%，存储芯片业务面临挑战。 4/24.“AI内存芯片王者”得益于全球AI领域竞争及客户在关税征收前抢进口，SK海力士Q1营业利润7.44万亿韩元（约合52亿美元）,超预期增158%, 预期6.6万亿韩元，营收增长42%，但关税风险下的风险仍在逼近。摩根士丹利分析师Shawn Kim表示，在更大影响因素下，财报季并不重要。关税对内存的真正影响就像一座冰山，大多数危险都隐藏在水面之下，且仍在逼近。，这是该公司第二好季度业绩，上一季度营收和营业利润均创史新高。作为英伟达重要供应商，SK海力士受益于HBM等AI关键组件的强劲需求增长。SK海力士表示，12层HBM3E芯片的销售额预计将在第二季度增长，占HBM3E总营收的一半以上。该芯片是目前市场上与Nvidia(GPU)使用的最先进的HBM芯片。SK海力士也警告称，宏观经济的不确定性将导致下半年需求波动。但该公司仍预测HBM的需求将在2025年翻一番，理由是该公司提前一年与客户达成了供应协议。 自今年年初来，SK海力士股价仅涨約4%。对关税引发全球经济衰退担忧，及DeepSeek低成本模型引发重新评估，削弱其股价在过去两年涨逾一倍势头。分析表示，如關稅戰导致全球经济衰退，所有包含芯片产品终端需求都面临暴跌风险, 隨担忧加剧，本月SK海力士看跌押注创史新高，4月，对SK海力士股票卖空金额已达1.5万亿韩元(约10亿美元)，有望创月度纪录。与此同时，海外机构投资者本月净卖超2.9万亿韩元SK海力士股票，同创纪录。 4/23.关税和AI担忧加剧，SK海力士看跌押注创历史新高,SK海力士4月卖空金额高达约10亿美元，创月度纪录。同时本月海外机构净卖出该公司股票超过2.9万亿韩元，同样创纪录。分析称，韩国政府3月31日解除卖空禁令，加上投资者对AI主题热情减退、美国发起贸易战等因素，导致空头情绪高涨。 4/21.南亞科嗨翻天！外資狂掃1.6萬張 爆量連拉2根漲停 4/15.应对关税冲击，韩国政府宣布将对半导体行业支持计划提高到33万亿韩元(约232.5亿美元)，较去年公布26万亿韩元支持计划增加约四分之一；将对芯片行业金融援助计划从之前17万亿韩元提高到20万亿韩元。 4/10.美國總統川普對等關稅引發全球動盪，科技業也飽受其害，根據四位知情人士稱，美國記憶體晶片製造商美光科技已告知美國客戶，公司計劃從週三（9日）開始對部分產品收取附加費，以應對川普的新關稅。美光公司的海外製造基地主要位於亞洲，包括中國、台灣、日本、馬來西亞和新加坡。 4/7.南韓科技大廠三星電子（Samsung Electronics）將於週二（8日）公佈財報，在人工智慧（AI）晶片銷售疲軟以及晶圓代工業務不振的情況下，今年第1季利潤預計將下滑21％。《路透》報導，三星聯席執行長韓宗熙（Han Jong-hee）在3月下旬因心臟病驟逝，這家全球最大的記憶體晶片製造商高層再次被迫改組，並將於週二公佈Q1初步收益 3/27.美光宣布將全面調漲記憶體 族群股價逆勢上揚 3/25.美光宣布用于英伟达新品的HBM3E及SOCAMM已量产出货】美光宣布其用于英伟达GB300 Grace Blackwell Ultra的SOCAMM内存模组，以及针对英伟达HGX B300 NVL16及GB300 NVL72平台打造的HBM3E 12H 36GB已量产出货。 318.品安8088(記憶體模組)連5漲,累漲逾45％ 3/7.劉德音出任美光董事 台積電樂見他續展半導體長才;劉德音於去年年中退休後，動態持續引起關注，前陣子與母校美國加州大學柏克萊分校正式成立「科技競爭力與產業政策中心」，以智庫型態研究如何提升半導體先進技術研發與製造競爭力。近期則是擔任美光科技董事，這也是他退休後，首度出任國際半導體大廠董事職 3/7.記憶體模組廠創見2451，決議配發現金股利6.1元，創近9年新高，以昨收盤價87.9元計算，現金殖利率約6.94%，帶動今股價漲停達96.6元;2024年度財報，全年營收100.83億元，年減3.93%；毛利30.7％，年增1.7個百分點；稅後淨利23.14億元年增16.6%；eps5.39元 2/27.記憶體模組廠威剛3260，27日於東京正式與日本大型綜合商社伊藤忠商事（ITOCHU Corporation）及旗下子公司伊藤忠Retail Link，簽訂合作契約，雙方強強聯手，將可共同開拓日本記憶體市場商機。 2/27.因應全球稅務及集團資金規劃，國巨去年第四季一次性所得稅費用12.1億元，致單季eps約減2.36元，全年EPS為38.13元；對今年首季看法，國巨:營收約與去年第四季相當，不過毛利率可上揚1.5至3百分點。去年Q4財報:營收300億元、季減5.5%年增9.7%，稅後淨利36.46億元、季減35.5%年減23%，單季EPS為7.1元； 全年財報:營收1216.7億元、年增13%，稅後淨利193.6億元年增11%，EPS為38.13 元。國巨:全年毛利率34.4%年增0.9百分點，營業利益率19.2%年增0.2個百分點。 國巨認為，展望未來儘管地緣政治緊張局勢加劇，國際衝突持續存在，客戶端庫存仍持續朝健康水位發展，不過公司將密切關注市場供需動態，並對 AI 應用的營運動能與未來展望保持樂觀；同時，國巨線上法說時也認為，今年首季營收約與去年第四季相當，不過毛利率將會提升 2/26.IC通路商文曄3036 昨法說會釋出去年獲利創新高，今年第一季也淡季不淡，全年仍將續成長，帶動今股價衝高漲停達114元，去年第四季稅後淨利25.4億元，eps2.27元；受惠併購效益，全年營收約為9594億元，年成長61%，稅後淨利約91.1億元、年成長127%，營收與獲利同創新高，以加權平均EPS約新台幣8.13元。 ***2/22.力成(封測廠):記憶體量縮價跌、需求不振，力成去年9.09元，創近4年來新低，決議配發現金股利7元，連續3年皆配7元，昨收盤價133元計現金殖利率約5.26%;配發率達77% 2/14.受到AI效應持續發酵，被動元件電感大廠三集瑞-KY（6862）指出，針對AI伺服器、備用電力系統等，至少有5-7項新品開發項目，包含TLVR電感產品預計2月起小量出貨，看好2025年營運持續走高 2/11.英國金融時報導，中國領先的記憶體晶片生產商長鑫存儲，正以「滾雪球」成長，威脅南韓晶片業的主導地位。 據深圳顧問公司前瞻的數據，總部位於中國東部安徽省合肥市的長鑫存儲在全球900億美元DRAM記憶體市場的市占，從2020年的接近零上升至去年的5%，分析師預測該公司的成長可能會迅速「滾雪球」成長。長鑫存儲的崛起正威脅韓國晶片製造商三星、SK海力士，以及美國競爭對手美光在該領域的傳統主導地位，到2023年，這三家公司合計佔據Dram收入的96%。 2//7.記憶體模組廠十銓科技（4967）今公布1月營收16.4億元，月增40.65%、年增83.35%，創近5個月以來新高，主要受惠於品牌效益，工控產品及B2B專案客戶所帶來的穩定成長動能。 1/31.三星电芯片业务季度利润逊预期,存储芯片获进展:彭博:据悉英伟达批准三星的8层HBM3E人工智能存储芯片;预计2025年整体存储芯片市场需求将从第二季度开始复苏，第一季度芯片收益仍将疲弱，因soc上市延迟;2024年:资本支出53.6万亿韩元，半导体资本支出46.3万亿韩元。 三星电第四季度財報:销售额75.79万亿韩元,营业利润6.49万亿韩元;净利7.58万亿韩元，预估7.05万亿韩元;芯片销售额30.1万亿韩元，预估29.49万亿韩元;关键芯片部门营业利润2.9万亿韩元（21亿美元），低于分析师平均预测4.78万亿韩元，上季营业利润3.86万亿韩元;消费性电子营收14.4万亿韩元，预估14.82万亿韩元; 1/23.SK海力士受益于作为英伟达的主要供应商，高带宽内存（HBM）销售强劲，韩国SK海力士四季度(10月至12月)收入和运营利润双双创历史新高，当季利润首次超越“老大哥”三星。四季度:营收创高年增12%到19.77万亿韩元预计今年HBM销售额将增长100%以上;营业利润8.1万亿韩元，利润首超三星！双创史最高纪录。HBM在四季度总体DRAM收入的占比超过40%，预计2025年销售额增长100%以上；16层HBM4预计2026年下半年出货。 1/15.逆轉！群聯前董座潘健成涉財報不實 高院解任董事職務 1/13.中企挖角兇猛 韓媒：長鑫存儲35％工程師來自韓國 1/13.南亞科財報會:去年第四季因DRAM平均售價季減11-13%，銷售量季減7-9%，造成南亞科去年第四季營收與獲利雙雙衰退，第四季單季稅後虧損15.74億元，每股稅後虧損0.51元，去年全年每股虧損1.64元。展望今年市況，南亞科預估，DRAM市場可能在上半年觸底，有機會在第二季開始復甦，由於區域經濟受刺激方案可望改善，消費型需求可望自第二季開始擺脫疲弱轉好復甦。AI持續挹注雲端資料中心伺服器DRAM需求，邊緣AI運算將逐步發展於終端應用（例如: AI PC 、AI 手機 、AI機器人等各種智慧電子産品），至於一般型PC、手機及消費型電子產品需求改善幅度有限
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